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二次电子或二次电子激发来表示二次、三次等电子、空穴、激子和等离子体。有时为了区分电子激发，能量较高的称为“射线”，而几个里德堡能量(1Ry=13.6 eV)甚至更低的称为“二次激发”。这种雪崩过程一直持续到产生的电子或光子不能产生进一步的电离。一旦电子(空穴)的能量小于电离阈值Et，它就开始与衬底的振动相互作用，这被称为电子-声子弛豫或热化阶段。在热化阶段，电子向导带底部移动，空穴向价带顶部移动。因此，电子-空穴对的能量0终将等于基质晶体的带隙能量Eg。在电子-声子弛豫过程中，电子-空穴对的数目保持不变。由于所有的电离过程0终都会形成电子-空穴对，我们可以假设初始激发的特征信息在长堆弛豫过程中丢失了。因此，0终产生的电子-空穴对Neh的数量与物质吸收的伽马量子的能量E或其他辐射能量成正比。这是产生一对热化电子空穴对所需的平均能量。对于离子晶体，它大约等于其带隙能量Eg的1.5到2.0倍；对于具有主要共价键的材料，例如半导体，它大约等于带隙能量Eg的3到4倍。发射声子损失的能量与基体吸收的总能量之比，对于离子晶体一般大于30%；对于半导体，比例一般大于60%。在许多情况下，无机闪烁体中由于热化而损失的能量占据了总能量损失的主要部分。 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。CeYAP晶体哪里买
c为光速，me为电子质量，e为电子电荷，为发光波长，f为发光跃迁的振子强度，n为闪烁体的折射率。显然，发射波长在紫外范围内的闪烁体和折射率较高的基体可能具有较快的衰减时间，这与一些实验结果是一致的。根据上述公式，电偶极子允许跃迁的0快衰减时间是几ns。事实上，大多数无机闪烁晶体都有两个或更多的衰变时间常数。对于具有两个衰减时间常数的晶体，发光强度随时间的变化可以表示如下：
J(t)=exp(-t/1) + exp(-t/2) (1.4)
上式中的(Nph)1表示衰变时间组分1中发射的光子数。当1小于2时，前者称为快衰减组分，后者称为慢衰减组分
(2)闪烁晶体的本质是能量转换器，所以能量转换效率()是表征所有闪烁晶体0基本的参数，是指闪烁晶体辐射的光子能量(Ep)与闪烁晶体吸收的总能量(er)之比。如公式(1.5) [10]所示：
(1.5)
在上式中，闪烁晶体发射光子的平均能量是发射的闪烁光子数。
光输出(LR)是反映闪烁体晶体能量转换效率的0重要的物理参数，是指闪烁体吸收并消耗1mV射线能量后发出的可见/紫外光子数。即闪烁过程中产生的闪烁光子数与闪烁晶体中光线或粒子损失的能量之比 上海CeYAP晶体推荐货源哪里可以买到CeYAP晶体？
(Ce3离子从5d态跃迁到2F7/2和2F5/2产生的两个发射带通常位于紫外和蓝社区域。当5d能级受到外场影响时，其能级位置降低很多，发射带延伸到红区，因此Ce3离子的发射带位置差别很大，可以从紫外区延伸到可见光区，覆盖范围> 20000 cm-1。如此大范围的变化超出了其他三价稀土离子的能力。该外场的影响与基质的结构及其结合键有关
(Ce3离子的单个4f电子由于自旋方向不同，有两个能级，2F7/2和2F5/2，2F5/2在较低的2F7/2上，两者的能量差为2000 cm-1。根据气态Ce3离子的光谱，它们的能量差为2257 cm-1。室温下，2F5/2能级有一个电子，2F7/2能级基本上是空的。2F5/2和2F7/2之间的跃迁一般在红外波段。
由于YAP晶体结构的各向异性，很难获得高质量的晶体，但由于其广阔的应用前景，人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究[58-74]。国外生长的YAP单晶已达到50毫米，长约150毫米，重约1380克[75，76]。随着生长技术的提高，中科院上海光学力学研究所已经能够生长出直径为50 mm的大单晶，但形状控制和质量有待进一步提高。目前国内生长的Ce: YAP晶体仍存在出光率低的问题，其机理应该与自吸收有关，但尚未得到有效解决。
有人计算过YAP晶体的能带结构[77，78]。结果表明，该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成，而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成，而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV，主要由Y-O相互作用决定，而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。 CeYAG提拉法晶体生长的吗？
掺铈高温闪烁晶体是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，其中铈：YAP和铈3360Yag是较好的晶体。随着应用要求的变化，闪烁晶体的尺寸越来越大，因此生长大尺寸的闪烁晶体变得更加重要。同时，国内生长的Ce:YAP晶体自吸收现象普遍存在，导致无法有效提高出光量，其机理尚不清楚。为了有效提高Ce:YAP晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高其发光强度，重点研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。同时，为了获得高发光效率的大尺寸Ce:YAG晶体，尝试用温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体，并探索了晶体的比较好热处理条件。本文主要讨论了大尺寸Ce:YAP晶体的生长和自吸收以及用温度梯度法生长和退火大尺寸Ce:YAG晶体，以提高晶体的实用性能。Ce:YAP晶体的自吸收机理是什么？四川专业生长CeYAP晶体
有观点认为YAP晶体的本征紫外发光中心与反位缺陷YAl3+有关.CeYAP晶体哪里买
Ce: YAP晶体的退火
刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大，在加工过程中容易开裂，提拉法生长的晶体明显，同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心，因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。
对于空气退火，退火温度为1000 ~ 1600，恒温时间为20 ~ 30小时，1200以下升温/降温速率为50 ~ 100，1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉
流动氢退火，退火温度1200-1600，恒温时间20-36小时，1200以下升温/降温速率50-100/小时，1200升温/降温速率30-50/小时。 CeYAP晶体哪里买
上海蓝晶光电科技有限公司是一家光电技术领域内的技术开发、技术转让、技术服务、技术咨询，销售光电设备及配件、金属材料、五金交电，商务信息。晶体可以整颗出售(根据客户要求，定制晶体浓度)，也可以根据客户要求的尺寸、光洁度加工。另接收来料加工的公司，是一家集研发、设计、生产和销售为一体的专业化公司。公司自创立以来，投身于激光晶体，闪烁晶体，光学晶体，光学元件及生产加工，是电子元器件的主力军。上海蓝晶致力于把技术上的创新展现成对用户产品上的贴心，为用户带来良好体验。上海蓝晶创始人张春霞，始终关注客户，创新科技，竭诚为客户提供良好的服务。