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晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。EVG501 晶圆键合机系统：真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现ZUI高产量；研发和试生产的醉低购置成本。官方键合机免税价格
二、EVG501晶圆键合机特征：带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）可选涡轮泵（<1E-5mbar）可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护兼容试生产需求：同类产品中的蕞低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统：0.8㎡程序与EVGHVM键合系统完全兼容以上产品由岱美仪器供应并提供技术支持。宁夏键合机国内用户EVG键合机软件，支持多语言，集成错误记录/报告和恢复和单个用户帐户设置，可以简化用户常规操作。
该技术用于封装敏感的电子组件，以保护它们免受损坏，污染，湿气和氧化或其他不良化学反应。阳极键合尤其与微机电系统（MEMS）行业相关联，在该行业中，阳极键合用于保护诸如微传感器的设备。阳极键合的主要优点是，它可以产生牢固而持久的键合，而无需粘合剂或过高的温度，而这是将组件融合在一起所需要的。阳极键合的主要缺点是可以键合的材料范围有限，并且材料组合还存在其他限制，因为它们需要具有类似的热膨胀率系数-也就是说，它们在加热时需要以相似的速率膨胀，否则差异膨胀可能会导致应变和翘曲。而EVG的键合机所提供的技术能够比较有效地解决阳极键合的问题，如果需要了解，请点击：键合机。
键合对准机系统 1985年，随着世界上di一个双面对准系统的发明，EVG革新了MEMS技术，并通过分离对准和键合工艺在对准晶圆键合方面树立了全球行业标准。这种分离导致晶圆键合设备具有更高的灵活性和通用性。EVG的键合对准系统提供了蕞/高的精度，灵活性和易用性以及模块化升级功能，并且已经在众多高通量生产环境中进行了认证。EVG键对准器的精度可满足蕞苛刻的对准过程。包含以下的型号：EVG610BA键合对准系统；EVG620BA键合对准系统；EVG6200BA键合对准系统；SmartViewNT键合对准系统；晶圆键合机（系统）EVG®510 ，拥有150、200mm晶圆单腔系统 ；拥有EVG®501 键合机所有功能。
共晶键合［8，9］是利用某些共晶合金熔融温度较低的特点，以其作为中间键合介质层，通过加热熔融产生金属—半导体共晶相来实现。因此，中间介质层的选取可以很大程度影响共晶键合的工艺以及键合质量。中间金属键合介质层种类很多，通常有铝、金、钛、铬、铅—锡等。虽然金—硅共熔温度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶体的一种成分即为预键合材料硅本身，可以降低键合工艺难度，且其液相粘结性好，故本文采用金—硅合金共晶相作为中间键合介质层进 行表面有微结构的硅—硅共晶键合技术的研究。而金层与 硅衬底的结合力较弱，故还要加入钛金属作为黏结层增强金层与硅衬底的结合力，同时钛也具有阻挡扩散层的作用， 可以阻止金向硅中扩散［10，11］。晶圆级涂层、封装，工程衬底zhi造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。山东键合机
EVG所有键合机系统都可以通过远程通信。官方键合机免税价格
真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 清洁站 清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选） 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：ZUI高3000rpm（5s） 清洁臂：蕞多5条介质线（1个超音速系统使用2条线） 可选功能 ISO3mini-environment（根据ISO14644） LowTemp™等离子活化室 红外检查站 以上资料由岱美仪器提供并做技术支持官方键合机免税价格
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