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    DS2782美信电量计芯片IICSTM32/STM8/51单片机C代码DS2782测量可充电锂离子和锂离子聚合物电池的电压、温度和电流，并估算其可用电量。电量计算所需的电池特性参数和应用参数存储在片内EEPROM中。通过可用电量寄存器，向主系统报告在当前的温度、放电速率、存储电荷和应用参数下，可供系统使用的电荷量的一个保守估计。估计电量以剩余mAh数和满容量的百分比的形式报告。MAX4699ETE+MAX20087ATPA/VY+DS8500-JND+MAX20088ATPA/VY+MAX20412AJD/VDS4832T+TMAXQ1744DS4830AT+TMAX17113ETL+MAX9880AETM+MAX2142GM/VMAX2142GM/VMAX96912EGTM/VYMAX96755RGTN/VMAX14819AATMMAX2137ETN/VMAX96934DGGE/VMAX35103EHJMAX14803CCM+MAX4968AECM+MAX5452EUB+TDS3502U+T&。 大电流整流二极管,选择安世半导体,高质量供应商。74AHC595PW

    整流、开关二极管主要参数：1）导通压降VFVF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。（2）反向饱和漏电流IR（Reversecurrent）指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。少子的漂移运动导致的，尽量选择该值小的二极管。（3）额定整流电流IF（Averageforwardcurrent）指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。这个是选取二极管电流的主要参数（4）**平均整流电流IO（RectifiedCurrent(Average),）在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的**值。这个是整流电路比较看重的值。（5）**浪涌电流IFSM（PeakForwardSurgeCurren）允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。（6）**反向峰值电压VRM（Non-RepetitivePeakReverseVoltage）避免击穿所能加的**反向电压，这个电压是不重复的，是一个瞬态值。除了这个值外还有一个重复的反向峰值电压VRRM，这个值是等于直流下的**反向电压VR的。 XC7SH08GV二极管就选华芯源电子-专业定制二极管。

    二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。二极管的电路符号如图1所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。[5]当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 双极晶体管、二极管与整流器、晶体管、晶闸管都属于二极管。

    二极管的基本原理：二极管是一种基本的电子元件，其重要特性是单向导电性。它由半导体材料制成，通常是硅或锗，内部有一个PN结。当正向偏置时，即P区接正极、N区接负极，二极管导通，电流可以顺畅通过；而反向偏置时，二极管截止，几乎不导电。这种特性使得二极管在整流、检波、稳压等电路中发挥着重要作用。二极管的历史发展：二极管的发明是电子学发展史上的重要里程碑。早期的二极管采用矿石晶体或金属触点，性能不稳定。随着半导体材料的发现和研究，硅和锗等半导体二极管逐渐取代了早期产品。现代二极管制造工艺先进，体积小、性能稳定，已成为电子设备中不可或缺的元件。稳压二极管型号大全？74AHC595PW

二极管的种类和应用_二极管种类。74AHC595PW

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是一开始诞生的半导体器件之一，其应用非常多。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。 74AHC595PW