半导体膜厚仪技术原理

FSM413SPANDFSM413C2C红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...FSM413SP半自动机台人工取放芯片Wafer厚度3D图形FSM413C2CFullyautomatic全自动机台人工取放芯片可适配Cassette、SMIFPOD、FOUP.测量方式: 红外干涉(非接触式)。半导体膜厚仪技术原理

测量有机发光显示器有机发光显示器(OLEDs)有机发光显示器正迅速从实验室转向大规模生产。明亮，超薄，动态的特性使它们成为从手机到电视显示屏的手选。组成显示屏的多层薄膜的精密测量非常重要，但不能用传统接触型的轮廓仪，因为它会破坏显示屏表面。我们的F20-UV，F40-UV，和F10-RT-UV将提供廉价，可靠，非侵入测量原型装置和全像素化显示屏。我们的光谱仪还可以测量大气敏感材料的化学变化。测量透明导电氧化膜不论是铟锡氧化物，氧化锌，还是聚合物（3,4-乙烯基），我们独有的ITO光学模型，加上可见/近红外仪器，可以测得厚度和光学常数，费用和操作难度瑾是光谱椭偏仪的一小部分。研究所膜厚仪技术支持F50-XT测厚范围：0.2µm-450µm；波长：1440-1690nm。

FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。

光源用于一般用途应用之光源L思-DDT2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款HamamatsuD2光源L思-DLED1具有高亮度白光LED的光源光纤配件：CP-RepairToolKitCP-1-1.3接触探头是相当坚固的，但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令，以及简单的维修工具，新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长，直径200um的光纤，两端配备SMA接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32米长，分叉反射探头。监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。

F50系列自动化薄膜测绘FilmetricsF50系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta平台可接受标准和客制化夹盘，样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的，您也可以创造自己的测绘方法，并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。不同的F50仪器是根据波长范围来加以区分的。标准的F50是很受欢迎的产品。一般较短的波长(例如，F50-UV)可用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。高校膜厚仪优惠价格

F30样品层:分子束外延和金属有机化学气相沉积: 可以测量平滑和半透明的，或轻度吸收的薄膜。半导体膜厚仪技术原理

F50系列包含的内容：集成光谱仪/光源装置光纤电缆4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)真空泵备用灯型号厚度范围*波长范围F50：20nm-70µm380-1050nmF50-UV：5nm-40µm190-1100nmF50-NIR：100nm-250µm950-1700nmF50-EXR：20nm-250µm380-1700nmF50-UVX：5nm-250µm190-1700nmF50-XT：0.2µm-450µm1440-1690nmF50-s980：4µm-1mm960-1000nmF50-s1310：7µm-2mm1280-1340nmF50-s1550：10µm-3mm1520-1580nm额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划半导体膜厚仪技术原理

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