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这些年来，IC持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能－见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每两年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了－单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC不是没有问题，主要是泄漏电流（leakage current）。因此，对于用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图（ITRS）中有很好的描述。集成电路的封装外壳多样化，圆壳式、扁平式和双列直插式是常见的形式。L7810

当然现如今的集成电路，其集成度远非一套房能比拟的，或许用一幢摩登大楼可以更好地类比：地面上有商铺、办公、食堂、酒店式公寓，地下有几层是停车场，停车场下面还有地基——这是集成电路的布局，模拟电路和数字电路分开，处理小信号的敏感电路与翻转频繁的控制逻辑分开，电源单独放在一角。每层楼的房间布局不一样，走廊也不一样，有回字形的、工字形的、几字形的——这是集成电路器件设计，低噪声电路中可以用折叠形状或“叉指”结构的晶体管来减小结面积和栅电阻。L7810集成电路的分类方法众多，根据电路的功能和特性可以分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。

典型的如英国雷达研究所的科学家达默，他在1952年的一次会议上提出：可以把电子线路中的分立元器件，集中制作在一块半导体晶片上，一小块晶片就是一个完整电路，这样一来，电子线路的体积就可很大程度上缩小，可靠性大幅提高。这就是初期集成电路的构想，晶体管的发明使这种想法成为了可能，1947年在美国贝尔实验室制造出来了第1个晶体管，而在此之前要实现电流放大功能只能依靠体积大、耗电量大、结构脆弱的电子管。晶体管具有电子管的主要功能，并且克服了电子管的上述缺点，因此在晶体管发明后，很快就出现了基于半导体的集成电路的构想，也就很快发明出来了集成电路。

氧化工艺是集成电路制造中的基础工艺之一，其作用是在硅片表面形成一层氧化膜，以保护硅片表面免受污染和损伤。氧化膜的厚度和质量对电路的性能和可靠性有着重要的影响。在氧化工艺中，硅片首先被清洗干净，然后放入氧化炉中，在高温高压的氧气环境下进行氧化反应，形成氧化膜。氧化膜的厚度可以通过调节氧化时间和温度来控制。此外，氧化工艺还可以用于形成局部氧化膜，以实现电路的局部隔离和控制。光刻工艺是集成电路制造中较关键的工艺之一，其作用是在硅片表面上形成微小的图案，以定义电路的结构和功能。集成电路的大规模生产和商业化应用标志着现代科技发展的重要里程碑。

集成电路（IC）是现代电子设备中不可或缺的主要部件，其性能和可靠性直接影响着整个系统的稳定性和性能。随着技术的不断进步，IC的制造工艺也在不断升级，从微米级别逐渐向纳米级别发展。然而，随着器件尺寸的不断缩小，IC的泄漏电流问题也日益突出。泄漏电流是指在关闭状态下，由于器件本身的缺陷或制造工艺的不完善，导致电流从源极或漏极流向栅极的现象。泄漏电流的存在会导致功耗增加、温度升高、寿命缩短等问题，严重影响着IC的性能和可靠性。因此，制造商需要采用更先进的几何学来解决这一问题。集成电路技术的不断创新和突破，为电子产品的功能丰富化提供了强有力的支持。L7810

集成电路也被称为微电路、微芯片或芯片，采用半导体晶圆制造方式，将电路组件小型化并集成在一块表面上。L7810

发展趋势：2001年到2010年这10年间，我国集成电路产量的年均增长率超过25%，集成电路销售额的年均增长率则达到23%。2010年国内集成电路产量达到640亿块，销售额超过1430亿元，分别是2001年的10倍和8倍。中国集成电路产业规模已经由2001年不足世界集成电路产业总规模的2%提高到2010年的近9%。中国成为过去10年世界集成电路产业发展较快的地区之一。国内集成电路市场规模也由2001年的1140亿元扩大到2010年的7350亿元，扩大了6.5倍。国内集成电路产业规模与市场规模之比始终未超过20%。如扣除集成电路产业中接受境外委托代工的销售额，则中国集成电路市场的实际国内自给率还不足10%，国内市场所需的集成电路产品主要依靠进口。L7810