中国香港CeYAP晶体量大从优

时间:2021年06月01日 来源:

1.1.1 Ce: YAP晶体的退火刚出炉的Ce:YAP单晶体,由于在其内部存在较大的热应力,所以在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体较为明显;同时由于铈离子存在不同价态(Ce2+,Ce3+ 和Ce4+),在高温闪烁晶体中,充当发光中心的却只有三价的铈离子(Ce3+),因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能具有重要的影响。

对于空气退火,退火温度为1000~1600oC,恒温时间20-30小时不等,1200 oC以下升/降温速率为50-100oC/h,1200 oC以上升/降温速率为30-50oC/h。所用装置为Si-C 或Si-Mo棒马弗炉。

对于流动氢气退火,退火温度为1200-1600oC,恒温时间为20-36小时,1200 oC以下升/降温速率为50-100oC/h,1200 oC以上升/降温速率为30-50oC/h。

本论文系统研究了不同气氛退火气氛和温度对Ce: YAP和Ce: YAG等高温闪烁晶体的光学及闪烁性能的影响。具体的实验条件及其对晶体闪烁性能影响的实验结果分别见下列各章节中。 闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段?。中国香港CeYAP晶体量大从优

铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征,是无机闪烁晶体的一个重要发展方向,而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化,对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加,生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题,导致光产额一直无法有效提高,且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能,解决其自吸收问题,提高晶体的发光强度,着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体,用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长,并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题,和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究,以真正提高晶体的实用性能。  抛光CeYAP晶体量大从优无机闪烁晶体的性能表征?

考虑到不同生长气氛会引起Ce离子变价,使Ce3+ 数量发生变化,从而对荧光强度可能会造成的影响,测试了浓度均为0.3% YAP: Ce样品的红外透过谱,以比较对应样品中Ce3+ 离子的浓度。YAP: Ce晶体的 Ce3+ 离子在1800cm-1-4000cm-1范围内具有3个较强的吸收峰,分别对应于2087cm-1,2702cm-1和3260cm-1,在2480cm-1左右有一个很弱的吸收峰,所有这些吸收峰对应于Ce3+ 离子基态2F5/2到基态2F7/2的Stark子能级之间的跃迁,属于禁戒跃迁,强度低,受晶场作用弱,因此可以方便地用来表征晶体中Ce3+ 离子的浓度[108]。

Ce3+在YAP基质中激发谱(d-f跃迁)的比较低能级跃迁的波长为336.1nm(29750cm-1),因此316nm的激发峰成分虽然发光波长比较偏红光方向,但仍在允许范围内。当激发波长从294nm(34013cm-1)到316nm(31645cm-1)变化时,各子能级都有可能被激发,且不同能量激发时各子能级之间的跃迁强度比可能会有所差别。因此激发谱中几个发光成分其实还可以再分解为不同子能级的发光,而且叠加后的峰形会比单峰明显展宽,普通的拟和只能作近似表达。从激发谱我们可以得到的信息,一是还原气氛生长激发峰的强度增加,且各峰强度的比例变化不同,主要还是与Ce4+离子的淬灭减少相关。二是由于自吸收被***,还原气氛生长激发峰的成分有所增加,有些长波方向的子峰成分得以出现,因此总激发峰宽度明显增加。Ce:YAP和Ce:YAG高温闪烁晶体具有良好的物化性能,是无机闪烁晶体中较有优势的晶体.

与辐射长度类似的另一个物理量叫做摩尔(Moliere)半径(RM):

RM≈X0×(Z+1.2)/37.74                                       (1.13)

小的摩尔半径有利于降低其它粒子对能量测量的污染。无论是吸收系数、辐射长度或摩尔半径都直接或间接地与晶体密度成反比关系,因此,寻找高密度闪烁晶体已成为今后闪烁晶体研究的一个重要方向。为了减少探测器的体积和造价,人们希望探测器的体积越紧凑越好,因此要求闪烁晶体对射线的阻止能力要尽可能地强,具体表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。 在弱还原气氛下生长了Ce:YAP 晶体,发现晶体的自吸收得到有效***.中国澳门CeYAP晶体哪里买

不同气氛生长Ce: YAP晶体Ce3+ 浓度有什么不同?中国香港CeYAP晶体量大从优

第五,用温梯法成功生长了直径为 110mm 的大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体,晶体具有良好的外形和光学性质。研究了不同温度和气氛等退火条件对 Ce: YAG(TGT)闪烁晶体发光性能的影响,发现1100℃ 氧气退火对提高晶体的发光强度具有比较好效果,发光强度提高了近60%。并初步分析了 Ce: YAG(TGT)闪烁晶体存在的缺陷以及其对晶体的发光性能和闪烁时间的影响。

第六.测试了大尺寸 Ce: YAG 闪烁晶体的相对光输出、γ射线灵敏度与DD中子灵敏度、γ射线相对能量响应等性能,结果表明温梯法生长的Ce: YAG 晶体在高能射线和中子探测方面具有较大的应用价值。 中国香港CeYAP晶体量大从优

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