EVG501键合机有哪些应用

EVG®850DB自动解键合机系统全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆特色技术数据在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。特征在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片自动清洗解键合晶圆程序控制系统实时监控和记录所有相关过程参数自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面适用于不同基板尺寸的桥接工具功能模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量技术数据晶圆直径（基板尺寸）高达300毫米高达12英寸的薄膜面积组态解键合模块清洁模块薄膜裱框机选件ID阅读多种输出格式高形貌的晶圆处理翘曲的晶圆处理 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺，这对于当今和未来的器件制造是至关重要。EVG501键合机有哪些应用

晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 青海晶片键合机EVG键合机晶圆加工服务包含如下： ComBond® - 硅和化合物半导体的导电键合、等离子活化直接键合。

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。欢迎咨询岱美了解更多

焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后，将超声波能量施加到表面上，并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍，但它也被认为是更稳定的连接，并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊，因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化，并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接，这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。 EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。

ComBond自动化的高真空晶圆键合系统，高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键合特色技术数据，EVGComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到膏端MEMS封装，高性能逻辑和“beyondCMOS” 器件ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的键合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温键合，这些金属在周围环境中会迅速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的键合界面以及出色的键合强度。晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合设备。陕西EVG850 DB键合机

烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。EVG501键合机有哪些应用

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并蕞小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。” EVG501键合机有哪些应用