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无机闪烁晶体在将高能射线或粒子转化为低能光子的过程中,会发生一系列微观过程,如一级和二级电离和激发、电子-空穴、光子和激子的迁移、电子与电子、电子与声子(矩阵)之间的弛豫、电子-空穴对的俘获、电子-空穴对与荧光中心之间的能量转移等。当经历电离事件时,闪烁体处于从非平衡状态到平衡状态的弛豫过程中。大量的热化电子空穴对和这些电子产生的相当一部分低能激子0终会转化为发射光子,从高能辐射到紫外或可见光光子的过程就是闪烁过程。根据发生的顺序,闪光过程可分为以下五个阶段:1.电离辐射的吸收和初级电子及空穴;的产生YAP晶体是一种透明的畸变钙钛矿结构晶体?云南CeYAP晶体量大从优
:YAP晶体的生长过程
(1)籽晶:的选择籽晶的走向和质量直接影响直拉晶体的质量。对于YAP单晶,由于其严重的各向异性,B轴的热膨胀系数远大于A轴和C轴(A:4.2 10-6 oc-1,B:11.7 10-6 oc-1,C:5.1 10-6 oc-1),在生长过程中容易产生结构应力和相应的热应力。这些热应力也为了减少这种影响,我们选择了《100〉中的YAP 籽晶,〈010〉中的〈001〉中的〈101〉中的〈籽晶尺寸为8 50mm
(2)热场的选择:由于YAP晶体热膨胀系数和热导率的轴向差异,除了选择合适的籽晶外,选择合适的温度场环境更为重要。由于钙钛矿结构的YAP晶体的孪晶习性很容易揭示,为了克服孪晶的形成,需要在固液界面和整个生长室中形成合适的温度梯度。
(3)生长气氛:由于采用中频加热方式,主要保温材料为高熔点绝热氧化物(氧化锆、氧化铝等)。),虽然炉内充满高纯氩气体,但整个直拉法体系仍保持弱氧化,使Ce4离子含量增加。研究表明,Ce4离子对Ce3离子发光有猝灭作用。因此,在生长过程中,我们通常在惰性气氛中生长,并试图在弱还原气氛中生长,其中惰性气氛是高纯氩气体,弱还原气氛是高纯氩和高纯氢的混合气体(2-10%氢气)。 山西生长CeYAP晶体订做价格过渡金属掺杂对YAP晶体透过边有哪些影响?
Ce: YAP晶体的红外光谱在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um处有吸收带,这可归因于Ce3离子从2F5/2跃迁到2 F7/2[40]。紫外-可见吸收光谱在303 nm、290 nm、275 nm、238 nm处有吸收峰,这可归因于Ce3离子从2F5/2能级跃迁到5d能级。Ce: YAP晶体的d-f跃迁为宽带发射,峰值在365 nm。Ce 3的光致发光强度呈单指数形式衰减,室温下其衰减常数约为16-18ns[44][79]。由于YAP矩阵中的各种缺陷能级都能俘获电荷载流子,高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于18ns,一般在22-38 ns之间,也有慢分量和强背景[43][80]。1.5.2铈:钇铝石榴石高温闪烁晶体的研究
我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。
从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。
退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响
据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 不同气氛生长Ce: YAP晶体Ce3+ 浓度有什么不同?
二次电子或二次电子激发来表示二次、三次等电子、空穴、激子和等离子体。有时为了区分电子激发,能量较高的称为“射线”,而几个里德堡能量(1Ry=13.6 eV)甚至更低的称为“二次激发”。这种雪崩过程一直持续到产生的电子或光子不能产生进一步的电离。一旦电子(空穴)的能量小于电离阈值Et,它就开始与衬底的振动相互作用,这被称为电子-声子弛豫或热化阶段。在热化阶段,电子向导带底部移动,空穴向价带顶部移动。因此,电子-空穴对的能量0终将等于基质晶体的带隙能量Eg。在电子-声子弛豫过程中,电子-空穴对的数目保持不变。由于所有的电离过程0终都会形成电子-空穴对,我们可以假设初始激发的特征信息在长堆弛豫过程中丢失了。因此,0终产生的电子-空穴对Neh的数量与物质吸收的伽马量子的能量E或其他辐射能量成正比。这是产生一对热化电子空穴对所需的平均能量。对于离子晶体,它大约等于其带隙能量Eg的1.5到2.0倍;对于具有主要共价键的材料,例如半导体,它大约等于带隙能量Eg的3到4倍。发射声子损失的能量与基体吸收的总能量之比,对于离子晶体一般大于30%;对于半导体,比例一般大于60%。在许多情况下,无机闪烁体中由于热化而损失的能量占据了总能量损失的主要部分。 气氛如何生长CeYAP晶体?抛光CeYAP晶体推荐货源
Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗?云南CeYAP晶体量大从优
(Ce3离子5d态的能量较低,与4f态的高能级重叠。所以4f电子会被激发到5d态,从5d态回到4f态会发光。由于5d轨道位于5s5p之外,不像4f轨道那样被屏蔽在内层,所以很容易受到外场的影响,使得5d态成为能带而不是离散能级。从这个能带到4f能级的跃迁成为带谱。
作为自由离子,Ce3的4f和5d能级差为6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶体场的作用下,4f和5d之间的能级距离普遍减小。晶体场力越大,能级间距越小。从前面的讨论可以看出,4f能级在内层被屏蔽,基本不受晶场影响。5d态被晶体场分裂,导致4f和5d能级重心距离缩短。P. Dorenbos认为,晶体场引起的5d能级分裂程度取决于Ce3周围阴离子多面体的大小和形状[15]。基于Ce3离子以上独特的能级结构和发光特性,以Ce3离子为激发离子的无机晶体一般光输出高,衰减时间快,更适合作为闪烁晶体。 云南CeYAP晶体量大从优
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