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载流子也可以被晶格中的浅陷阱俘获(见图1-4)。这些俘获的载流子可以被热释放并参与复合过程，从而增加晶体的发射持续时间。

电子、空穴和激子的相互作用将导致局域化。许多离子晶体表现出一种有趣的现象，即价带空穴位于正常晶格中，这种现象被称为自陷。在热化过程中，空穴达到价带的顶部，并被限制在特定的阴离子中。对于碱金属卤化物晶体，这意味着一个卤化物离子转变成一个原子：X-  X0。该卤原子X0将在一定程度上极化环境，并且该系统将显示出轴向弛豫，导致这种局部空穴被两个相邻的阴离子共享。这种状态被称为X2分子或Vk中心(图1.2)。在低温下(通常t  <200 k)，Vk核是稳定的，位于两个阴离子上的空穴称为自陷空穴，电离辐射后离子晶体形成自陷空穴的平均时间为10-11 s到10-12 s，这个时间比自由空穴和导带电子的复合时间短。因此，纯离子晶体中的大多数空穴很快转化为Vk中心。 CeYAG晶体的吸收光谱是？安徽CeYAP晶体哪里买

YAP晶体属于扭曲钙钛矿结构的正交晶系，可视为晶格常数A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O  八面体，所有顶点共享而成的三维结构，其结构如图1-7所示。一个YAP原细胞中有四个YAP分子，晶体中有两种可以置换的阳离子位置：一种是扭曲的YO12多面00置(y3半径ry=1.02)；另一个接近理想的八面00置(ral=0.53)。Ce3离子的半径为1.03，取代了YAP中具有C1h对称性的Y3离子。由于失真，实际配位数相当于8。

该体系中有三种稳定的化合物：(1) y3al5o12 (YAG)，摩尔比为1)y2 O3al2o  3=:5；(2)摩尔比为2:1的单斜化合物y4al  2o  9(YAM)；(3)摩尔比为1:1的氧化钇(YAP)。YAP是一种均匀熔化的化合物，从熔点到室温没有相变。 陕西CeYAP晶体订做价格不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱？

第五，采用温度梯度法成功生长了直径为110mm的Ce: YAG闪烁晶体，该晶体具有良好的形状和光学性能。研究了不同温度和气氛等退火条件对铈：钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体发光性能的影响。发现1100氧退火对提高晶体的发光强度效果比较好，发光强度提高了近60%。初步分析了铈：钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。第六，测试了大尺寸Ce: YAG闪烁晶体的相对光输出、射线灵敏度和DD中子灵敏度、射线相对能量响应。结果表明，用温度梯度法生长的Ce: YAG晶体在高能射线和中子探测方面有很大的应用价值。

首先，通过改进晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，将晶体卸肩程序从30段增加到300段，提高了控制精度；重新设计坩埚和保温罩，并适当调整温度场工艺，解决了晶体形状无法有效控制的问题。成功生长出55mm180mm的大尺寸Ce: YAP晶体，晶体等径部分直径变化小于1 mm。

其次，比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，降低Ce4离子的量可以压制Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 CeYAG晶体发射光谱和激发光谱？

(Ce3离子从5d态跃迁到2F7/2和2F5/2产生的两个发射带通常位于紫外和蓝社区域。当5d能级受到外场影响时，其能级位置降低很多，发射带延伸到红区，因此Ce3离子的发射带位置差别很大，可以从紫外区延伸到可见光区，覆盖范围> 20000 cm-1。如此大范围的变化超出了其他三价稀土离子的能力。该外场的影响与基质的结构及其结合键有关

(Ce3离子的单个4f电子由于自旋方向不同，有两个能级，2F7/2和2F5/2，2F5/2在较低的2F7/2上，两者的能量差为2000 cm-1。根据气态Ce3离子的光谱，它们的能量差为2257 cm-1。室温下，2F5/2能级有一个电子，2F7/2能级基本上是空的。2F5/2和2F7/2之间的跃迁一般在红外波段。 哪里可以买到CeYAP晶体？四川专业抛光CeYAP晶体

YAP缺陷在晶体的禁带中形成局域能级，充当施主或受主中心的角色，因此YAP是一种非常有潜力的释光基质材料。安徽CeYAP晶体哪里买

需要注意的是，在高活化剂浓度的晶体中，也有可能是热电子碰撞激发了发光中心。电子和空穴在迁移阶段的能量损失取决于电子和空穴相对于发光中心的空间分布。如果激发路径中产生的电子空穴对位于发光中心附近，复合过程将是有效的；否则，这些电子或空穴将被俘获。在无机晶体中，各种杂质和晶格缺陷可以用作电子和空穴的陷阱。例如，离子晶体中的阴离子空位是电子的有效俘获中心。捕获电子的阴离子空位是稳定的电子缺陷，即F中心(如图1-3所示)。如果电子或空穴被深陷阱俘获，这些俘获的载流子将不会参与闪烁过程。掺杂到晶体中的活化剂也会导致陷阱的形成。当CsI和NaI含有超过0.02%的Tl时，将在晶体中形成复合活化剂中心(聚集体)。这些聚集体也是晶体中的深陷阱。因此，Tl掺杂浓度为0.02%至0.03%的NaI和CsI显示出比较大光输出安徽CeYAP晶体哪里买

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