晶片轮廓仪用途

轮廓仪在集成电路的应用封装Bump测量视场：72*96（um）物镜：干涉50X检测位置：样品局部面减薄表面粗糙度分析封装：300mm硅片背面减薄表面粗糙度分析面粗糙度分析：2D,3D显示；线粗糙度分析：Ra,Ry，Rz，…器件多层结构台阶高MEMS器件多层结构分析、工艺控制参数分析激光隐形切割工艺控制世界为一的能够实现激光槽宽度、深度自动识别和数据自动生成，大达地缩短了激光槽工艺在线检测的时间，避免人工操作带来的一致性，可靠性问题欢迎咨询。轮廓仪可以用于测量产品的尺寸、形状和曲率，以确保产品符合设计要求。晶片轮廓仪用途

1.3.培训计划在完成系统布线并开始设备安装后，即向甲方和业主介绍整个系统的概况及性能、特点、设备布置情况和相互之间的关系等，让甲方和业主对整个系统有一个权面的认识。在整个系统验收前后，安排有关人员在进行培训。1.4.培训形式公司指派技术人员向相关人员讲解系统的原理、功能、操作及维修保养要点；向受训学员提供和解释有关设计文件及图纸等资料，使学员对系统的各个方面都能熟练掌握；针对系统的具体操作一一指导，使相关人员掌握技术要领；对学员提出的问题进行详细解答；晶圆片轮廓仪试用每个共焦图像是通过样品的形貌的水平切片，在不同的焦点高度捕获图像产生这样的图像的堆叠。

表面三维微观形貌测量的意义在生产中，表面三维微观形貌对工程零件的许多技术性能的评家具有蕞直接的影响，而且表面三维评定参数由于能更权面，更真实的反应零件表面的特征及衡量表面的质量而越来越受到重视，因此表面三维微观形貌的测量就越显重要。通过兑三维形貌的测量可以比较权面的评定表面质量的优劣，进而确认加工方法的好坏以及设计要求的合理性，这样就可以反过来通过知道加工，优化加工工艺以及加工出高质量的表面，确保零件使用功能的实现。表面三位微观形貌的此类昂方法非常丰富，通常可分为接触时和非接触时两种，其中以非接触式测量方法为主。

共聚焦显微镜方法共聚焦显微镜包括LED光源、旋转多真孔盘、带有压电驱动器的物镜和CCD相机。LED光源通过多真孔盘（MPD）和物镜聚焦到样品表面上，从而反射光。反射光通过MPD的真孔减小到聚焦的部分落在CCD相机上。传统光学显微镜的图像包含清晰和模糊的细节，但是在共焦图像中，通过多真孔盘的操作滤除模糊细节（未聚焦），只有来自聚焦平面的光到达CCD相机。因此，共聚焦显微镜能够在纳米范围内获得高分辨率。每个共焦图像是通过样品的形貌的水平切片，在不同的焦点高度捕获图像产生这样的图像的堆叠，共焦显微镜通过压电驱动器和物镜的精确垂直位移来实现。200到400个共焦图像通常在几秒内被捕获，之后软件从共焦图像的堆栈重建精确的三维高度图像。轮廓仪对载物台xy行程为140*110mm（可扩展），Z向测量范围ZUI大可达10mm。

白光干涉轮廓仪对比激光共聚焦轮廓仪白光干涉3D显微镜：干涉面成像，多层垂直扫描蕞好高度测量精度：<1nm高度精度不受物镜影响性价比好。激光共聚焦3D显微镜：点扫描合成面成像，多层垂直扫描Keyence（日本）蕞好高度测量精度：～10nm高度精度由物镜决定，1um精度@10倍90万-130万三维光学轮廓仪采用白光轴向色差原理（性能优于白光干涉轮廓仪与激光干涉轮廓仪）对样品表面进行快速、重复性高、高分辨率的三维测量，测量范围可从纳米级粗糙度到毫米级的表面形貌，台阶高度，给MEMS、半导体材料、太阳能电池、医疗工程、制药、生物材料，光学元件、陶瓷和先进材料的研发和生产提供了一个精确的、价格合理的计量方案。（来自网络）我们的表面三位微观形貌的此类方法非常丰富，通常分为接触时和非接触时两种，其中以非接触式测量方法为主。重庆轮廓仪厂家

在结构上，轮廓仪基本上都是台式的，而粗糙度仪以手持式的居多，当然也有台式的。晶片轮廓仪用途

轮廓仪的性能测量模式：移相干涉（PSI），白光垂直扫描干涉（VSI），单色光垂直扫描干涉（CSI）样品台：150mm/200mm/300mm样品台（可选配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，倾斜：±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素：标配：1280×960视场范围：560×750um（10×物镜）具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统：同轴照明无限远干涉成像系统光源：高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦（可选电动聚焦）Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描，拓展达10mm)纵向分辨率＜0.1nmRMS重复性*0.005nm，1σ台阶测量**准确度≤0.75％；重复性≤0.1%，1σ横向分辨率≥0.35um（100倍物镜）检测速度≤35um/sec,与所选的CCD晶片轮廓仪用途