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时间:2021年03月25日 来源:

e: YAP闪烁晶体的性能研究

掺铈钇铝石榴石(Ce: YAP)作为一种性能优越的高温闪烁晶体,在高能核物理和核医学领域具有广阔的应用前景。然而,在实际应用中,我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。为了提高Ce: YAP晶体的闪烁性能,特别是发光强度,有必要深入分析晶体的自吸收机制,尽量减小自吸收对发光的影响。本章主要研究内容如下:采用中频感应直拉法生长了不同掺杂浓度的Ce: YAP闪烁晶体,比较了不同厚度、退火温度和气氛、不同掺杂和辐照对自吸收的影响。同时,分析了不同掺杂对衰减时间等其他闪烁特性的影响。 YAP会出现着色现象吗?江西质量好CeYAP晶体订做价格

根据Ce: YAP晶体的透射光谱结果,由于吸收峰和发光峰的重叠,高能射线的激发发光明显受到自吸收的影响。将晶体的透射光谱和光致发光光谱相乘,发现不同样品的结果与X射线激发的相应发射光谱相吻合,这表明随着厚度或浓度的增加,X射线激发的Ce: YAP样品的发射峰红移基本相同在0.5at%范围内,随着Ce3离子浓度的增加,Ce: YAP晶体的发光强度会相应增加,但同时由于自吸收引起的透射边红移,实际光输出会降低。高能射线激发的晶体**终发光强度是这两个因素综合作用的结果。江西质量好CeYAP晶体订做价格CeYAG晶体应该如何退火?

闪烁材料会议也经常举行。近年来,出现了一些新的快速闪烁材料,如Zn0基闪烁体、掺镨氧化物晶体[2,3]、Yb: YAG等。[4-6].Zn0和Yb: YAG的衰减时间小于1ns,但出光率低,Zn0晶体的生长非常困难。由于Pr3中d-f跃迁发光的存在,其氧化物晶体的衰变时间比掺铈氧化物晶体快。比如Pr3360YAG是17ns,但是Pr的复杂能级对光产额影响很大。0近有报道称,掺镓Zn0的发光强度有了很大的提高,对时间特性影响不大[7]。由于各种原因,这些新的闪烁材料在实际应用之前还有很长的路要走。

一般来说,闪烁体可以分为有机闪烁体(如萘和蒽)和无机闪烁体。

Ce: YAP晶体的自吸收

本节主要讨论Ce: YAP晶体的自吸收。使用第2章中描述的测试设备进行测量。不同厚度Ce: YAP晶体自吸收的比较

为了表征自吸收,我们测量了不同厚度(10)mm  (1 1,2,4,10)mm)和相同浓度(0.56%)的Ce:YAP晶体的光谱特性。光激发时,Ce: YAP晶体在不同条件下的结果基本相同

2是相同浓度不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透射光谱。不同厚度的Ce: YAP晶体的透射性能差异很大。随着厚度的增加,样品的透射边缘有明显的红移。 YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.

不同厚度Ce: YAP晶体样品的X射激发发射光谱。随着样品厚度的增加,X射激发发射光谱的强度明显降低,峰值位置向红色移动。

载流子也可以被晶格中的浅陷阱俘获(见图1-4)。这些俘获的载流子可以被热释放并参与复合过程,从而增加晶体的发射持续时间。

电子、空穴和激子的相互作用将导致局域化。许多离子晶体表现出一种有趣的现象,即价带空穴位于正常晶格中,这种现象被称为自陷。在热化过程中,空穴达到价带的顶部,并被限制在特定的阴离子中。对于碱金属卤化物晶体,这意味着一个卤化物离子转变成一个原子:X-  X0。该卤原子X0将在一定程度上极化环境,并且该系统将显示出轴向弛豫,导致这种局部空穴被两个相邻的阴离子共享。这种状态被称为X2分子或Vk中心(图1.2)。在低温下(通常t  <200 k),Vk核是稳定的,位于两个阴离子上的空穴称为自陷空穴,电离辐射后离子晶体形成自陷空穴的平均时间为10-11 s到10-12 s,这个时间比自由空穴和导带电子的复合时间短。因此,纯离子晶体中的大多数空穴很快转化为Vk中心。 YAP晶体内部复杂的点缺陷是什么?质量好CeYAP晶体批发价

CeYAG晶体的吸收光谱是?江西质量好CeYAP晶体订做价格

电子空穴对的产生

假设具有中等能量(小于0.1兆电子伏)的X射线或伽马射线量子与闪烁体或任何凝聚物质相互作用。在这种情况下,光电效应占主导地位,在原子的内壳层(通常是K层)会产生一个空穴和一个自由或准自由电子。这个过程可以表示为一个原子A在固体中的单个电离反应:

A  h  A  e

这里,h替代完全被固体吸收的入射光量子的能量,产生的一次电子的能量等于HEk,其中Ek是原子A的K电子壳层的能量(对于NaI和CsI晶体中的I原子,Ek约为33 KeV)。 江西质量好CeYAP晶体订做价格

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