山东生长CeYAP晶体
e: YAP闪烁晶体的性能研究
掺铈钇铝石榴石(Ce: YAP)作为一种性能优越的高温闪烁晶体,在高能核物理和核医学领域具有广阔的应用前景。然而,在实际应用中,我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。为了提高Ce: YAP晶体的闪烁性能,特别是发光强度,有必要深入分析晶体的自吸收机制,尽量减小自吸收对发光的影响。本章主要研究内容如下:采用中频感应直拉法生长了不同掺杂浓度的Ce: YAP闪烁晶体,比较了不同厚度、退火温度和气氛、不同掺杂和辐照对自吸收的影响。同时,分析了不同掺杂对衰减时间等其他闪烁特性的影响。 不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。山东生长CeYAP晶体
无机晶体中的载流子热化时间为10-11 s到10-12s,比电子之间的弛豫时间长(一般为10-13 s到10-15 s),因此可以认为电子-电子弛豫过程和电子-声子弛豫过程依次发生。在空间坐标下,热化过程可以表示为具有一定特征长度L的载流子迁移过程,对于离子晶体,L为102 ~ 103nm;对于典型的半导体,l大于103纳米。限制载流子迁移的散射中心是晶体中存在的固有缺陷和杂质缺陷。中性点缺陷散射的低能电子的截面与该点缺陷的几何截面有关。对于带电点缺陷,散射与库仑势有关,散射截面可用0的卢瑟福公式计算。黑龙江CeYAP晶体批发价不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同?
闪烁材料会议也经常举行。近年来,出现了一些新的快速闪烁材料,如Zn0基闪烁体、掺镨氧化物晶体[2,3]、Yb: YAG等。[4-6].Zn0和Yb: YAG的衰减时间小于1ns,但出光率低,Zn0晶体的生长非常困难。由于Pr3中d-f跃迁发光的存在,其氧化物晶体的衰变时间比掺铈氧化物晶体快。比如Pr3360YAG是17ns,但是Pr的复杂能级对光产额影响很大。0近有报道称,掺镓Zn0的发光强度有了很大的提高,对时间特性影响不大[7]。由于各种原因,这些新的闪烁材料在实际应用之前还有很长的路要走。
一般来说,闪烁体可以分为有机闪烁体(如萘和蒽)和无机闪烁体。
当光线与闪烁晶体相互作用时,晶体中电子空穴对Neh的数量直接影响晶体的光输出。假设电子空穴对转化为闪烁光子的效率为(与从电子空穴对到发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率有关),因此,无机闪烁晶体的光输出主要与晶体成分(,Eg)、电子空穴向发光中心的能量转移效率和发光中心的量子效率()有关.NaI:Tl闪烁晶体具有比较大光输出(约48,000 ph/mev)。将其他无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较得到的相对值(%NaI(Tl))称为“相对光输出”。相对光输出通常用于表征无机闪烁晶体的光输出。密度、线性吸收系数、质量吸收系数、有效原子序数、辐射长度和莫里哀半径[7-9]。
在高能射线探测应用中,经常使用高密度无机闪烁晶体。因为高晶体密度可以减小探测器的尺寸。 YAP缺陷在晶体的禁带中形成局域能级,充当施主或受主中心的角色,因此YAP是一种非常有潜力的释光基质材料。
在40k,由在X-ray激发的纯CsI晶体的能量效率为30%;然而,它的发光效率在室温下非常低,这就是为什么纯CsI晶体难以用于闪烁过程的原因。碱土金属氟化物,如氟化钙、氟化锶等。在室温下,激子发光仍然保持高产率。在这种情况下,我们可以讨论Vk中心在上述反应中亚稳态的作用。因此,离子晶体表现出一种非常有趣的性质,即纯晶体或没有发光中心的晶体可以产生有效的发光。这是因为在辐照过程中,晶体中会产生大量的Vk发光中心。在维克激子发光后,VK中心消失了,水晶恢复了原来的属性。
Vk心脏也可以参与外源(激发剂)发光过程。在室温下,Vk中心通过在相邻位置之间跳跃而在晶体中移动。如果局部空穴跃迁到发光中心的时间小于发光中心俘获电子的时间,那么亚稳态的Vk中心可以参与复合发光过程。 Mn离子掺杂对 Ce:YAP晶体有哪些影响?中国香港专业抛光CeYAP晶体
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首先,用提拉法生长大尺寸Ce: YAP晶体,包括改进生长设备和调整生长工艺。因为以前的生长工艺不适合生长大尺寸的Ce: YAP晶体,尤其是晶体形状、肩部和等径部分不能得到有效控制,影响晶体质量。为了解决存在的问题,我们改进了晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统,重新设计了坩埚和保温罩,并对温度场过程进行了适当的探索。
其次,研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中,国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈: YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制,发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰,其半峰全宽接近100纳米。结果表明,还原Ce4离子可以***Ce: YAP晶体的自吸收,Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 山东生长CeYAP晶体
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