HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片

时间:2021年09月20日 来源:

纳米压印应用一:镜片成型

晶圆级光学(WLO)的制造得到EVG高达300 mm的高精度聚合物透镜成型和堆叠设备的支持。使用从晶片尺寸的主印模复制来的工作印模,通过软UV压印光刻将透镜图案转移到光学聚合物材料中。EV Group提供混合和单片微透镜成型工艺,可以轻松地适应各种材料组合,以用于工作印模和微透镜材料。EVG系统是客户进行大批量晶圆级镜头复制的优先。岱美作为EVG在中国区的代理商,欢迎各位联系我们,探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。


步进重复纳米压印光刻可以从比较大50 mm x 50 mm的小模具到比较大300 mm基板尺寸的大面积均匀复制模板。HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片

HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片,纳米压印

    具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手(包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等),开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形,从而带来更加“物理可控”的生产过程。(来自网络。四川纳米压印三维芯片应用HERCULES®NIL是完全集成的纳米压印光刻解决方案,可实现300 mm的大批量生产。

HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片,纳米压印

NIL已被证明是在大面积上实现纳米级图案的相当有成本效益的方法,因为它不受光学光刻所需的复杂光学器件的限制,并且它可以为极小尺寸(小于100分)提供比较好图案保真度nm)结构。

EVG的SmartNIL是基于紫外线曝光的全场压印技术,可提供功能强大的下一代光刻技术,几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能,因此还可以实现****的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。另外,主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。

新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。

SmartNIL是行业**的NIL技术,可对小于40 nm *的极小特征进行图案化,并可以对各种结构尺寸和形状进行图案化。SmartNIL与多用途软戳技术相结合,可实现****的吞吐量,并具有显着的拥有成本优势,同时保留了可扩展性和易于维护的操作。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期前景,即纳米压印是一种用于大规模制造微米级和纳米级结构的低成本,大批量替代光刻技术。

*分辨率取决于过程和模板


如果需要详细的信息,请联系我们岱美仪器技术服务有限公司。 EVG®770可用于连续重复的纳米压印光刻技术,可进行有效的母版制作。

HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片,纳米压印

      **的衍射波导设计商和制造商WaveOptics***宣布与EV Group(EVG)进行合作,EV Group是晶圆键合和纳米压印光刻设备的**供应商,以带来高性能增强现实( AR)波导以当今业界*低的成本进入大众市场。波导是可穿戴AR的关键光学组件。

      WaveOptics首席执行官David Hayes评论:“这一合作伙伴关系标志着增强现实行业的转折点,是大规模生产高质量增强现实解决方案的关键步骤,这是迄今为止尚无法实现的能力。” EVG的专业知识与我们可扩展的通用技术的结合将使到明年年底,AR终端用户产品的市场价格将低于600美元。“这项合作是释放AR可穿戴设备发展的关键;我们共同处于有利位置,可以在AR中引入大众市场创新,以比以往更低的成本开辟了可扩展性的新途径。” EV Group的一系列高精度热压花系统是基于该公司市场**的晶圆键合技术。微接触纳米压印用途是什么

纳米压印设备哪个好?预墨印章可用于将材料以明显的图案转移到基材上。HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片

纳米压印光刻设备-处理结果:

新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案,并在显示器,生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像

资料来源:EVG与SwissLitho

AG合作(欧盟项目SNM)

2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片

资料来源:EVG

3.高纵横比(7:1)的10 µm柱阵列

由加拿大国家研究委 员会提供

4.L / S光栅具有优化的残留层,厚度约为10 nm

资料来源:EVG

5.紫外线成型镜片300 µm

资料来源:EVG

6.光子晶体用于LED的光提取

多晶硅的蜂窝织构化(mc-Si)

由Fraunhofer ISE提供

7.金字塔形结构50 µm

资料来源:EVG

8.**小尺寸的光模块晶圆级封装

资料来源:EVG

9.光子带隙传感器光栅

资料来源:EVG(欧盟Saphely项目)

10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相

资料来源:EVG HERCULES NIL纳米压印用于生物芯片

信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责