辽宁BONDSCALE键合机

SmartView®NT自动键合对准系统，用于通用对准。全自动键合对准系统，采用微米级面对面晶圆对准的专有方法进行通用对准。用于通用对准的SmartViewNT自动键合对准系统提供了微米级面对面晶圆级对准的专有方法。这种对准技术对于在lingxian技术的多个晶圆堆叠中达到所需的精度至关重要。SmartView技术可以与GEMINI晶圆键合系统结合使用，以在随后的全自动平台上进行长久键合。特征：适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠。 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的zhuan用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。辽宁BONDSCALE键合机

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。欢迎咨询岱美了解更多 陕西EVG6200键合机EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征：在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径（基板尺寸）：200、300毫米ZUI高数量或过程模块8通量每小时ZUI多40个晶圆处理系统4个装载口特征：多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp™等离子活化模块，对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现ZUI高吞吐量光学边缘对准模块：Xmax/Ymax=18µm3σ 

引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中，这是因为其成本效率高且易于应用。在ZUI佳环境中，每秒ZUI多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。尽管球形键合的ZUI佳选择是纯金，但由于铜的相对成本和可获得性，铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置，以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形，因此得名。当铜用于球焊时，氮气以气态形式使用，以防止在引线键合过程中形成氧化铜。EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。

Smart View NT键合机特征 适合于自动化和集成EVG键合系统（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互连，晶圆级封装和大批量MEMS器件的晶圆堆叠 通用键合对准器（面对面，背面，红外和透明对准） 无需Z轴运动，也无需重新聚焦 基于Windows的用户界面 将键对对准并夹紧，然后再装入键合室手动或全自动配置（例如：在GEMINI系统上集成） Smart View ® NT选件 可以与EVG组合® 500系列晶圆键合系统，EVG ® 300系列清洁系统和EVG ®有带盒对盒操作完全自动化的晶圆到晶圆对准动作EVG810 LT等离子体系统 技术数据 基板/晶圆参数 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆叠高度：10毫米 自动对准 标准 处理系统 3个纸盒站（蕞/大200毫米）或2个FOUP加载端口（300毫米）EVG键合机提供的加工服务。GEMINI键合机供应商家

EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。辽宁BONDSCALE键合机

1)由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时，解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。2)由高低温循环测试结果可以看出，该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境，且具有工艺温度低，容易实现图形化，应力匹配度高等优点。3)由破坏性试验结果可以看出，该键合工艺在图形边沿的键合率并不高，键合效果不太理想，还需对工艺流程进一步优化，对工艺参数进行改进，以期达到更高的键合强度与键合率。 辽宁BONDSCALE键合机