山西CeYAP晶体市场价格

Ce: YAP晶体的退火

刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大，在加工过程中容易开裂，提拉法生长的晶体明显，同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心，因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。

对于空气退火，退火温度为1000 ~ 1600，恒温时间为20 ~ 30小时，1200以下升温/降温速率为50 ~ 100，1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉

流动氢退火，退火温度1200-1600，恒温时间20-36小时，1200以下升温/降温速率50-100/小时，1200升温/降温速率30-50/小时。 Mn离子掺杂对 Ce:YAP晶体有哪些影响？山西CeYAP晶体市场价格

电子-电子弛豫时间一般为10-15-10-13 s，初始电子能量不同。快电子不只能与内壳层电子相互作用，还能与价电子相互作用。这种相互作用产生了电子统一，即等离子体的集体振荡。产生这种振荡的原因是电离过程中产生的自由电子的附加场与固体中的电子相互排斥。这种集体振荡表现为晶体体积内纵向电荷密度的波动，可以认为是一些能量Ep=hp的准粒子的运动，p是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中，典型的等离子体能量Ep为10-20ev，寿命约为10-15 s，当一个快电子通过晶体时，会在后面留下大量的等离子体，等离子体会衰变为电子-空穴对山西CeYAP晶体市场价格YAP中形成色心的另一可能原因是晶体中存在杂质离子.

在电子-电子弛豫过程中，能量损失可以通过产生F心、H心等点缺陷来进行。快电子也可以通过在声子上散射而失去能量，随着电子能量的降低，电子-声子相互作用的概率增大。而且产生的二次电子和光子会从晶体中逸出，造成能量损失。然而，在电子-电子弛豫阶段，这些过程中的能量损失相对于闪烁体中的总能量损失非常小。

两项一般性意见如下：

1.如上所述，快电子在非弹性散射过程中会损失能量。这是文学中常见的表达。但是，能量实际上并没有损失，而是分布到了二次电子激发。闪烁体中真正的能量损失是由以下与闪烁竞争的过程引起的：点缺陷的形成、声子，的产生、二次电子和光子从晶体中逃逸以及长期磷光发射。

无机闪烁晶体在将高能射线或粒子转化为低能光子的过程中，会发生一系列微观过程，如一级和二级电离和激发、电子-空穴、光子和激子的迁移、电子与电子、电子与声子(矩阵)之间的弛豫、电子-空穴对的俘获、电子-空穴对与荧光中心之间的能量转移等。当经历电离事件时，闪烁体处于从非平衡状态到平衡状态的弛豫过程中。大量的热化电子空穴对和这些电子产生的相当一部分低能激子0终会转化为发射光子，从高能辐射到紫外或可见光光子的过程就是闪烁过程。根据发生的顺序，闪光过程可分为以下五个阶段：1.电离辐射的吸收和初级电子及空穴；的产生同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。

首先，通过改进晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，将晶体卸肩程序从30段增加到300段，提高了控制精度；重新设计坩埚和保温罩，并适当调整温度场工艺，解决了晶体形状无法有效控制的问题。成功生长出55mm180mm的大尺寸Ce: YAP晶体，晶体等径部分直径变化小于1 mm。

其次，比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现Ce4离子有一个电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，降低Ce4离子的量可以压制Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 YAP晶体内部复杂的点缺陷是什么?河北CeYAP晶体供应

Ce:YAP晶体如何退火？山西CeYAP晶体市场价格

首先，用提拉法生长大尺寸Ce: YAP晶体，包括改进生长设备和调整生长工艺。因为以前的生长工艺不适合生长大尺寸的Ce: YAP晶体，尤其是晶体形状、肩部和等径部分不能得到有效控制，影响晶体质量。为了解决存在的问题，我们改进了晶体生长炉的功率控制系统和重量传感系统，重新设计了坩埚和保温罩，并对温度场过程进行了适当的探索。

其次，研究了Ce:YAP晶体的自吸收机制。在实际应用中，国产Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题，直接影响晶体的发光效率。比较了铈离子浓度、退火、辐照和杂质对铈： YAP晶体自吸收的影响。通过分析Ce: YAP晶体的自吸收机制，发现在YAP中存在一个Ce4离子的宽带电荷转移吸收峰，其半峰全宽接近100纳米。结果表明，还原Ce4离子可以***Ce: YAP晶体的自吸收，Ce4离子可以明显猝灭Ce3离子的发光。 山西CeYAP晶体市场价格

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