青海专业生长CeYAP晶体

时间:2021年03月23日 来源:

闪烁材料的发展历史可以大致分为三个阶段。第一阶段是发现伦琴射线后初次使用CaWO4作为成像物质;随后,克鲁克斯使用硫化锌材料探测和记录放射性材料发出的辐射,卢瑟福使用硫化锌材料研究粒子的散射。

第二阶段,随着霍夫施塔特,对NaI(Tl)闪烁材料的研究和开发,发现了一系列纯的和掺杂的碱金属卤化物晶体,然后在20世纪50年代发现了第1个掺铈的玻璃闪烁体。在这一阶段发现的闪烁材料中,还包括快速发光成分为600ps的BaF2晶体。

第三阶段,即在过去的二十年左右,闪烁材料由于高能物理、核医学成像、地质勘探和科学及工业应用的需要而得到了极大的发展。 Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗?青海专业生长CeYAP晶体

根据Ce: YAP晶体的透射光谱结果,由于吸收峰和发光峰的重叠,高能射线的激发发光明显受到自吸收的影响。将晶体的透射光谱和光致发光光谱相乘,发现不同样品的结果与X射线激发的相应发射光谱相吻合,这表明随着厚度或浓度的增加,X射线激发的Ce: YAP样品的发射峰红移基本相同在0.5at%范围内,随着Ce3离子浓度的增加,Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加,但同时由于自吸收引起的透射边红移,实际光输出会降低。高能射线激发的晶体**终发光强度是这两个因素综合作用的结果。山东品质优的CeYAP晶体订做价格Mn离子掺杂对 Ce:YAP晶体有哪些影响?

由于温度梯度法在生长大尺寸晶体方面具有优势,有望通过温度梯度法生长大尺寸Ce:YAG晶体,并改进后期退火工艺,获得大尺寸、高性能的Ce:YAG晶体。

首先,通过改进晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统,将晶体卸肩程序从30段增加到300段,提高了控制精度;重新设计坩埚和保温罩,并适当调整温度场工艺,解决了晶体形状无法有效控制的问题。成功生长出55mm180mm的大尺寸Ce: YAP晶体,晶体等径部分直径变化小于1 mm。

其次,比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈: YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制,发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰,其半峰全宽接近100纳米。结果表明,降低Ce4离子的量可以压制Ce: YAP晶体的自吸收,Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。

:YAP晶体的生长过程

(1)籽晶:的选择籽晶的走向和质量直接影响直拉晶体的质量。对于YAP单晶,由于其严重的各向异性,B轴的热膨胀系数远大于A轴和C轴(A:4.2  10-6 oc-1,B:11.7  10-6 oc-1,C:5.1  10-6 oc-1),在生长过程中容易产生结构应力和相应的热应力。这些热应力也为了减少这种影响,我们选择了《100〉中的YAP  籽晶,〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸为8  50mm

(2)热场的选择:由于YAP晶体热膨胀系数和热导率的轴向差异,除了选择合适的籽晶外,选择合适的温度场环境更为重要。由于钙钛矿结构的YAP晶体的孪晶习性很容易揭示,为了克服孪晶的形成,需要在固液界面和整个生长室中形成合适的温度梯度。

(3)生长气氛:由于采用中频加热方式,主要保温材料为高熔点绝热氧化物(氧化锆、氧化铝等)。),虽然炉内充满高纯氩气体,但整个直拉法体系仍保持弱氧化,使Ce4离子含量增加。研究表明,Ce4离子对Ce3离子发光有猝灭作用。因此,在生长过程中,我们通常在惰性气氛中生长,并试图在弱还原气氛中生长,其中惰性气氛是高纯氩气体,弱还原气氛是高纯氩和高纯氢的混合气体(2-10%氢气)。 不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同?

Ce: YAP晶体在弱还原气氛中生长,发现自吸收得到有效0,荧光激发的发光强度突出提高。同时,研究了还原气氛中生长对Ce: YAP晶体其他闪烁性能的影响。

第四,比较了掺杂不同价离子对Ce: YAP晶体自吸收的影响。发现二价离子对Ce: YAP晶体的闪烁性能有很强的负面影响,而四价离子有助于提高晶体的闪烁性能。还研究了锰离子掺杂对Ce: YAP晶体性能的影响。第五,利用温度梯度法,生长了直径为110毫米的Ce: YAG闪烁晶体,该晶体具有良好的形状和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对Ce: YAG(TGT)闪烁晶体发光效率的影响,发现1100氧退火对提高晶体发光强度的效果比较好。初步分析了铈:钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对发光性能和闪烁时间的影响。 Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体的区别?山东品质优的CeYAP晶体订做价格

不同浓度Ce:YAP晶体自吸收比较。青海专业生长CeYAP晶体

Ce:YAP作为闪烁晶体的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提议以及YAP晶体作为扫描电镜电子射线和紫外光子检测的研究。1991年,Baryshevky等人用水平区熔法生长了Ce:YAP闪烁晶体[43],然后研究了不同方法生长的Ce:YAP晶体的光学和闪烁性质[20]。1995年,Tetsuhiko等人[44]总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特性。此后,大量文献[45-47]报道了Ce:YAP晶体的闪烁性质和应用,并对其闪烁机理进行了大量深入的研究工作。由于Ce:YAP高温闪烁晶体具有优异的闪烁性能和独特的物理化学性质,因此Ce:YAP高温闪烁晶体可广泛应用于相机、动物PET、SEM等检测领域[46][49-55]。目前,Ce:YAP闪烁晶体已有不同规格出售,主要采用直拉法和下降法生长。ce:yap的1.5.1.2晶体结构、生长、能级和光谱性质青海专业生长CeYAP晶体

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