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Ce:YAG晶体存在的主要问题除了熔点温度高（1970oC）外，Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~0.1）造成的。发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。研究表明[101]，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。（表中所列光输出是通过比较661.6Kev能量γ射线（137Cs）全能峰的位置与单光电子峰位置获得的，采用XP2020Q光电倍增管记录[101]）。CeYAG晶体可以用在LED照明上吗？超薄片CeYAG晶体供应

Ce:YAP晶体中Ce3+离子5d→4f跃迁对应的荧光谱是一个在330nm~400nm之间的谱带，其峰值约为365－370nm；Ce3+光致激发荧光强度以单指数形式衰减，在室温下其衰减常数约为16ns[73]。当高能射线和粒子激发所产生的闪烁光的衰减常数远大于16ns，一般在22－38ns之间，而且还有慢成分以及较强的背景存在[8][70]，如图1-5所示[8]所示。这主要是由于电荷载流子在Ce3+离子中心的延迟复合所致。

另外，不同生长方法以及不同的后热处理工艺对Ce:YAP晶体的吸收及荧光谱有较大影响。这主要是由于不同生长方法的晶体中存在不同性质的色心以及存在的Ce离子价态（Ce4+对Ce3+有猝灭作用[59]）所致。因此，不同生长方法所获得的Ce:YAP晶体的闪烁性能将不同。Baryshevsky等[72]研究了提拉法和真空水平区熔法生长的YAP和Ce:YAP晶体的光谱特征，提出了这两种方法晶体中存在的色心模型，如图1-6所示[72]。真空气氛获生长的晶体中的色心为电子捕获型色心，即F(VO+2e)和F+(VO+e)等；提拉法中色心类型主要为空穴捕获型色心,即Vc2-(Vc+h)和Vc-(Vc+2h)等，而且以（F＋－Vc-）组态出现 四川质量好CeYAG晶体Ce: YAG（TGT）的切片样品 吗？

铈离子掺杂的铝酸钇（Ce:YAlO3或Ce:YAP）和钇铝石榴石（Ce:Y3Al5O12或Ce:YAG）高温闪烁晶体不仅具有高光输出和快衰减的闪烁特性（见表1－9），而且YAP和YAG基质晶体还具有优良的物理化学特性（基本物理化学特性见表1-10）。它们的缺点是密度低有效原子序数小，但是它们可以广泛应用在中低能量射线和粒子探测领域中[45][49]。Ce:YAP和Ce:YAG是较为典型的两种高光输出快衰减高温无机闪烁晶体，对它们的生长特征、晶体缺陷以及光学闪烁性能等的研究，对研究和探索其它铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有重要借鉴意义

1.1.1.1 Ce:YAG闪烁晶体的研究概况钇铝石榴石(Y3Al5O12或YAG)单晶体是优良的激光基质材料以及光学衬底材料，其中Nd:YAG和Yb:YAG激光晶体已经获得广泛应用。Ce:YAG晶体作为闪烁材料引起人们的注意则是在1992年[81]。Moszynski[82]和Ludziejewski[83]等人分别于1994年和1997年对Ce:YAG晶体的闪烁性能进行了较为系统的研究，并指出Ce:YAG晶体具有优良的闪烁性能。Ce:YAG具有快衰减（80ns）以及在530nm发射荧光，发光波长与硅光电二极管的探测灵敏区匹配，使得它可以应用于中低能量γ射线α粒子的探测等领域[33]。目前，Ce:YAG高温闪烁晶体业已商品化，主要用于扫描电镜（SEM）的显示部件，其生长方法主要为提拉法和温梯法。后期热处理是*次于晶体生长过程的对Ce: YAG发光性能有关键影响的因素。

1.1.1.1Ce:YAG晶体存在的主要问题除了熔点温度高（1970oC）外，Ce:YAG晶体中存在的主要缺点是Ce离子在晶体中的分布不均匀，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)离子的半径相差较大，其分凝系数较小（~0.1）造成的。发光中心分布在晶体中分布不均匀将会导致探测元件闪烁性能的差异，在一定程度上降低了闪烁探测器的整机性能。研究表明[101]，Ce:YAG晶体的闪烁性能对Ce3+离子浓度有较强的依赖关系。下列图表分别表示了Ce:YAG闪烁晶体的光输出和衰减常数(快成分与慢成分)随Ce离子的浓度的变化关系。从表1-12中可以看出随着浓度的增加（0.012%-0.21%），Ce:YAG晶体的光输出增大（1000－1420phe/Mev），当浓度继续增加到1.08%时，其光输出又减小为1270phe/Mev。（表中所列光输出是通过比较661.6Kev能量γ射线（137Cs）全能峰的位置与单光电子峰位置获得的，采用XP2020Q光电倍增管记录[101]）。Ce:yag晶体有111方向的吗？广东CeYAG晶体供应

由于Ce离子分凝系数小，通常在提拉法生长Ce:YAG的后期往往会产生组分过冷而严重影响了Ce:YAG晶体的质量。超薄片CeYAG晶体供应

1.1.1 研究目的铈离子掺杂的高温闪烁晶体具有高光输出快衰减等闪烁特征，是无机闪烁晶体的一个重要发展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中较有优势的晶体。随着应用需求的变化，对闪烁晶体尺寸的要求也在不断增加，生长大尺寸的闪烁晶体变得更为重要。同时国内目前生长的Ce:YAP 晶体普遍存在自吸收问题，导致光产额一直无法有效提高，且其机理至今仍不清楚。为了有效提高Ce:YAP 晶体的闪烁性能，解决其自吸收问题，提高晶体的发光强度，着重研究了Ce:YAP 晶体的自吸收机理。同时为了得到大尺寸高发光效率的Ce:YAG晶体，用温梯法尝试了大尺寸Ce:YAG晶体的生长，并对晶体的比较好热处理条件进行了摸索。本论文主要围绕大尺寸Ce:YAP晶体的生长及其自吸收问题，和温梯法大尺寸Ce:YAG晶体的生长和退火研究，以真正提高晶体的实用性能。  超薄片CeYAG晶体供应