天津键合机推荐型号

时间:2022年12月06日 来源:

晶圆级封装在封装方式上与传统制造不同。该技术不是将电路分开然后在继续进行测试之前应用封装和引线,而是用于集成多个步骤。在晶片切割之前,将封装的顶部和底部以及焊锡引线应用于每个集成电路。测试通常也发生在晶片切割之前。像许多其他常见的组件封装类型一样,用晶圆级封装制造的集成电路是一种表面安装技术。通过熔化附着在元件上的焊球,将表面安装器件直接应用于电路板的表面。晶圆级组件通常可以与其他表面贴装设备类似地使用。例如,它们通常可以在卷带机上购买,以用于称为拾取和放置机器的自动化组件放置系统。EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。天津键合机推荐型号

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晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前,通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势,该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片,称为晶圆,这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后,将它们封装成单独的组件,然后将焊料引线施加到封装上。官方键合机可以试用吗旋涂模块-适用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圆键合之前施加粘合剂层。

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EVG®301技术数据晶圆直径(基板尺寸):200和100-300毫米清洁系统开室,旋转器和清洁臂腔室:由PP或PFA制成(可选)清洁介质:去离子水(标准),其他清洁介质(可选)旋转卡盘:真空卡盘(标准)和边缘处理卡盘(选件),由不含金属离子的清洁材料制成旋转:蕞高3000rpm(5秒内)超音速喷嘴频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:30-60W去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效清洁区域:Ø4.0mm材质:聚四氟乙烯兆声区域传感器频率:1MHz(3MHz选件)输出功率:蕞大2.5W/cm²有效面积(蕞大输出200W)去离子水流量:蕞高1.5升/分钟有效的清洁区域:三角形,确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质:不锈钢和蓝宝石刷子材质:PVA可编程参数:刷子和晶圆速度(rpm)可调参数(刷压缩,介质分配)

EVG®520IS晶圆键合机系统:单腔或双腔晶圆键合系统,用于小批量生产。EVG520IS单腔单元可半自动操作ZUI大200mm的晶圆,适用于小批量生产应用。EVG520IS根据客户反馈和EVGroup的持续技术创新进行了重新设计,具有EVGroup专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如独LI的顶侧和底侧加热器,高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势,为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。特征:全自动处理,手动装卸,包括外部冷却站兼容EVG机械和光学对准器单室或双室自动化系统全自动的键合工艺执行和键合盖移动集成式冷却站可实现高产量选项:高真空能力(1E-6毫巴)可编程质量流量控制器集成冷却技术数据ZUI大接触力10、20、60、100kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准:1E-5mbar可选:1E-6mbar针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。

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EVG®560自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,用于大批量生产特色技术数据EVG560自动化晶圆键合系统蕞多可容纳四个键合室,并具有各种键合室配置选项,适用于所有键合工艺和蕞/大300mm的晶圆。EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。特征全自动处理,可自动装卸键合卡盘多达四个键合室,用于各种键合工艺与包括Smaiew的EVG机械和光学对准器兼容同时在顶部和底部快速加热和冷却自动加载和卸载键合室和冷却站远程在线诊断技术数据蕞/大加热器尺寸150、200、300毫米装载室使用5轴机器人蕞/高键合模块4个。LowTemp™等离子基活模块-适用于GEMINI和GEMINI FB等离子基活,用于PAWB(等离子基活的晶圆键合)。湖南价格怎么样键合机

EVG500系列键合机拥有多种键合方法,包括阳极,热压缩,玻璃料,环氧树脂,UV和熔融键合。天津键合机推荐型号

BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用,包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法,例如单片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中,并帮助解决内部设备和系统路线图(IRDS)中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术,与现有的熔融键合平台相比,BONDSCALE大da提高了晶圆键合生产率,并降低了拥有成本(CoO)。天津键合机推荐型号

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