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各楼层直接有高速电梯可达，为了效率和功能隔离，还可能有多部电梯，每部电梯能到的楼层不同——这是集成电路的布线，电源线、地线单独走线，负载大的线也宽；时钟与信号分开；每层之间布线垂直避免干扰；CPU与存储之间的高速总线，相当于电梯，各层之间的通孔相当于电梯间……集成电路或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体装置，也包括被动元件等）小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。集成电路的分类方法众多，根据电路的功能和特性可以分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。NTD3055-150T4G

这些年来，IC持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。NCP2823AFCT2G集成电路技术的不断创新和演进，将为人类社会带来更多科技进步和创新突破。

尽管随机存取存储器结构非常复杂，几十年来芯片宽度一直减少，但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为“die”。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美金，因为大部分操作是自动化的。

随着集成电路的发展，晶体管的数量每两年翻一番，这意味着芯片每单位面积容量也会随之增加。这种技术进步带来的好处是显而易见的，它使得我们能够在更小的空间内存储更多的信息。这种容量增加对于现代科技的发展至关重要，因为它为我们提供了更多的存储空间，使得我们能够存储更多的数据，从而更好地处理和分析这些数据。这种技术进步也使得我们能够制造更小、更轻、更便携的设备，这对于现代人的生活方式来说也是非常重要的。晶体管数量翻倍带来的另一个好处是成本的降低。集成电路产业是一种市场竞争激烈的产业，需要不断开拓市场和拓展业务。

集成电路的低功耗特性是指在电路运行时，电路所消耗的能量非常少。这种低功耗特性可以使得电子设备更加节能环保，同时也可以延长电子设备的使用寿命。此外，低功耗特性还可以降低电路的发热量，减少电子设备的散热负担，从而提高电子设备的稳定性和可靠性。集成电路的低功耗特性是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。它可以使得电子设备更加节能环保，同时也可以延长电子设备的使用寿命。此外，低功耗特性还可以降低电路的发热量，减少电子设备的散热负担，从而提高电子设备的稳定性和可靠性。因此，集成电路的低功耗特性是现代半导体工业主流技术的重要特点之一。模拟集成电路和数字集成电路在功能和应用领域上有所区别，具有更丰富的功能和灵活性。NTD3055-150T4G

硅集成电路是通过将实现某种功能的电路所需的各种元件放在一块硅片上，形成的整体。NTD3055-150T4G

集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特·诺伊斯（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。NTD3055-150T4G