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所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。由于他只有导通和关断两种工作状态，所以晶闸管具有开关特性，这也就是晶闸管的作用。晶闸管在工作过程中，它的阳极（A）和阴极（K）与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。晶闸管为半控型电力电子器件，它的工作条件如下：1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2.晶闸管承受正向阳极电压时，在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。这时晶闸管处于正向导通状态，这就是晶闸管的闸流特性，即可控特性。3.晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不论门极电压如何，晶闸管保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。门极只起触发作用。4.晶闸管在导通情况下，当主回路电压（或电流）减小到接近于零时，晶闸管关断。4全控型晶闸管的工作条件：1.晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于反向阻断状态。2.晶闸管承受正向阳极电压时，在门极承受正向电压。晶闸管的作用也越来越全。湖北脉冲可控硅（晶闸管）原厂原盒

 可控硅有多种分类方法。按关断QS3861QG、导通及控制方式不同，可控硅可以分为普通单向可控硅、双向可控硅、特种可控硅，特种可控硅又分为逆导型可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅及光控可控硅等多种；按电流容量大小不同，可控硅可分为大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅；按引脚和极性不同可控硅可分为二极可控硅、三极可控硅管和四极可控硅管；按封装形式不同，可控硅管可分为金属封装可控硅管、塑封可控硅管和陶瓷封装可控硅管三种类型（金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种，塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种）；按关断速度不同，可控硅管可分为普通可控硅管和高频（快速）可控硅管。

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可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类。从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机**模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等；

在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用.可控硅的优点很多，例如:以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍;反应极快，在微秒级内开通、关断;无触点运行，无火花、无噪音;效率高，成本低等等.可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通.要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。

这对晶闸管是非常危险的。开关引起的冲击电压分为以下几类：（1）AC电源被切断过电压而产生例如，交流以及开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压，这些系统过电压问题由于我国变压器内部绕组的分布进行电容、漏抗造成的谐振控制回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地，开闭运动速度越来越快过电压能力越高，在空载情况下可以断开回路设计将会有更高的过电压。（2）直流侧产生的过电压如果截止电路的电感很大或者截止电路的电流值很大，就会产生较大的过电压。这种情况经常出现在切断负荷、导通晶闸管开路或快速熔断器熔断时，引起电流突变。（3）换相冲击电压包括换相过电压和换相振荡过电压。换相过电压是由于晶闸管的电流降为0时器件内部各结层残存载流子复合所产生的，所以又叫载流子积蓄效应引起的过电压。换相过电压之后，出现换相振荡过电压，它是由于电感、电容形成共振产生的振荡电压，其值与换相结束后的反向电压有关。反向电压越高，换相振荡过电压也越大。针对形成过电压的不同原因，可以采取不同的抑制方法，如减少过电压源，并使过电压幅值衰减；抑制过电压能量上升的速率，延缓已产生能量的消散速度，增加其消散的途径。普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。内蒙古脉冲可控硅（晶闸管）MACMIC原装现货

根据晶闸管的工作特性，常见的应用就是现场用的不间断应急灯。湖北脉冲可控硅（晶闸管）原厂原盒

载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。[5]二极管反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和高反向电压作用过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5uA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。[4]二极管动态电阻二极管特性曲线静态工作点附近电压的变化与相应电流的变化量之比。[4]二极管电压温度系数电压温度系数指温度每升高一摄氏度时的稳定电压的相对变化量。[4]二极管高工作频率高工作频率是二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。所以高工作频率的值主要取决于PN结结电容的大小。若是超过此值。则单向导电性将受影响。湖北脉冲可控硅（晶闸管）原厂原盒