江西检测设备价格

时间:2022年01月17日 来源:

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太阳能EL缺点探测器检测太阳能电池模块的裂纹、碎片、焊点、断闸和不同转换效率的单电池的异常。太阳能电池片有单晶硅片和多晶硅片,由于生产过程中制造条件的随机性,在生产过程中存在一些缺点。EL探伤仪采用红外测试方法对电池组件进行测试,实现EL成像模式,检测电池芯片组件内部是否存在电池破裂、开裂、黑芯片、严重断闸、焊料断裂、焊破、焊破等缺点。然后进入下一个过程,因为电源发出的光与PN结中的离子浓度有很大的关系,所以根据EL计算机反射的图像可以判断硅片内部是否异常。从而保证了太阳能电池组件的质量。宁夏外观检测仪厂家上海欧普泰科技创业股份有限公司是一家专业提供检测的公司,有需求可以来电咨询!

电位诱发衰减效应是电池组件长期在高电压作用下,使玻璃、封装材料之间存在漏电流,大量电荷狙击在电池片表面,使得电池表面的钝化效果恶化,导致组件性能低于设计标准。PID现象严重时,会引起一块组件功率衰减50%以上,从而影响整个组串的功率输出。一是系统设计原因:光伏电站的防雷接地是通过将方阵边缘的组件边框接地实现的,这就造成在单个组件和边框之间形成偏压,组件所处偏压越高则发生PID现象越严重。对于P型晶硅组件,通过有变压器的逆变器负极接地,消除组件边框相对于电池片的正向偏压会有效的预防PID现象的发生,但逆变器负极接地会增加相应的系统建设成本;二是光伏组件原因:高温、高湿的外界环境使得电池片和接地边框之间形成漏电流,封装材料、背板、玻璃和边框之间形成了漏电流通道。通过使用改变绝缘胶膜乙烯醋酸乙烯酯(EVA)是实现组件抗PID的方式之一,在使用不同EVA封装胶膜条件下,组件的抗PID性能会存在差异。三是电池片原因:电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率等对PID性能都有着不同的影响。上述引起PID现象的三方面中,由在光伏系统中的组件边框与组件内部的电势差而引起的组件PID现象被行业所公认。

缺点种类一:黑心片EL照片中黑心片是反映在通电情况下电池片中心一圈呈现黑域,该部分没有发出1150nm的红外光,故红外相片中反映出黑心,此类发光现象和硅衬底少数载流子浓度有关。这种电池片中心部位的电阻率偏高。缺点种类二:黑团片多晶电池片黑团主要是由于硅片供应商一再缩短晶体定向凝固时间,熔体潜热释放与热场温度梯度失配导致硅片内部位错缺点。缺点种类三:黑斑片黑斑片一般是由于硅料受到其他杂质污染所致。通常少数载流子的寿命和污染杂质含量及位错密度有关。黑斑中心区域位错密度>107个/cm2,黑斑边缘区域位错密度>106个/cm2均为标准要求的1000~10000倍这是相当大的位错密度。缺点种类四:短路黑片缺点种类五:非短路黑片电池片黑片有两种,全黑的我们称之为短路黑片,通常是由于焊接造成的短路或者混入了低效电池片造成的。而边缘发亮的黑片我们称之为非短路黑片,这种电池片大多产生于单面扩散工艺或是湿法刻蚀工艺,单面扩散放反导致在背面镀膜印刷,造成是PN结反,也就是我们通常所说的N型片,这种电池片会造成IV测试曲线呈现台阶,整个组件功率和填充因子都会受到较大影响。上海欧普泰科技创业股份有限公司致力于提供检测,欢迎您的来电!

发光成像方法为太阳电池缺点检测提供了一种非常好的解决方案,这种检测技术使用方便,类似的二维化面检测。本文讨论的是光致发光技术在检测晶体Si太阳电池上的应用。光致发光(photoluminescence,PL)检测过程大致包括激光被样品吸收、能量传递、光发射及CCD成像四个阶段。通常利用激光作为激发光源,提供一定能量的光子,Si片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态,处于激发态的电子属于亚稳态,在短时间内会回到基态,并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。利用冷却的照相机镜头进行感光,将图像通过计算机显示出来。发光的强度与本位置的非平衡少数载流子的密度成正比,而缺点处会成为少数载流子的强复合中心,因此该区域的少数载流子密度变小导致荧光效应减弱,在图像上表现出来就成为暗色的点、线,或一定的区域,而在电池片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此,通过观察光致发光成像能够判断Si片或电池片是否存在缺点。检测,就选上海欧普泰科技创业股份有限公司,用户的信赖之选,有需要可以联系我司哦!宁夏光伏检测仪价格

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组件发展的宗旨是减少封装损失,提高组件单位面积发电效率。目前有两个组件技术,一是提高发电功率如多主栅组件和半片组件,二是提高发电密度如叠瓦组件。多主栅技术通过增加电池片上主栅数量提升了受光面积;使电池片上电阻、电流分布更加均匀,从而降低阻抗损失。半片组件技术是将传统电池片一切为二,不改变后续组件制备工艺。其增效原理是通过降低电路电流来减少电阻损失。叠瓦组件是将电池切片后,按照叠瓦的设计将一个切片电池的边缘叠盖在另一个切片的边缘。其使用导电胶实现切片电池直接衔接导电,摒弃传统组件利用焊带方式的间距衔接导电。相比较而言,半片在技术上相对更容易控制,设备投资门槛较低,不少厂商将导入半片组件,大厂将会大量提升半片产能,预期很快能成为主流产品之一。多主栅也是未来的重点趋势,但短期内难以形成规模。叠片技术的技术及资金门槛更高,发展要比半片和多主栅技术更缓慢。江西检测设备价格

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