晶圆膜厚仪

时间:2022年11月08日 来源:

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业,而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。测量范例氮化硅薄膜作为电介质,钝化层,或掩膜材料被广泛应用于半导体产业。这个案例中,我们用F20-UVX成功地测量了硅基底上氮化硅薄膜的厚度,折射率,和消光系数。有趣的事,氮化硅薄膜的光学性质与薄膜的分子当量紧密相关。使用Filmetrics专有的氮化硅扩散模型,F20-UVX可以很容易地测量氮化硅薄膜的厚度和光学性质,不管他们是富硅,贫硅,还是分子当量。基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多数金属) 上的话,一般不能测量薄膜的折射率。晶圆膜厚仪

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F10-AR易于使用而且经济有效地分析减反涂层和镜头上的硬涂层F10-AR是测试眼科减反涂层设计的仪器。虽然价格大达低于当今绝大多数同类仪器,应用几项技术,F10-AR使线上操作人员经过几分钟的培训,就可以进行厚度测量。在用户定义的任何波长范围内都能进行蕞低、蕞高和平均反射测试。我们有专门的算法对硬涂层的局部反射失真进行校正。我们独有的AutoBaseline能极大地增加基线间隔,提供比其它光纤探头反射仪高出五倍的精确度。利用可选的UPG-F10-AR-HC软件升级能测量0.25-15um的硬涂层厚度。在减反层存在的情况下也能对硬涂层厚度进行测量。 中科院膜厚仪免税价格F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行蕞低、蕞高和平均反射测试。

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FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍:VITE是傅里叶频域技术,利用近红外光源的相位剪切技术(Phasesheartechnology)设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料:硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...

FSM360拉曼光谱系统FSM紫外光和可见光拉曼系统,型号360FSM拉曼的应用l局部应力;l局部化学成分l局部损伤紫外光可测试的深度优袖的薄膜(SOI或Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力可见光可测试的深度良好的厚样以及多层样品的局部应力系统测试应力的精度小于15mpa(0.03cm-1)全自动的200mm和300mm硅片检查自动检验和聚焦的能力。以上的信息比较有限,如果您有更加详细的技术问题,请联系我们的技术人员为您解答。或者访问我们的官网了解更多信息。F30-UV测厚范围:3nm-40µm;波长:190-1100nm。

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参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片只需按下一个按钮,您在不到一秒钟的同时测量厚度和折射率。上海膜厚仪厂家

F40-EXR范围:20nm-120µm;波长:400-1700nm。晶圆膜厚仪

F50系列自动化薄膜测绘FilmetricsF50系列的产品能以每秒测绘两个点的速度快速的测绘薄膜厚度。一个电动R-Theta平台可接受标准和客制化夹盘,样品直径可达450毫米。(耐用的平台在我们的量产系统能够执行数百万次的量测!)測绘圖案可以是极座標、矩形或线性的,您也可以创造自己的测绘方法,并且不受测量点数量的限制。內建数十种预定义的测绘圖案。不同的F50仪器是根据波长范围来加以区分的。标准的F50是很受欢迎的产品。一般较短的波长(例如,F50-UV)可用于测量较薄的薄膜,而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 晶圆膜厚仪

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