上海CeYAP晶体供应

时间:2021年03月21日 来源:

无机闪烁晶体在将高能射线或粒子转化为低能光子的过程中,会发生一系列微观过程,如一级和二级电离和激发、电子-空穴、光子和激子的迁移、电子与电子、电子与声子(矩阵)之间的弛豫、电子-空穴对的俘获、电子-空穴对与荧光中心之间的能量转移等。当经历电离事件时,闪烁体处于从非平衡状态到平衡状态的弛豫过程中。大量的热化电子空穴对和这些电子产生的相当一部分低能激子0终会转化为发射光子,从高能辐射到紫外或可见光光子的过程就是闪烁过程。根据发生的顺序,闪光过程可分为以下五个阶段:1.电离辐射的吸收和初级电子及空穴;的产生YAP晶体是一种透明的畸变钙钛矿结构晶体?上海CeYAP晶体供应

电子-电子弛豫时间一般为10-15-10-13 s,初始电子能量不同。快电子不只能与内壳层电子相互作用,还能与价电子相互作用。这种相互作用产生了电子统一,即等离子体的集体振荡。产生这种振荡的原因是电离过程中产生的自由电子的附加场与固体中的电子相互排斥。这种集体振荡表现为晶体体积内纵向电荷密度的波动,可以认为是一些能量Ep=hp的准粒子的运动,p是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中,典型的等离子体能量Ep为10-20ev,寿命约为10-15 s,当一个快电子通过晶体时,会在后面留下大量的等离子体,等离子体会衰变为电子-空穴对广西CeYAP晶体批发价YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.

Ce: YAP晶体的退火

刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大,在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体明显,同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心,因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。

对于空气退火,退火温度为1000 ~ 1600,恒温时间为20 ~ 30小时,1200以下升温/降温速率为50 ~ 100,1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉

流动氢退火,退火温度1200-1600,恒温时间20-36小时,1200以下升温/降温速率50-100/小时,1200升温/降温速率30-50/小时。

Ce:YAP晶体的生长过程

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(4)生长参数:根据Ir坩埚的尺寸和热场条件,通过观察YAP熔体的对流状态,晶体转速为10-20 rpm。考虑到钇铝石榴石(YAP)晶体中铈离子的分离系数较大(约0.5),晶体尺寸较大(55mm),实验选择的提拉速度为1-2mm/h。

(5)生长过程:装炉、抽真空、充气、加热熔化物料、烘烤籽晶、播种、缩颈、生长、提拉、冷却、取出晶体退火。为了保证炉内径向温度的轴对称分布,线圈中心、石英管中心、坩埚中心和籽晶中心应一致。 CeYAG温梯法晶体生长的?

我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。

从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。

退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响

据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 Ce:YAP晶体的自吸收机理是什么?重庆CeYAP晶体现货

CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分?上海CeYAP晶体供应

选择无机闪烁晶体时,根据不同的应用需要,一般要考虑的因素包括[9]:

衰减时间;能量转换效率和闪烁光输出;密度、原子序数、拦截功率等。

(1)衰变时间常数

对于只有一种发光中心的闪烁体,当其发光强度根据一阶动力学衰减时,衰减时间常数可以简单地定义为发光强度J(t)衰减到初始发光强度J(0)的1/e时所经过的时间。公式如下:

J(t)=J(0)exp(-t/) (1.2)

上式1.3中的dai表衰减时间常数。对于高计数率的应用,要求闪烁晶体具有快速衰减时间常数。 上海CeYAP晶体供应

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