膜厚仪样机试用

技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度。F20-UV测厚范围：1nm - 40µm；波长：190-1100nm。膜厚仪样机试用

    氚灯电脑要求60mb硬盘空间50mb空闲内存usb接口电源要求100-240vac,50-60hz,a选配以下镜头，就可在F20的基础上升级为新一代的F70膜厚测量仪。镜头配件厚度范围(Index=)精度光斑大小UPG-F70-SR-KIT15nm-50μmnm标配mm(可选配下至20μm)LA-CTM-VIS-1mm50μmmμm5μm150μmmμm10μm产品应用，在可测样品基底上有了极大的飞跃：●几乎所有材料表面上的镀膜都可以测量，即使是药片，木材或纸张等粗糙的非透明基底。●玻璃或塑料的板材、管道和容器。●光学镜头和眼科镜片。Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右Filmetrics光学膜厚测量仪经验**无出其右。 重庆膜厚仪推荐产品Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。

FSM413MOT红外干涉测量设备：适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...如果您想了解更多关于FSM膜厚仪的技术问题，请联系我们岱美仪器。

接触探头测量弯曲和难测的表面CP-1-1.3测量平面或球形样品，结实耐用的不锈钢单线圈。CP-1-AR-1.3可以抑制背面反射，对1.5mm厚的基板可抑制96%。钢制单线圈外加PVC涂层，ZUI大可测厚度15um。CP-2-1.3用于探入更小的凹表面，直径17.5mm。CP-C6-1.3探测直径小至6mm的圆柱形和球形样品外侧。CP-C12-1.3用于直径小至12mm圆柱形和球形样品外侧。CP-C26-1.3用于直径小至26mm圆柱形和球形样品外侧。CP-BendingRod-L350-2弯曲长度300mm，总长度350mm的接触探头。用于难以到达的区域，但不会自动对准表面。CP-ID-0to90Deg-2用于食品和饮料罐头内壁的接触探头。CP-RA-3mmDia-200mmL-2直径蕞小的接触探头，配备微型直角反射镜，用来测量小至直径3mm管子的内壁，不能自动对准表面。CP-RA-10mmHigh-2配备微型直角反射镜，可以在相隔10mm的两个平坦表面之间进行测量。红外干涉测量技术，非接触式测量。

TotalThicknessVariation(TTV)应用规格:测量方式:红外干涉(非接触式)样本尺寸:50、75、100、200、300mm，也可以订做客户需要的产品尺寸测量厚度:15—780μm(单探头)3mm(双探头总厚度测量)扫瞄方式:半自动及全自动型号,另2D/3D扫瞄(Mapping)可选衬底厚度测量:TTV、平均值、*小值、*大值、公差...可选粗糙度:20—1000Å(RMS)重复性:0.1μm(1sigma)单探头*0.8μm(1sigma)双探头*分辨率:10nm请访问我们的中文官网了解更多关于本产品的信息。F30测厚范围：15nm-70µm；波长：380-1050nm。膜厚仪样机试用

可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。膜厚仪样机试用

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!膜厚仪样机试用