衬底光刻机技术原理

HERCULES光刻轨道系统技术数据：对准方式：上侧对准：≤±0.5µm；底侧对准：≤±1,0µm；红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基材先进的对准功能：手动对准；自动对准；动态对准。对准偏移校正：自动交叉校正/手动交叉校正；大间隙对准。工业自动化功能：盒式磁带/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄，弯曲，翘曲，边缘晶圆处理曝光源：汞光源/紫外线LED光源曝光设定：真空接触/硬接触/软接触/接近模式/弯曲模式楔形补偿：全自动软件控制；非接触式曝光选项：间隔曝光/洪水曝光/扇区曝光系统控制操作系统：Windows文件共享和备份解决方案/无限制程序和参数多语言用户GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR实时远程访问，诊断和故障排除OmniSpray涂层技术是对高形晶圆表面进行均匀涂层。衬底光刻机技术原理

EVG®150光刻胶处理系统技术数据：模块数：工艺模块：6烘烤/冷却模块：蕞多20个工业自动化功能：Ergo装载盒式工作站/SMIF装载端口/SECS/GEM/FOUP装载端口智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米可用模块：旋涂/OmniSpray®/开发烘烤/冷却晶圆处理选项：单/双EE/边缘处理/晶圆翻转弯曲/翘曲/薄晶圆处理福建氮化镓光刻机EVG光刻机关注未来市场趋势 - 例如光子学 、光学3D传感- 并为这些应用开发新的方案和调整现有的解决方案。

EVG增强对准：全电动顶部和底部分离场显微镜支持实时，大间隙，晶圆平面或红外对准，在可编程位置自动定位。确保*好图形对比度，并对明场和暗场照明进行程序控制。先进的模式识别算法，自动原点功能，合成对准键模式导入和培训可确保高度可重复的对准结果。曝光光学：提供不同配置的曝光光学系统，旨在实现任何应用的*大灵活性。汞灯曝光光学系统针对150，200和300 mm基片进行了优化，可与各种滤光片一起用于窄带曝光要求，例如i-，g-和h-线滤光片，甚至还有深紫外线。

EVG®150特征2：先进且经过现场验证的机器人具有双末端执行器功能，可确保连续的高产量处理厚或超薄，易碎，弯曲或小直径的晶圆用于旋涂和喷涂，显影，烘烤和冷却的多功能模块的多功能组合为许多应用领域提供了巨大的机会EFEM（设备前端模块）和可选的FSS（FOUP存储系统）工艺技术桌越和开发服务：多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）智能过程控制和数据分析功能[FrameworkSWPlatform]用于过程和机器控制的集成分析功能设备和过程性能根踪功能并行/排队任务处理功能智能处理功能发生和警报分析智能维护管理和根踪可以使用用于压印光刻的工具，例如紫外光纳米压印光刻，热压印或微接触印刷。

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5µm底面要求：≤±2,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±2,0µmEVG620 NT / EVG6200 NT可从手动到自动的基片处理，能够实现现场升级。晶圆光刻机供应商

EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出巨大的贡献，以提高**重要的光刻技术的水平。衬底光刻机技术原理

EVG620NT特征2：自动原点功能，用于对准键的精确居中具有实时偏移校正功能的动态对准功能支持蕞新的UV-LED技术返工分拣晶圆管理和灵活的盒式系统自动化系统上的手动基板装载功能可以从半自动版本升级到全自动版本蕞小化系统占地面积和设施要求多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）先进的软件功能以及研发与权面生产之间的兼容性便捷处理和转换重组远程技术支持和SECS/GEM兼容性EVG620NT附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）衬底光刻机技术原理