天津防雷压敏电阻价格

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

压敏电阻器特点：

各种直径尺寸：SMD、5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm；

可变电阻电压范围：18V-1800V；

多种浪涌承受能力：标准、高浪涌、超高浪涌；

大电流处理和能量吸收能力；

单体通流量可达到70KA甚至更高；

快反应时间；

低泄露电流；

多种引线形式：直、弯和其他特殊引线类型；

多种包装形式：散装、卷装包装、卷包装； 压敏电阻在选购过程中需要注意什么。天津防雷压敏电阻价格

压敏电阻是一种能够随着外部压力的变化而改变电阻值的电子元件。它具有体积小、重量轻、响应速度快、寿命长等特点，在电子领域中得到了广泛的应用。

压敏电阻型号及参数

25D封装系列压敏电阻  压敏电压：200 ~ 1100V  承受浪涌电流：15000 ~ 18000A  芯片直径：25mm  响应时间＜25ns  压敏电阻25D封装包含型号有：25D201K、25D221K、25D241K、25D271K、25D301K、25D331K、25D361K、25D391K、25D431K、25D471K、25D511K、25D561K、25D621K、25D681K、25D751K、25D781K、25D821K、25D911K、25D102K、25D112K 河北过压保护压敏电阻秦淮区有压敏电阻靠谱的经销商吗？

压敏电阻器防雷的特点：

1、由于压敏电阻避雷器不需要串联间隙，因此结构简单、体积小、重量轻、寿命长。

2、性能稳定。由于压敏电阻避雷器没有间隙，不存在间隙放电电压受外界因素影响的问题，也不存在间隙放电分散性和误动等问题。

3、制造方便，适用于自动化批量生产。

4、便于制成直流避雷器。由于它没有间隙，不产生电弧，且具有良好的非线性电阻特性，使制造直流避雷器的困难迎刃而解。

5、保护性能好。压敏电阻避雷器的保护性能与间隙的放电电压无关，由阀片冲击残压决定。而氧化锌阀片残压又较低，所以保护性能好。

6、可以承受多重雷击。在雷电流通过金属氧化物避雷器之后，没有工频续流通过，所以通过避雷器的能量大为减少，因此它能承受多重雷击。

7、通流能力大。金属氧化物避雷器通流能力比碳化硅避雷器强，当单片氧化锌阀片通流容量不能满足时，除可以将阀片直径加大外，还可以采用多支避雷器并联，以提高通流容量。

8、压敏电阻的非线性特性较差（动态电阻较大）。

9、大电流时限制电压（箝位电压）较高。

10、低电压时漏电流较大，较易老化。

压敏电阻的测量

1．压敏电阻器单独测量通常压敏电阻具有良好的非线性，即阻值随所加电压的增加而减少。且具有双向电流特性。测量时，将万用表置于R×1k挡，测其两引脚之间的正反向绝缘电阻，均为无穷大，否则说明漏电流过大。如果所测电阻过小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。可以用数字万用表测量压敏电阻。

2．压敏电阻器在线测量因压敏电阻器单独测量时，用R×1k挡测量，其正反向电阻值均为无穷大。在线测量时，若没有元件与之并联，用R×1k挡测量，其在线阻值仍然为无穷大，若阻值偏小，说明压敏电阻损坏，不能使用。若有其他元件与之并联，测得的在线电阻就不是压敏电阻的实际阻值，而是与其他元件的并联阻值，且不为无穷大 压敏电阻怎么选择_压敏电阻作用是什么？

压敏电阻击穿后是开路还是短路？

当压敏电阻受到较高的外电压时，其会发生击穿现象，电路中的电流会短时大幅度增加。针对这一问题，有些人认为压敏电阻击穿后会导致电路短路，而另一些人则认为会导致电路开路。那么，到底是哪种情况呢？

事实上，压敏电阻在击穿后既不是开路也不是短路。正常情况下，压敏电阻的阻值很高，可以近似看做开路状态。但当电压高于某一特定值时，压敏电阻会发生击穿现象，阻值变得非常小，形成一个较低阻值的电路通路。因此，我们不能简单地把击穿后的压敏电阻看做开路或者短路，而是应该视为近似于一个较低阻值的元器件。 是一种具有非特性伏安特性的电阻器件。江苏全系列压敏电阻批发厂家

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压敏电阻在电路中怎么接

压敏电阻作为保护类电子元器件，常用于电源过压保护和稳压，应用压敏电阻这一性能，可在电子和电气设备短路时起到保护作用，那么压敏电阻在电路中怎么接？

1、电源线之间或电源线和大地之间的连接：具有代表性的应用场合类型，广泛应用于防雷防浪涌系统之中；2、负荷中的连接：主要用于感性负载突然断开引起的感应脉冲进行吸收，从而保护电路中元件免破坏；3、接点间的连接：防止感应电荷开关接点被电弧烧坏的情况发生，一般与接点并联接入压敏电阻；4、用于半导体器件的保护连接：主要用于可控硅、大功率三极管等半导体器件的有效保护；

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