广西质量好CeYAP晶体
不同退火条件下Ce: YAP晶体自吸收的比较
为了比较不同退火条件下退火对自吸收的影响,我们测量了相同厚度(2mm)和浓度(0.3%)的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛下退火后的透射光谱、荧光光谱和XEL光谱。从图4-8可以看出,直拉法生长的Ce: YAP晶体经氢退火后透射边蓝移,自吸收减弱。当进行氧退火时,通过边缘红移增强了自吸收。氢的退火温度越高,自吸收越弱。氧的退火温度越高,自吸收越强。然而,退火温度的上限约为1600。如果温度太高,晶体容易起雾,导致几乎不渗透。 CeYAG晶体发射光谱和激发光谱?广西质量好CeYAP晶体
(Ce3离子从5d态跃迁到2F7/2和2F5/2产生的两个发射带通常位于紫外和蓝社区域。当5d能级受到外场影响时,其能级位置降低很多,发射带延伸到红区,因此Ce3离子的发射带位置差别很大,可以从紫外区延伸到可见光区,覆盖范围> 20000 cm-1。如此大范围的变化超出了其他三价稀土离子的能力。该外场的影响与基质的结构及其结合键有关
(Ce3离子的单个4f电子由于自旋方向不同,有两个能级,2F7/2和2F5/2,2F5/2在较低的2F7/2上,两者的能量差为2000 cm-1。根据气态Ce3离子的光谱,它们的能量差为2257 cm-1。室温下,2F5/2能级有一个电子,2F7/2能级基本上是空的。2F5/2和2F7/2之间的跃迁一般在红外波段。 福建生长CeYAP晶体Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗?
我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。
从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。
退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响
据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。
Ce: YAP晶体在弱还原气氛中生长,发现自吸收得到有效0,荧光激发的发光强度突出提高。同时,研究了还原气氛中生长对Ce: YAP晶体其他闪烁性能的影响。
第四,比较了掺杂不同价离子对Ce: YAP晶体自吸收的影响。发现二价离子对Ce: YAP晶体的闪烁性能有很强的负面影响,而四价离子有助于提高晶体的闪烁性能。还研究了锰离子掺杂对Ce: YAP晶体性能的影响。第五,利用温度梯度法,生长了直径为110毫米的Ce: YAG闪烁晶体,该晶体具有良好的形状和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对Ce: YAG(TGT)闪烁晶体发光效率的影响,发现1100氧退火对提高晶体发光强度的效果比较好。初步分析了铈:钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对发光性能和闪烁时间的影响。 YAP晶体内部复杂的点缺陷是什么?
发光是一种能量被物体吸收并转化为光辐射(不平衡辐射)的过程,具有普遍的应用领域。闪烁体作为高能粒子探测和核医学成像,是目前发光领域的重要研究内容。闪烁现象是指粒子束或射线作用于某种物质产生的脉冲光。它更重要的特点是发出的光具有极快的衰减时间。具有这种性质的材料称为闪烁体或闪烁材料。利用荧光物质的发光现象来记录核辐射早就开始了。长期以来,闪烁体作为一种非常重要的电磁量热仪材料,在高能物理、核医学成像、核技术和工程中得到了普遍的应用。自从我们使用闪烁材料探测辐射以来,已经将近一个世纪了。在本世纪,一些重要的闪烁材料因其商业应用前景而得到广泛应用,或者因其优异的性能而在科学研究中得到普遍关注和发展。CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分?天津质量好CeYAP晶体订做价格
Mn离子掺杂对 Ce:YAP晶体有哪些影响?广西质量好CeYAP晶体
掺铈高温闪烁晶体是无机闪烁晶体的一个重要发展方向,其中铈:YAP和铈3360Yag是较好的晶体。随着应用要求的变化,闪烁晶体的尺寸越来越大,因此生长大尺寸的闪烁晶体变得更加重要。同时,国内生长的Ce:YAP晶体自吸收现象普遍存在,导致无法有效提高出光量,其机理尚不清楚。为了有效提高Ce:YAP晶体的闪烁性能,解决其自吸收问题,提高其发光强度,重点研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。同时,为了获得高发光效率的大尺寸Ce:YAG晶体,尝试用温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体,并探索了晶体的比较好热处理条件。本文主要讨论了大尺寸Ce:YAP晶体的生长和自吸收以及用温度梯度法生长和退火大尺寸Ce:YAG晶体,以提高晶体的实用性能。广西质量好CeYAP晶体
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