BZV85-C20
二极管的响应速度非常快,可以跟上高频率的电流变化。这使得它在高频电路、数字信号处理等领域具有广泛的应用。而随着技术的不断进步,新型的二极管材料和结构也不断涌现,为电子技术的发展注入了新的活力。除了在专业领域的应用,二极管还在日常生活中发挥着重要作用。例如,许多家用电器中都使用了二极管来保护电路,延长设备的使用寿命。正是这些看似微不足道的二极管,默默地守护着我们的生活安全。可以说,二极管的出现,为电子技术的发展奠定了基础。而在未来,随着科技的进步,二极管还将继续发挥其独特的作用,为人类创造更加美好的生活。高频二极管和低频二极管的区别及参数分析。BZV85-C20
二极管
整流、开关二极管主要参数:1)导通压降VFVF为二极管正向导通时二极管两端的压降,当通过二极管的电流越大,VF越大;当二极管温度越高时,VF越小。(2)反向饱和漏电流IR(Reversecurrent)指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。少子的漂移运动导致的,尽量选择该值小的二极管。(3)额定整流电流IF(Averageforwardcurrent)指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。这个是选取二极管电流的主要参数(4)**平均整流电流IO(RectifiedCurrent(Average),)在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的**值。这个是整流电路比较看重的值。(5)**浪涌电流IFSM(PeakForwardSurgeCurren)允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。(6)**反向峰值电压VRM(Non-RepetitivePeakReverseVoltage)避免击穿所能加的**反向电压,这个电压是不重复的,是一个瞬态值。除了这个值外还有一个重复的反向峰值电压VRRM,这个值是等于直流下的**反向电压VR的。 BSN20BKR 其他被动元件二极管-可控电子-专业生产厂家。
二极管PN结形成原理:P型半导体是在本征半导体(一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体)掺入少量三价元素杂质,如硼等。因硼原子只有三个价电子,它与周围的硅原子形成共价键,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空位,当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位,使硼原子成了不能移动的负离子,而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。[6]N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子,如磷等。掺入后,它与硅原子形成共价键,产生了自由电子。在N型半导体中,电子为多数载流子,空穴为少数载流子。[6]因此,在本征半导体的两个不同区域掺入三价和五价杂质元素,便形成了P型区和N型区,根据N型半导体和P型半导体的特性,可知在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差异,电子和空穴都要从浓度高的区域向浓度低的区域扩散,它们的扩散使原来交界处的电中性被破坏。
二极管有多种类型,如普通二极管、肖特基二极管、发光二极管(LED)等。每种二极管都有其独特的特性和应用。例如,肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度,适用于高频电路;而LED则能将电能转换为光能,广泛应用于照明和显示领域。二极管的发展经历了多个阶段,从早期的晶体二极管到现代的半导体二极管,其性能和可靠性不断提高。随着材料科学和制造技术的进步,二极管的尺寸不断缩小,性能不断优化,为电子技术的发展奠定了坚实基础。二极管包含有PIN 二极管TVS 二极管/ESD 抑制器。
在电子技术飞速发展的如今,二极管作为基础的电子元件,发挥着不可替代的作用。它仿佛电子世界的守护者,默默地守护着电路的安全。二极管是由半导体材料制成的电子器件,具有单向导电性。其重要特点是只允许电流在一个方向上流动,有效防止电流的反向流动,从而保护电路免受反向电压的损害。这一特性使得二极管在各种电路中得以广泛应用。在交流电的世界里,二极管的作用尤为突出。当交流电的正负半周到来时,二极管能够快速响应,确保电流始终沿着一个方向流动。这不仅简化了电路设计,还很大程度上提高了电路的效率和稳定性。整流二极管的选择和代换?NZH7V5C,115 稳压(齐纳)二极管 SOD123F
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二极管特性参数:反向特性外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被**破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 BZV85-C20
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