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第1个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：1.小规模集成电路：SSI英文全名为Small Scale Integration，逻辑门10个以下或晶体管100个以下。2.中规模集成电路：MSI英文全名为Medium Scale Integration，逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。3.大规模集成电路：LSI英文全名为Large Scale Integration，逻辑门101~1k个或晶体管1，001~10k个。4.超大规模集成电路：VLSI英文全名为Very large scale integration，逻辑门1，001~10k个或晶体管10，001~100k个。5.甚大规模集成电路：ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration，逻辑门10，001~1M个或晶体管100，001~10M个。GLSI英文全名为Giga Scale Integration，逻辑门1，000，001个以上或晶体管10，000，001个以上。集成电路的设计考虑功耗、散热和可靠性等因素，以实现电路的更优性能和稳定性。74F74SJX

随着集成电路的发展，晶体管的数量每两年翻一番，这意味着芯片每单位面积容量也会随之增加。这种技术进步带来的好处是显而易见的，它使得我们能够在更小的空间内存储更多的信息。这种容量增加对于现代科技的发展至关重要，因为它为我们提供了更多的存储空间，使得我们能够存储更多的数据，从而更好地处理和分析这些数据。这种技术进步也使得我们能够制造更小、更轻、更便携的设备，这对于现代人的生活方式来说也是非常重要的。晶体管数量翻倍带来的另一个好处是成本的降低。MC14013BDTR2G集成电路的普及和应用对于现代社会的计算、通信、制造和交通等系统的运行起到了关键的支撑作用。

集成电路检测常识：1、要保证焊接质量，焊接时确实焊牢，焊锡的堆积、气孔容易造成虚焊。焊接时间一般不超过3秒钟，烙铁的功率应用内热式25W左右。已焊接好的集成电路要仔细查看，建议用欧姆表测量各引脚间有否短路，确认无焊锡粘连现象再接通电源。2、不要轻易断定集成电路的损坏，不要轻易地判断集成电路已损坏。因为集成电路绝大多数为直接耦合，一旦某一电路不正常，可能会导致多处电压变化，而这些变化不一定是集成电路损坏引起的，另外在有些情况下测得各引脚电压与正常值相符或接近时，也不一定都能说明集成电路就是好的。因为有些软故障不会引起直流电压的变化。

近几年国内集成电路进口规模迅速扩大，2010年已经达到创纪录的1570亿美元，集成电路已连续两年超过原油成为国内较大的进口商品。与巨大且快速增长的国内市场相比，中国集成电路产业虽发展迅速但仍难以满足内需要求。当前以移动互联网、三网融合、物联网、云计算、智能电网、新能源汽车为表示的战略性新兴产业快速发展，将成为继计算机、网络通信、消费电子之后，推动集成电路产业发展的新动力。工信部预计，国内集成电路市场规模到2015年将达到12000亿元。我国集成电路产业发展的生态环境亟待优化，设计、制造、封装测试以及设备、仪器、材料等产业链上下游协同性不足，芯片、软件、整机、系统、应用等各环节互动不紧密。我国集成电路产业尚需加强与美西方合作，开拓和营造新的市场，推动产业的发展和国际竞争力的提升。

尽管随机存取存储器结构非常复杂，几十年来芯片宽度一直减少，但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为“die”。每个好的die被焊在“pads”上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美金，因为大部分操作是自动化的。集成电路的大规模生产和商业化应用标志着现代科技发展的重要里程碑。MOC3063M

集成电路的设计需要结合电子器件特性和电路运行要求，以实现优良性能和可靠性。74F74SJX

氧化工艺是集成电路制造中的基础工艺之一，其作用是在硅片表面形成一层氧化膜，以保护硅片表面免受污染和损伤。氧化膜的厚度和质量对电路的性能和可靠性有着重要的影响。在氧化工艺中，硅片首先被清洗干净，然后放入氧化炉中，在高温高压的氧气环境下进行氧化反应，形成氧化膜。氧化膜的厚度可以通过调节氧化时间和温度来控制。此外，氧化工艺还可以用于形成局部氧化膜，以实现电路的局部隔离和控制。光刻工艺是集成电路制造中较关键的工艺之一，其作用是在硅片表面上形成微小的图案，以定义电路的结构和功能。74F74SJX