上海键合机质保期多久

GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。上海键合机质保期多久

EVG®6200BA自动键合对准系统 用于晶圆间对准的自动化键合对准系统，用于中等和批量生产 特色 技术数据 EVG键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性，模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。 特征 适用于EVG所有的200mm键合系统 支持蕞/大200mm晶圆尺寸的双晶圆或三晶圆堆叠的键合对准 手动或电动对中平台，带有自动对中选项 全电动高/分辨率底面显微镜 基于Windows的用户界面免税价格键合机优惠价格针对高级封装，MEMS，3D集成等不同市场需求，EVG优化了用于对准的多个键合模块。

临时键合系统：

临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3DIC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。

针对表面带有微结构硅晶圆的封装展开研究，以采用 Ti / Au 作为金属过渡层的硅—硅共晶键合为对象，提出一种表面带有微结构的硅—硅共晶键合工艺，以亲水湿法表面活化处理降低硅片表面杂质含量，以微装配平台与键合机控制键合环境及温度来保证键合精度与键合强度，使用恒温炉进行低温退火，解决键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高，环境要求苛刻的问题。高低温循环测试试验与既定拉力破坏性试验结果表明: 提出的工艺在保证了封装组件封装强度的同时，具有工艺温度低、容易实现图形化、应力匹配度高等优点。以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。

EV Group开发了MLE™（无掩模曝光）技术，通过消 除与掩模相关的困难和成本，满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。 MLE™解决了多功能（但缓慢）的开发设备与快 速（但不灵活）的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案，可同时进行裸片和晶圆级设计，支持现有材料和新材料，并以高可靠性提供高速适应性，并具有多级冗余功能，以提高产量和降低拥有成本（CoO）。

EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求，而且还满足MEMS，生 物医学和印刷电路板制造的要求。 EVG键合机跟应用相对应，键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。辽宁键合机可以免税吗

EVG键合机使用直接（实时）或间接对准方法，能够支持大量不同的对准技术。上海键合机质保期多久

EVG®810LT技术数据

晶圆直径（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp™等离子活化室

工艺气体：2种标准工艺气体（N2和O2）

通用质量流量控制器：自校准（高达20.000sccm）

真空系统：9x10-2mbar

腔室的打开/关闭：自动化

腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）

可选功能：

卡盘适用于不同的晶圆尺寸

无金属离子活化

混合气体的其他工艺气体

带有涡轮泵的高真空系统：9x10-3mbar基本压力

符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统

Si：Si/Si，Si/Si（热氧化，Si（热氧化）/

Si（热氧化）

TEOS/TEOS（热氧化）

绝缘体锗（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半导体：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，环烯烃聚合物

用户可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）

上海键合机质保期多久