宁夏GEMINI键合机

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。欢迎咨询岱美了解更多 业内主流键合机使用工艺：黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩。宁夏GEMINI键合机

引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中，这是因为其成本效率高且易于应用。在ZUI佳环境中，每秒ZUI多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。尽管球形键合的ZUI佳选择是纯金，但由于铜的相对成本和可获得性，铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置，以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形，因此得名。当铜用于球焊时，氮气以气态形式使用，以防止在引线键合过程中形成氧化铜。 宁夏SmartView NT键合机清洁模块-适用于GEMINI和GEMINI FB，使用去离子水和温和的化学清洁剂去除颗粒。

焊使用工具将导线施加到微芯片上时对其产生压力。将导线牢固地固定到位后，将超声波能量施加到表面上，并在多个区域中建立牢固的结合。楔形键合所需的时间几乎是类似球形键合所需时间的两倍，但它也被认为是更稳定的连接，并且可以用铝或其他几种合金和金属来完成。不建议业余爱好者在未获得适当指导的情况下尝试进行球焊或楔焊，因为焊线的敏感性和损坏电路的风险。已开发的技术使这两个过程都可以完全自动化，并且几乎不再需要手工完成引线键合。蕞终结果是实现了更加精确的连接，这种连接往往比传统的手工引线键合方法产生的连接要持久。 

表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。EVG键合机软件是基于Windows的图形用户界面的设计，注重用户友好性，可轻松引导操作员完成每个流程步骤。

EVG®520IS晶圆键合系统■拥有EVG®501和EVG®510键合机的所有功能■200mm的单个或者双腔自动化系统■自动晶圆键合流程和晶圆替代转移■集成冷却站，实现高产量EVG®540自动键合系统■300mm单腔键合室■自动处理多达4个键合卡盘■模块化键合室■自动底侧冷却EVG®560自动晶圆键合系统■多达4个键合室，满足各种键合操作■自动装卸键合室和冷却站■远程在线诊断■自动化机器人处理系统，用于机械对准的自动盒式磁带晶圆键合■工作站式布局，适用于所有键合工艺的设备配置EVG®GEMINI®自动化生产晶圆键合系统在蕞小的占地面积上，同时利用比较/高精度的EVGSmaiewNT技术，前/列的GEMINI大批量生产系统，并结合了自动光学对准和键合操作。有关更多详/细信息，请参阅我们的GEMINI手册。EVG键合机可配置为黏合剂，阳极，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬态液相）和金属扩散/热压缩工艺。EVG850 DB键合机微流控应用

除了支持3D互连和MEMS制造，晶圆级和先进封装外，EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发，中试和批量生产。宁夏GEMINI键合机

EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 宁夏GEMINI键合机