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    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件[1]。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开[2]。二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管是一开始诞生的半导体器件之一，其应用非常多。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能[3]。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。 二极管在发光二极管（LED）中的应用，使得现代照明技术更加节能高效。STB141NF55-1

    当二极管正向偏置时，即P区接正极，N区接负极，外部电场与PN结内建电场方向相反。此时，PN结变窄，多数载流子扩散运动增强，形成较大的扩散电流，即正向电流。二极管导通，电阻很小，相当于一根导线。反之，当二极管反向偏置时，PN结变宽，多数载流子扩散运动被抑制，反向电流很小，二极管截止。这种特性使得二极管在电路中可以作为整流、检波、稳压等应用的关键元件。在现代电子电路中，二极管的应用非常普遍。例如，在电源电路中，二极管可以将交流电转换为直流电；在信号处理电路中，二极管可以检波或调制信号；在保护电路中，二极管可以防止电流反向流动，保护其他电子元件不受损坏。IPA65R190E6二极管在电子设备中广泛应用，如电视机、计算机等。

    整流、开关二极管主要参数：1）导通压降VFVF为二极管正向导通时二极管两端的压降，当通过二极管的电流越大，VF越大；当二极管温度越高时，VF越小。（2）反向饱和漏电流IR（Reversecurrent）指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。少子的漂移运动导致的，尽量选择该值小的二极管。（3）额定整流电流IF（Averageforwardcurrent）指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。这个是选取二极管电流的主要参数（4）**平均整流电流IO（RectifiedCurrent(Average),）在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的**值。这个是整流电路比较看重的值。（5）**浪涌电流IFSM（PeakForwardSurgeCurren）允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。（6）**反向峰值电压VRM（Non-RepetitivePeakReverseVoltage）避免击穿所能加的**反向电压，这个电压是不重复的，是一个瞬态值。除了这个值外还有一个重复的反向峰值电压VRRM，这个值是等于直流下的**反向电压VR的。

    二极管的工作原理的理解，对于电子爱好者来说至关重要。它的重要结构包括P型半导体和N型半导体，二者之间形成一个PN结。在PN结中，由于两种半导体的特性差异，会产生一个电场，这个电场会阻止电流的自由流动。然而，当在二极管两端施加足够大的正向电压时，电场被克服，电流得以通过；而施加反向电压时，电场加强，电流几乎无法通过。这种特性使得二极管在电路中能够起到限流、稳压的作用，保护其他元件免受电流过大的损害。随着科技的不断发展，二极管的应用领域也在不断拓宽。从一开始的收音机、电视机等家电产品，到如今的计算机、手机等高科技产品，都离不开二极管的身影。同时，随着新材料、新工艺的不断涌现，二极管的性能也在不断提升。例如，某些特殊类型的二极管具有更高的开关速度、更低的功耗、更好的稳定性等特点，为电子设备的性能提升提供了有力支持。 二极管是电子电路的重要元件，具有单向导电性，应用普遍。

    二极管是一种基本的电子元件，具有单向导电性。它由P型半导体和N型半导体组成，中间形成一个PN结。当正向偏置时，即P区接正极，N区接负极，二极管导通，电流可以流过；而反向偏置时，二极管截止，几乎不导电。这种特性使得二极管在整流、开关等电路中有着广泛应用。整流电路是将交流电转换为直流电的电路，二极管在其中起着关键作用。在整流过程中，二极管利用其单向导电性，只允许电流在一个方向上通过，从而将交流电的负半周“翻转”为正半周，实现整流。这种整流方式在电源电路、电子设备中非常普遍。二极管虽小，但它在现代电子设备中发挥着巨大作用。IPA65R190E6

在数字电路中，二极管常被用作逻辑门的基本组件，实现信号的逻辑运算。STB141NF55-1

    二极管特性参数：反向特性外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被**破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。 STB141NF55-1