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    根据电动机靠绕组结构不同，主要分为两大类：1、定子绕组形成磁极来区分，2定子绕组的形状与嵌装布线方式区分，下面逐一介绍：一、三项异步电机以定子绕组形成磁极来区分在这其中，根据定子绕组根据电动机的磁极数与绕组分布形成实际磁极数的关系，可分为显极式与庶极式两种类型。1.显极式绕组每组线圈形成一个磁极，线圈的磁极数等于线圈数。在显极式绕组中，为了达到磁极N/S相互间隔的目的，各个相邻的线圈的电流方向必须相反，所以连接方式为头接头尾接尾也叫反接串联方式。2.庶极式绕组在该种绕制方式中，每组线圈必须激励2个磁极，磁极数为线圈数目的两倍，其原因是：因为另半数磁极由线圈产生磁极的磁力线共同形成。在该种绕制方式中，每个线圈所激励的磁极方向相同，所以每个绕组种电流方向是相同的，所以连接方式为首尾相接，这种方式叫做顺接串联方式。二、三项异步电动机靠定子绕组的形状与嵌装布线方式区分在这种方式下，又能分为集中式绕组和分布式绕组1.集中式绕组这种绕组一般来讲非常简单，**有几个矩形线框构成。然后包上沙质绷带，然后在浸入油漆烘干定型固定在铁芯上。一般情况直流电机采用这样的方式2.分布式绕组一般来讲才用该种绕组方式的电机定子。云南电子线圈厂家批发

电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL,单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL折叠品质因素品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即:Q=XL/R。

线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。折叠分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

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    根据待测中间继电器线圈的散射参数中相角为0时的个频率与正常中间继电器线圈相角为零对应的频率的距离，确定中间继电器线圈软故障的严重程度，所述距离与中间继电器线圈软故障的严重程度成正比。作为推荐，s1及s2中的散射参数的获取方法：将矢量网络分析仪接在中间继电器线圈的两个供电引脚，使用矢量网络分析仪给中间继电器的线圈施加激励信号，采集散射参数，在散射参数中辨识出相频特性中相角为零时对应的频率。作为推荐，设定矢量网络分析仪给中间继电器的线圈施加激励信号的上限及下限，中间继电器的相频特性中相角为零时对应的频率处于所述上限及下限的中间。作为推荐，所述s13和s2中采用系统聚类法进行聚类。作为推荐，所述s1包括：s11、准备一批完好无损的中间继电器，直接测量中间继电器得到的散射参数；s12、对一组完好无损的中间继电器线圈进行人为破坏，模拟使用过程中出现的软故障的情况，或找到一组线圈软故障的中间继电器，测量中间继电器的散射参数；s13、对s11和s12中的散射参数进行聚类，获得两类，一类为a组样本数据，另一类为b组样本数据。本发明的有益效果，本发明通过分析中间继电器线圈的散射参数。

    二)技术方案为实现上述发热效果均匀且防辐射效果好的目的，本实用新型提供如下技术方案：一种阵列电磁线圈盘，包括安装板，所述安装板的正面开设有安装槽，所述安装槽的内部固定安装有六个线圈隔断条，所述安装槽的内部通过六个线圈隔断条分割为十六个发热槽，所述发热槽的内部均固定安装有环形线圈模块，所述环形线圈模块位于线圈隔断条的内侧，所述环形线圈模块由七个电磁线圈组成，七个所述电磁线圈依次电连接，所述环形线圈模块的外侧固定安装有防辐射外环，所述防辐射外环与环形线圈模块的连接设置有隔热圈，所述隔热圈的内侧固定连接于环形线圈模块的外侧，所述隔热圈的外侧固定连接于防辐射外环的内侧，十六个所述环形线圈模块均固定连接有导线，十六个所述环形线圈模块通过导线串联，所述导线与环形线圈模块电连接，所述导线贯穿线圈隔断条串联于十六个环形线圈模块，所述安装板的顶部开设有电源孔，所述电源孔的底部连通安装槽的顶部，所述电源孔的内部设置有外接线，所述外接线依次贯穿防辐射外环和隔热圈并延伸至隔热圈的内侧，所述外接线的底部固定连接于其正下方的环形线圈模块内。推荐的，所述线圈隔断条包括横向隔断条与纵向隔断条。

    电动车无刷电机控制器短路的工作模型解决方案：温升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间工作温度越高短路保护时间就应该越短1短路模型及分析短路模型如图1所示，其中*画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，*经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。2计算合理的保护时间在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同。四川电子线圈性价比

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    导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。云南电子线圈厂家批发

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