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50－60年代，人们就对YAP晶体进行了大量包括晶体结构及生长等方面的研究与探索[63]-[67]，但主要是关于Nd:YAP激光晶体的报道。直到1973年，M.J. Weber等人***对提拉法生长Ce: YAP晶体的光谱性能作了较为系统的报导，并指出其在高能射线探测领域中的潜在应用[67]。真正将Ce:YAP作为闪烁晶体进行研究的却是从T. Takada等人[68]（1980年）和R. Autrata等人[69]（1983年）提出并研究YAP晶体作为探测SEM电子射线和UV光子性能开始的。 1991年，Baryshevky等人又采用水平区熔法生长80×100×15mm的Ce:YAP闪烁晶体[70]，随后他又对不同方法生长的Ce:YAP晶体的光学及其闪烁性能进行了研究[72]。1995年，日本科学家Tetsuhiko等人[73]总结并重新研究了Ce:YAP晶体的光学特征。之后，大量文献[74][77][78]－[84]报道了Ce:YAP晶体的闪烁性能及其应用，而且还对其闪烁机制作了许多深入的研究工作[56][57][58]。由于Ce:YAP高温闪烁晶体具有优良的闪烁性能以及独特的物化性质，所以，Ce:YAP高温闪烁晶体可以广泛应用于gamma相机，动物PET， SEM以及X射线等探测领域中[75] [78]－[84]。目前，Ce:YAP闪烁晶体已经有不同规格的商品出售（主要由捷克的Crystur Ltd.公司提供），主要采用提拉法和下降法生长Ce:YAG闪烁晶体属于什么晶系？中国香港CeYAG晶体市场价格

Ce:YAP高温闪烁晶体为典型的高光输出快衰减无机闪烁晶体，因此可以广泛应用于各种不同的闪烁探测领域中。现将其主要应用总结如下：

(1) 影像核医学领域应用[49][76][80][83][90][87][92]。Ce:YAP闪烁晶体在γ相机，单光子发射计算机断层扫描成像（SPECT），以及正电子发射断层扫描成像（PET）等影像核医学领域有着广阔的应用背景。特别是随着位置敏感光电倍增管（PSPMT），硅象素阵列成像（ISPA），以及混合光子探测器（HPD）的迅猛发展，使得Ce:YAP闪烁晶体在γ相机，SPET以及PET等成像技术领域中有了新的突破。例如，目前γ相机的空间分辨率只有约3mm左右，但是采用0.6×0.6×7mm3的Ce:YAP晶体元件（11×22矩阵元）与PSPMT耦合，在140Kev能量处γ相机的空间分辨率可达0.7mm，探测效率为35%[87]。采用Ce:YAP高温闪烁晶体做成的γ相机、SPET和PET等核医学成像设备可以广泛应用于动物扫描、人体小型***扫描等应用。 吉林CeYAG晶体成本价CeYAG晶体具体有什么作用的？

众所周知，钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是优良的激光基质材料以及光学衬底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经广泛应用于工业、**医疗、以及科研等领域。特别是近二十年来，随着LD泵浦固体激光器的迅猛发展，国际上对Yb:YAG激光晶体又掀起研究高潮，出现了大量的文献报道[94][95]。早期为了发展可调谐激光晶体，人们研究了Ce:YAG晶体的光学特性，由于存在严重的激发态吸收，使得Ce:YAG的研究停滞不前[96][97]。尽管1967年，Blasse已经发现Ce:YAG荧光粉[98]具有优良的闪烁性能，但是对其单晶的研究并没有受到足够的重视。一直到1992年[99]，Ce:YAG晶体才被提出用作闪烁材料而引起人们的兴趣。接着，Moszynski[100]和Ludziejewski[101]等人分别于1994年和1997年对Ce:YAG晶体的闪烁性能进行了较为系统的研究，并指出Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。Ce:YAG具有快衰减以及在550nm发射荧光，使得它可以应用于中低能量γ射线α粒子的探测等领域[102]。目前，Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化，主要用于扫描电镜（SEM）的显示部件，其生长方法主要为提拉法。

另外，近年来， Ce:YAG单晶薄膜荧光屏[103]，以及Ce:YAG陶瓷[104][105]等闪烁体由于有其独特的优势也备受人们的关注。

在大多数无机闪烁晶体中，经常显示两个或更多的光衰减时间常数，它们分别对应于快成分和慢成分。BaF2晶体是目前所有无机闪烁晶体中光衰减常数0快(约0.8ns)的闪烁材料。此外，BaF2还具有约600毫微秒的慢分量[5][52][21]。

在许多闪烁计数应用中，不只无机闪烁晶体的光衰减性能特别重要，其光输出性能也同样重要。因此，品质因数(M)通常用于表征无机闪烁晶体的性能，M指光输出与光衰减的比率[13]

一般来说，m值越大意味着检波器的信噪比越好。 Ce: YAP和Ce: YAG.晶体不仅具有高光输出和快衰减的闪烁特性,且其基质晶体还具有优良的物理化学特性.

1.1.1.1.1Ce:YAG闪烁晶体的光谱特征在Ce:YAG晶体中，Ce3+离子取代具有D2对称性的Y3+格位，受晶场的作用，具有4f1电子组态的Ce3+离子的基态劈裂为2F5/2和2F7/2双重态，其5d能态被劈裂为5个子能级，比较低5d子能级距基态约为22000波数。自由Ce3+离子以及在YAG晶场作用下其能级结构如图1-9所示[97]。在Ce:YAG闪烁晶体中，其吸收荧光光谱也属于f－d跃迁，具有宽带快衰减等特征。在大于YAG晶体吸收边（约200nm）在可见光范围可以观察到峰值波长为223nm，340nm，372nm及460nm四个特征吸收峰，分别对应Ce3+离子的4f到5d子能级的跃迁。在室温下，其荧光光谱是一个从500nm到700nm范围的宽带谱，峰值约为525nm，对应比较低5d子能级到2F5/2基态能级[96]。由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。天津CeYAG晶体

Ce:YAG闪烁晶体的生长方向有哪些？中国香港CeYAG晶体市场价格

Ce:YAP晶体中Ce3离子5d4f跃迁对应的荧光光谱为330 ~ 400nm之间的一个带，其峰值约为365 ~ 370nm。Ce3的光致发光强度以单指数形式衰减，其衰减常数在室温下约为16 ns[73]。高能射线和粒子激发产生的闪烁光衰减常数远大于16ns，一般在22-38 ns之间，也有慢成分和强背景[8][70]，如图1-5 [8]。这主要是由于Ce3离子中心电荷载流子的延迟复合。此外，Ce:YAP晶体的吸收光谱和荧光光谱受不同的生长方法和不同的后热处理工艺的影响很大。这主要是由于不同性质的色心的存在和ce离子的价态(Ce4对Ce3有猝灭作用[59])。因此，不同生长方法得到的Ce:YAP晶体的闪烁特性会有所不同。Baryshevsky等人【72】研究了直拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特性，提出了这两种方法中的色心模型真空气氛中生长的晶体的色心是电子俘获色心，即F(VO  2e)和F  (VO  e)。直拉法的色心类型主要是空穴俘获色心，即Vc2-(Vc  h)和Vc-(Vc  2h)，出现在(f  -VC-)的构型中，如下图所示。下图所示光子频率为 1=277 nm， 2=410 nm， 3=602 nm， 4=666 nm， 5=520 nm， 6=615 nm， 7=333 nm。中国香港CeYAG晶体市场价格