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经过这个电离过程，就很难从本质上区分导致电离的自由电子和这个电离过程产生的自由电子。这些二次电离事件的产物，即电离过程产生的两个电子，可以导致第三次电离、第四次电离等等，从而导致产生电子和空穴的雪崩过程，这样的层电离过程会一直持续到产生的电子和光子不能进一步电离。快电子通过与原子中电子的非弹性散射失去能量，所以闪烁过程的第二阶段可以称为电子-电子弛豫。这一阶段的0终产物是晶体中的低能电子激发：导带电子、价带空穴，中心带和价带激子。有Ce离子之间的能量转移过程介绍吗？中国台湾CeYAP晶体市场价格

e: YAP闪烁晶体的性能研究

掺铈钇铝石榴石(Ce: YAP)作为一种性能优越的高温闪烁晶体，在高能核物理和核医学领域具有广阔的应用前景。然而，在实际应用中，我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。为了提高Ce: YAP晶体的闪烁性能，特别是发光强度，有必要深入分析晶体的自吸收机制，尽量减小自吸收对发光的影响。本章主要研究内容如下：采用中频感应直拉法生长了不同掺杂浓度的Ce: YAP闪烁晶体，比较了不同厚度、退火温度和气氛、不同掺杂和辐照对自吸收的影响。同时，分析了不同掺杂对衰减时间等其他闪烁特性的影响。 中国澳门生长CeYAP晶体不同气氛生长Ce: YAP晶体Ce3+ 浓度有什么不同？

Ce: YAP晶体的自吸收

本节主要讨论Ce: YAP晶体的自吸收。使用第2章中描述的测试设备进行测量。不同厚度Ce: YAP晶体自吸收的比较

为了表征自吸收，我们测量了不同厚度(10)mm  (1 1，2，4，10)mm)和相同浓度(0.56%)的Ce:YAP晶体的光谱特性。光激发时，Ce: YAP晶体在不同条件下的结果基本相同

2是相同浓度不同厚度的Ce: YAP晶体样品的透射光谱。不同厚度的Ce: YAP晶体的透射性能差异很大。随着厚度的增加，样品的透射边缘有明显的红移。

首先，通过改进晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，将晶体卸肩程序从30段增加到300段，提高了控制精度；重新设计坩埚和保温罩，并适当调整温度场工艺，解决了晶体形状无法有效控制的问题。成功生长出55mm180mm的大尺寸Ce: YAP晶体，晶体等径部分直径变化小于1 mm。

其次，比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，降低Ce4离子的量可以压制Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 Ce:YAP高温闪烁晶体的研究！

选择无机闪烁晶体时，根据不同的应用需要，一般要考虑的因素包括[9]:

衰减时间；能量转换效率和闪烁光输出；密度、原子序数、拦截功率等。

(1)衰变时间常数

对于只有一种发光中心的闪烁体，当其发光强度根据一阶动力学衰减时，衰减时间常数可以简单地定义为发光强度J(t)衰减到初始发光强度J(0)的1/e时所经过的时间。公式如下：

J(t)=J(0)exp(-t/) (1.2)

上式1.3中的dai表衰减时间常数。对于高计数率的应用，要求闪烁晶体具有快速衰减时间常数。 Ce:YAP晶体的生长装置图有吗？浙江CeYAP晶体哪家好

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无机闪烁晶体的闪烁机理

闪烁体的本质是在尽可能短的时间内将高能射线或粒子转化为可探测的可见光。高能射线与无机闪烁晶体的相互作用一般有三种方式：光电效应、康普顿散射和正负电子对[8]。

在光电效应中，一个离子吸收光子后，会从它的一个壳层发射光电子。光电子能量是光子能量和电子结合能之差。当壳层中的空位被较高能量的电子填满时，结合能将以X射线或俄电子的形式释放出来。产生的X射线将在二次光电过程中被吸收，入射光的所有能量将被闪烁体吸收。 中国台湾CeYAP晶体市场价格

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