原装进口键合机质量怎么样

时间:2022年03月22日 来源:

熔融和混合键合系统:熔融或直接晶圆键合可通过每个晶圆表面上的介电层长久连接,该介电层用于工程衬底或层转移应用,例如背面照明的CMOS图像传感器。混合键合扩展了与键合界面中嵌入的金属焊盘的熔融键合,从而允许晶片面对面连接。混合绑定的主要应用是高级3D设备堆叠。EVG的熔融和混合键合设备包含:EVG301单晶圆清洗系统;EVG320自动化单晶圆清洗系统;EVG810LT低温等离子基活系统;EVG850LTSOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;EVG850SOI和晶圆直接键合自动化生产键合系统;GEMINIFB自动化生产晶圆键合系统;BONDSCALE自动化熔融键合生产系统。EVG501 晶圆键合机系统:真正的低强度晶圆楔形补偿系统,可实现醉高产量;研发和试生产的醉低购置成本。原装进口键合机质量怎么样

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EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。河南键合机保修期多久EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

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EVG®820层压系统 将任何类型的干胶膜(胶带)自动无应力层压到晶圆上 特色 技术数据 EVG820层压站用于将任何类型的干胶膜自动,无应力地层压到载体晶片上。这项独特的层压技术可对卷筒上的胶带进行打孔,然后将其对齐并层压到晶圆上。该材料通常是双面胶带。利用冲压技术,可以自由选择胶带的尺寸和尺寸,并且与基材无关。 特征 将任何类型的干胶膜自动,无应力和无空隙地层压到载体晶片上 在载体晶片上精确对准的层压 保护套剥离 干膜层压站可被集成到一个EVG®850TB临时键合系统 技术数据 晶圆直径(基板尺寸) 高达300毫米 组态 1个打孔单元 底侧保护衬套剥离 层压 选件 顶侧保护膜剥离 光学对准 加热层压

Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统(EVG560®,GEMINI ® 200和300mm配置) 用于3D互连,晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器(面对面,背面,红外和透明对准) 无需Z轴运动,也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧,然后再装入键合室 手动或全自动配置(例如:在GEMINI系统上集成) Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统,EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度:10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站(蕞/大200毫米)或2个FOUP加载端口(300毫米)晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。

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键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的砖用卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。 EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研发的键合机。 晶圆键合类型 ■阳极键合 ■黏合剂键合 ■共熔键合 ■瞬间液相键合 ■热压键合 EVG键合机特征 ■基底高达200mm ■压力高达100kN ■温度高达550°C ■真空气压低至1·10-6mbar ■可选:阳极,UV固化,650℃加热器 EVG键合机加工服务 EVG设备的晶圆加工服务包含如下: ■等离子活化直接键合 ■ComBond® -硅和化合物半导体的导电键合 ■高真空对准键合 ■临时键合和热、机械或者激光剖离 ■混合键合 ■黏合剂键合 ■集体D2W键合业内主流键合机使用工艺:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。实际价格键合机技术支持

EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。原装进口键合机质量怎么样

目前关于晶片键合的研究很多,工艺日渐成熟,但是对于表面带有微结构的硅片键合研究很少,键合效果很差。本文针对表面带有微结构硅晶圆的封装问题,提出一种基于采用Ti/Au作为金属过渡层的硅—硅共晶键合的键合工艺,实现表面带有微结构硅晶圆之间的键合,解决键合对硅晶圆表面要求极高,环境要求苛刻的问题。在对金层施加一定的压力和温度时,金层发生流动、互融,从而形成键合。该过程对金的纯度要求较高,即当金层发生氧化就会影响键合质量。原装进口键合机质量怎么样

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