杭州射频电磁场抗扰度实验

时间:2021年10月19日 来源:

  模拟雷电击到配电设备时,在输电线路中感应产生的浪涌电压,或雷电落地后雷电流通过公共地电阻产生的反击高压,的脉冲产生电路。4kV时的单脉冲能量为100焦耳。图中Cs是储能电容(大约为10uF,相当于雷云电容);Us为高压电源;Rc为充电电阻;Rs为脉冲持续时间形成电阻(放电曲线形成电阻);Rm为阻抗匹配电阻Ls为电流上升形成电感。雷击浪涌抗扰度试验对不同产品有不同的参数要求,上图中的参数可根据产品标准要求不同,稍有改动。基本参数要求:(1)开路输出电压:0.5~6kV,分5等级输出,一级由用户与制造商协商确定;(2)短路输出电流:0.25~2kA,供不同等级试验用;(3)内阻:2欧姆,附加电阻10、12、40、42欧姆,供其它不同等级试验用;(4)浪涌输出极性:正/负;浪涌输出与电源同步时,移相0~360度;(5)重复频率:至少每分钟一次。射频传导抗扰度测试标准是 IEC61000-4-6、GB T 17626.6。杭州射频电磁场抗扰度实验

  电子设备雷击浪涌抗扰度试验标准:(1)雷电击中外部线路,有大量电流流入外部线路或接地电阻,因而产生的干扰电压。(2)间接雷击(如云层间或云层内的雷击)在外部线路上感应出电压和电流。(3)雷电击中线路邻近物体,在其周围建立的强大电磁场,在外部线路上感应出电压。(4)雷电击中邻近地面,地电流通过公共接地系统时所引进的干扰。上海三基电子工业有限公司是上海电器科学研究所(集团)有限公司的全资子公司,其前身是上海电器科学研究所的EMC实验室,创建于1962年。创办于1992年,是一家专业从事电磁兼容测试仪器、开关电源等产品的设计、生产以及服务的高科技公司,是国内拥有3C认可研发的实验室公司。西北静电抗扰度试验射频电磁场辐射抗扰度试验目的:评价电子产品抗辐射的能力。

    静电放电抗扰度实验室试验的配置及气候环境:实验室的地面应设置接地参考平面,它应是一种较小厚度为,其他金属材料虽可使用它们至少有。接地参考面的较小尺寸1m²,实际的尺寸取决于受试设备的尺寸,而且每边至少应伸出受试设备或耦合板之外,并将它与保护接地系统相连。受试设备与实验室墙壁和其他金属性结构之间的距离较小1m。规定有耦合板的地方,例如允许采用间接放电的地方,这些耦合板采用和接地参考面相同的金属和厚度,而且每断带有一个470kΩ电阻的电缆与接地参考平面连接,当电缆置于接地参考平面上时,这些电阻器应耐受住放电电压且具有良好的绝缘,以避免对接地参考平面的短路,也可以防止静电电荷的积累。

  静电放电抗扰度试验,静电放电的起因有多种,但GB/T17626.2-2006主要描述在低湿度情况下,通过摩擦等因素,使人体积累了电荷。当带有电荷的人与设备接触时,就可能产生静电放电。静电放电抗扰度试验较新标准GB/T17626.2-2006 等同于IEC61000-4-2:2001。静电放电抗扰度试验目的:试验单个设备或系统的抗静电干扰的能力。它模拟:(1)操作人员或物体在接触设备时的放电。(2)人或物体对邻近物体的放电。静电放电可能产生的如下后果:(1)直接通过能量交换引起半导体器件的损坏。(2)放电所引起的电场与磁场变化,造成设备的误动作。浪涌(冲击)抗扰度试验 执行标准:IEC 61000-4-5 GB/T 17626.5。

  雷击浪涌是由于闪电、电子电气开关动作时而产生瞬态高压或大电流现象,几乎所有的电子电气设备都会受到浪涌的影响。CWS600G/800G组合波雷击浪涌模拟器是为了模拟浪涌脉冲干扰现象而专门设计的一款gao duan测试设备,性能完全满足欧盟CE认证及CCC认证对单相受试设备的抗扰度测试要求,通过自动控制外置的耦合/去耦网络,对三相受试设备进行测试,选配所需附件,也可用来满足脉冲磁场抗扰度测试等需求。雷击浪涌抗扰度试验标准:EN/IEC61000-4-5、EN/IEC61000-4-9、IEC/EN61326、IEC60255-22-5、IEC61850-3、GB/T17626.5、UL1449、ITU-TK.20、ITU-TK.12、ITU-TK.45传统的数字语音回放系统包含两个主要过程是什么?深圳射频传导抗扰度试验

工频磁场抗扰度测试中的参考接地板与实验室的安全地在一起。杭州射频电磁场抗扰度实验

    漏感是如何形成的呢?紧密绕制,且绕满一周的环形线圈,即使没有磁芯,其所有磁通都集中在线圈“芯”内。但是,如果环形线圈没有绕满一周,或者绕制不紧密,那么磁通就会从芯中泄漏出来。这种效应与线匝间的相对距离和螺旋管芯体的磁导率成正比。共模扼流圈有两个绕组,这两个绕组被设计成使它们所流过的电流沿线圈芯传导时方向相反,从而使磁场为0。如果为了安全起见,芯体上的线圈不是双线绕制,这样两个绕组之间就有相当大的间隙,自然就引起磁通“泄漏”,这即是说,磁场在所关心的各个点上并非真正为0。共模扼流圈的漏感是差模电感。事实上,与差模有关的磁通必须在某点上离开芯体,换句话说,磁通在芯体外部形成闭合回路,而不仅只只局限在环形芯体内。 杭州射频电磁场抗扰度实验

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