晶片膜厚仪技术支持

显微镜转接器F40系列转接器。Adapter-BX-Cmount该转接器将F40接到OlympusBX或MX上而不必使用Olympus价格较贵的c-mount转接器。MA-Cmount-F20KIT该转接器将F20连接到显微镜上(模仿F40，光敏度低5倍)，包括集成摄像机、光纤、TS-Focus-SiO2-4-10000厚度标准、F40软件，和F40手册。软件升级：UPG-RT-to-Thickness升级的厚度求解软件，需要UPG-Spec-to-RT。UPG-Thickness-to-n&k升级的折射率求解软件，需要UPG-RT-to-Thickness。UPG-F10-AR-HC为F10-AR升级的FFT硬涂层厚度测量软件。包括TS-Hardcoat-4um厚度标准。厚度测量范围0.25um-15um。UPG-RT-to-Color&Regions升级的色彩与光谱区域分析软件，需要UPG-Spec-to-RT 。F30-UV测厚范围：3nm-40µm；波长：190-1100nm。晶片膜厚仪技术支持

样品视频包括硬件和照相机的F20系统视频。视频实时显示精确测量点。 不包括SS-3平台。SampleCam-sXsX探头摄像机包含改装的sX探头光学配件，但不包含平台。StageBase-XY8-Manual-40mm8“×8” 样品平台，具有SS-3镜头与38mm的精密XY平移聚焦平台。能够升级成电动测绘与自动对焦。StageBase-XY10-Auto-100mm10“×10” 全电动样品平台。可以进行100mm高精度XY平移，包括自动焦距调节。SS-Microscope- UVX-1显微镜（15倍反射式物镜）及X-Y平台。 包含UV光源与照明光纤。SS-Microscope- EXR-1显微镜包含X- Y平台及照明光纤. 需另选购物镜. 通常使用显微镜内建照明。SS-Trans-Curved用于平坦或弯曲表面的透射平台，包括光纤，和 F10-AR 一起使用。 波长范围 250nm -2500nm。T-1SS-3 平台的透射测量可选件。包括光纤、平台转接器和平台支架。 用于平坦的样品。WS-300用于小于 300mm 样品的平移旋转平台。衬底膜厚仪测样膜厚仪是一种用于测量薄膜或涂层的厚度的仪器。

生物医疗设备涂层应用生物医疗器械应用中的涂层生物医疗器械的制造和准备方面会用到许多类型的涂层。有些涂层是为了保护设备免受腐蚀，而其他的则是为了预防组织损伤、敢染或者是排异反应。药物传输涂层也变得日益普通。其它生物医学器械，如血管成型球囊，具有读立的隔膜，必须具有均匀和固定的厚度才能正常工作。这些涂层厚度的测量方法各不相同，但有一件事是确定的。使用普通方法(例如，在涂层前后称某一部分的重量)，无法检测到会导致器械故障的涂层不完全覆盖或涂层的不均匀性等问题。

F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可马上提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。F10-AR在用户定义的任何波长范围内都能进行蕞低、蕞高和平均反射测试。

参考材料备用BK7和二氧化硅参考材料。BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜REF-Al-1mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-Al-3mmSubstrate基底-高反射率铝基准REF-BK71½"x1½"BK7反射基准。REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英，用于双界面基准。REF-Si-22"单晶硅晶圆REF-Si-44"单晶硅晶圆REF-Si-66"单晶硅晶圆REF-Si-88"单晶硅晶圆REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片F20-EXR测厚范围：15nm - 250µm；波长：380-1700nm。衬底膜厚仪测样

膜厚仪是一种用于测量薄膜或涂层的厚度的仪器.晶片膜厚仪技术支持

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度晶片膜厚仪技术支持