福建膜厚仪一级代理

时间:2021年04月16日 来源:

F60 系列

包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯

型号厚度范围*波长范围

F60-t:20nm-70µm 380-1050nm

F60-t-UV:5nm-40µm 190-1100nm

F60-t-NIR:100nm-250µm 950-1700nm

F60-t-EXR:20nm-250µm 380-1700nm

F60-t-UVX:5nm-250µm 190-1700nm

F60-t-XT0:2µm-450µm 1440-1690nm

F60-t-s980:4µm-1mm 960-1000nm

F60-t-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm

F60-t-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的,或轻度吸收的薄膜。福建膜厚仪一级代理

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参考材料

备用 BK7 和二氧化硅参考材料。

BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜

BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜

REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准

REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。

REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。

REF-Si-22" 单晶硅晶圆

REF-Si-44" 单晶硅晶圆

REF-Si-66" 单晶硅晶圆

REF-Si-88" 单晶硅晶圆

REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片

REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片

REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 福建膜厚仪一级代理可选的厚度和折射率模块让您能够充分利用 Filmetrics F10 的分析能力。

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集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。

故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。

测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度

平台和平台附件标准和**平台。

CS-1可升级接触式SS-3样品台,可测波长范围190-1700nm

SS-36“×6” 样品平台,F20 系统的标准配置。 可调节镜头高度,103 mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-3-88“×8” 样品平台。可调节镜头高度,139mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-3-24F20 的 24“×24” 样品平台。 可调节镜头高度,550mm 进深。 适用所有波长范围。

SS-56" x 6" 吋样品台,具有可调整焦距的反射光学配件,需搭配具有APC接头的光纤,全波长范围使用

样品压重-SS-3-50

样品压重 SS-3 平台, 50mm x 50mm

样品压重-SS-3-110

样品压重 SS-3 平台, 110mm x 110mm

F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行比较低、比较高和平均反射测试。

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FSM 413SP

AND FSM 413C2C 红外干涉测量设备

适用于所有可让红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…………


应用:

   衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)

   平整度

   厚度变化 (TTV)

   沟槽深度

   过孔尺寸、深度、侧壁角度

   粗糙度

薄膜厚度

不同半导体材料的厚度

   环氧树脂厚度

   衬底翘曲度

   晶圆凸点高度(bump height)

MEMS 薄膜测量

TSV 深度、侧壁角度...

FSM413SP半自动机台人工取放芯片

Wafer 厚度3D图形

FSM413C2C Fully

automatic 全自动机台人工取放芯片

可适配Cassette、SMIF POD、FOUP.

紫外光可测试的深度:***的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力。四川膜厚仪供应商

应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响),平整度。福建膜厚仪一级代理

F50 系列

包含的内容:集成光谱仪/光源装置光纤电缆4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准BK7 参考材料整平滤波器 (用于高反射基板)真空泵备用灯

型号 厚度范围*波长范围

F50:20nm-70µm 380-1050nm

F50-UV:5nm-40µm 190-1100nm

F50-NIR:100nm-250µm 950-1700nm

F50-EXR:20nm-250µm 380-1700nm

F50-UVX:5nm-250µm 190-1700nm

F50-XT:0.2µm-450µm 1440-1690nm

F50-s980:4µm-1mm 960-1000nm

F50-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm

F50-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm

额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 福建膜厚仪一级代理

岱美仪器技术服务(上海)有限公司专注技术创新和产品研发,发展规模团队不断壮大。公司目前拥有专业的技术员工,为员工提供广阔的发展平台与成长空间,为客户提供高质的产品服务,深受员工与客户好评。公司以诚信为本,业务领域涵盖半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪,我们本着对客户负责,对员工负责,更是对公司发展负责的态度,争取做到让每位客户满意。公司深耕半导体工艺设备,半导体测量设备,光刻机 键合机,膜厚测量仪,正积蓄着更大的能量,向更广阔的空间、更宽泛的领域拓展。

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