广东直销瓷片电容制造厂家
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIA RS-198。
优点:稳定，绝缘性好，耐高压
缺点:容量比较小
陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。广东直销瓷片电容制造厂家
对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象
我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰
耦合用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路 广东**瓷片电容信赖推荐特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。
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高压瓷片电容103M-2KV是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有低损耗、耐高压、寿命长、高频等特征。
高压瓷片电容103M-2KV的参数规格：
型号：103M-2KV
介质材料：陶瓷(瓷介)
应用范围：高压
外形：圆片形
功率特征：大功率
频率特征：高频
调节方式：微调
引线类型:同向引出线
容差:10~ 20%
耐压值:1000
标称容量:2KV/103
额定电压:2000V
损耗:0.01%
安装类型:直插
温度范围：-40℃~105℃
高压瓷片电容103M-2KV的应用：
广泛应用于负离子产品、激光、x光机、控测设备、高压包、点火器、变压器、电力设备、倍压模块、焊机、静电喷涂及其他需要高压高频的机电设备。
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MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本.主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。
直插瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法，色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)，微法 (μF)/mju:/，纳法(nF)，皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V，容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示，字母表示法：1F=1000 μF 1P2=1.2PF 1nF=1000PF。数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。 高压瓷片电容相信接触过电容器的人都很熟悉。
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MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本.主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。
直插瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法，色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)，微法 (μF)/mju:/，纳法(nF)，皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V，容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示，字母表示法：1F=1000 μF 1P2=1.2PF 1nF=1000PF。数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。 优点：稳定，绝缘性好，耐高压。广东官方瓷片电容的用途和特点
电性能稳定，温度影响较小。广东直销瓷片电容制造厂家
瓷片电容以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，外壳是陶瓷的，用来绝缘。又称圆片瓷介电容。
瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于你使用在什么场合，其中典型作用就是可以消除高频干扰。
瓷片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在着对应关系，主要分为三大类别：
一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，瓷片电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 广东直销瓷片电容制造厂家
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