重庆专业抛光CeYAP晶体
由于YAP晶体结构的各向异性,很难获得高质量的晶体,但由于其广阔的应用前景,人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究[58-74]。国外生长的YAP单晶已达到50毫米,长约150毫米,重约1380克[75,76]。随着生长技术的提高,中科院上海光学力学研究所已经能够生长出直径为50 mm的大单晶,但形状控制和质量有待进一步提高。目前国内生长的Ce: YAP晶体仍存在出光率低的问题,其机理应该与自吸收有关,但尚未得到有效解决。
有人计算过YAP晶体的能带结构[77,78]。结果表明,该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成,而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成,而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV,主要由Y-O相互作用决定,而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。 铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。重庆专业抛光CeYAP晶体
不同温度退火的Fe: YAP样品的吸收光谱和差分吸收光谱
是Fe: YAP样品在不同温度退火后的吸收光谱和微分吸收光谱。Fe: YAP晶体的吸收光谱在203纳米、246纳米、270纳米和325纳米附近有吸收峰。差示吸收光谱显示,氢退火后264 ~ 270纳米波长范围内的吸收明显减弱,氧退火后321纳米出现差示吸收峰。可以认为246 nm和270 nm处的吸收与Fe3有关,即Fe3和Fe2之间存在跃迁[102]。除了321nm处的吸收,YAP: Fe的几个吸收峰与纯YAP晶体的吸收峰有一定距离,这不能解释纯YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰与铁有关。 重庆质量好CeYAP晶体不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱?
e: YAP闪烁晶体的性能研究
掺铈钇铝石榴石(Ce: YAP)作为一种性能优越的高温闪烁晶体,在高能核物理和核医学领域具有广阔的应用前景。然而,在实际应用中,我国生长的Ce: YAP晶体存在严重的自吸收问题,直接影响晶体的发光效率。为了提高Ce: YAP晶体的闪烁性能,特别是发光强度,有必要深入分析晶体的自吸收机制,尽量减小自吸收对发光的影响。本章主要研究内容如下:采用中频感应直拉法生长了不同掺杂浓度的Ce: YAP闪烁晶体,比较了不同厚度、退火温度和气氛、不同掺杂和辐照对自吸收的影响。同时,分析了不同掺杂对衰减时间等其他闪烁特性的影响。
c为光速,me为电子质量,e为电子电荷,为发光波长,f为发光跃迁的振子强度,n为闪烁体的折射率。显然,发射波长在紫外范围内的闪烁体和折射率较高的基体可能具有较快的衰减时间,这与一些实验结果是一致的。根据上述公式,电偶极子允许跃迁的0快衰减时间是几ns。事实上,大多数无机闪烁晶体都有两个或更多的衰变时间常数。对于具有两个衰减时间常数的晶体,发光强度随时间的变化可以表示如下:
J(t)=exp(-t/1) + exp(-t/2) (1.4)
上式中的(Nph)1表示衰变时间组分1中发射的光子数。当1小于2时,前者称为快衰减组分,后者称为慢衰减组分
(2)闪烁晶体的本质是能量转换器,所以能量转换效率()是表征所有闪烁晶体0基本的参数,是指闪烁晶体辐射的光子能量(Ep)与闪烁晶体吸收的总能量(er)之比。如公式(1.5) [10]所示:
(1.5)
在上式中,闪烁晶体发射光子的平均能量是发射的闪烁光子数。
光输出(LR)是反映闪烁体晶体能量转换效率的0重要的物理参数,是指闪烁体吸收并消耗1mV射线能量后发出的可见/紫外光子数。即闪烁过程中产生的闪烁光子数与闪烁晶体中光线或粒子损失的能量之比 Ce:YAP晶体生长过程详细介绍有吗?
无机闪烁晶体的闪烁机理
闪烁体的本质是在尽可能短的时间内将高能射线或粒子转化为可探测的可见光。高能射线与无机闪烁晶体的相互作用一般有三种方式:光电效应、康普顿散射和正负电子对[8]。
在光电效应中,一个离子吸收光子后,会从它的一个壳层发射光电子。光电子能量是光子能量和电子结合能之差。当壳层中的空位被较高能量的电子填满时,结合能将以X射线或俄电子的形式释放出来。产生的X射线将在二次光电过程中被吸收,入射光的所有能量将被闪烁体吸收。 大尺寸Ce:YAP晶体的生长方法?陕西CeYAP晶体市场价格
有Ce离子之间的能量转移过程介绍吗?重庆专业抛光CeYAP晶体
发光中心的激发和发射
闪烁过程的第四阶段可以称为迁移阶段,因为迁移的电子激发并向发光中心转移能量。通过电子空穴对与激子转移能量是可能的。在第一种情况下,通过依次捕获一个空穴和一个电子(电子复合发光)或者依次捕获一个电子和空穴(空穴复合发光)来激发发光中心。比如碱卤晶体中的Tl和Ag主要是通过电子复合发光。
Tl h Tl2,Tl2 e h
但是空穴复合发光也是可能的
Tl e Tl0,Tl0 h h
在无机晶体中,能量通过激子转移到发光中心的几率小于复合发光的几率。一般认为,在辐照过程中,低能激子数小于电子空穴对数。为了形成激子,入射电子(光子)的能量应该正好等于激子的能量 重庆专业抛光CeYAP晶体
上海蓝晶光电科技有限公司主要经营范围是电子元器件,拥有一支专业技术团队和良好的市场口碑。上海蓝晶致力于为客户提供良好的激光晶体,闪烁晶体,光学晶体,光学元件及生产加工,一切以用户需求为中心,深受广大客户的欢迎。公司将不断增强企业重点竞争力,努力学习行业知识,遵守行业规范,植根于电子元器件行业的发展。上海蓝晶凭借创新的产品、专业的服务、众多的成功案例积累起来的声誉和口碑,让企业发展再上新高。