半导体膜厚仪科研应用

时间:2022年08月24日 来源:

  F20系列是世界上蕞**的台式薄膜厚度测量系统,只需按下一个按钮,不到一秒钟即可同时测量厚度和折射率。设置也非常简单,只需把设备连接到您运行Windows™系统的计算机USB端口,并连接样品平台就可以了。F20系列不同型号的选择,主要取决于您需要测量的薄膜厚度(确定所需的波长范围)。型号厚度范围*波长范围F2015nm-70µm380-1050nmF20-EXR15nm-250µm380-1700nmF20-NIR100nm-250µm950-1700nmF20-UV1nm-40µm190-1100nmF20-UVX1nm-250µm190-1700nmF20-XTµm-450µm1440-1690nm*取决于薄膜种类Filmetrics膜厚测试仪通过分析薄膜的反射光谱来测量薄膜的厚度,通过非可见光的测量,可以测量薄至1nm或厚至13mm的薄膜。测量结果可在几秒钟显示:薄膜厚度、颜色、折射率甚至是表面粗糙度。1.有五种不同波长选择(波长范围从紫外220nm至近红外1700nm)2.蕞大样品薄膜厚度的测量范围是:3nm~25um3.精度高于、氧化物、氮化物;、Polyimides;3.光电镀膜应用:硬化膜、抗反射膜、滤波片。1.光源有寿命,不用时请关闭2.光纤易损,不要弯折,不要频繁插拔3.精密仪器。可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。半导体膜厚仪科研应用

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TotalThicknessVariation(TTV)应用规格:测量方式:红外干涉(非接触式)样本尺寸:50、75、100、200、300mm,也可以订做客户需要的产品尺寸测量厚度:15—780μm(单探头)3mm(双探头总厚度测量)扫瞄方式:半自动及全自动型号,另2D/3D扫瞄(Mapping)可选衬底厚度测量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可选粗糙度:20—1000Å(RMS)重复性:0.1μm(1sigma)单探头*0.8μm(1sigma)双探头*分辨率:10nm请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。光学镀膜膜厚仪应用监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。

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F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率,但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机,以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如,F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – 蕞简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。

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平台和平台附件标准和砖用平台。CS-1可升级接触式SS-3样品台,可测波长范围190-1700nmSS-36“×6”样品平台,F20系统的标准配置。可调节镜头高度,103mm进深。适用所有波长范围。SS-3-88“×8”样品平台。可调节镜头高度,139mm进深。适用所有波长范围。SS-3-24F20的24“×24”样品平台。可调节镜头高度,550mm进深。适用所有波长范围。SS-56"x6"吋样品台,具有可调整焦距的反射光学配件,需搭配具有APC接头的光纤,全波长范围使用样品压重-SS-3-50样品压重SS-3平台,50mmx50mm样品压重-SS-3-110样品压重SS-3平台,110mmx110mm紫外光可测试的深度:有秀的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力。半导体膜厚仪科研应用

一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。半导体膜厚仪科研应用

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍:VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phasesheartechnology)设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...半导体膜厚仪科研应用

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