贵州传感器线圈用途
利用所施加的线圈延伸,在步骤1208中,使用作用在线圈1316所有点上的适当的位移函数,使正弦形线圈1316沿y方向变形,如迹线1312。给定这些设置,在步骤1210中,算法计算通孔的位置。根据在步骤1202中指定的信息并且为了消除先前提到的信号失配,而建立通孔位置1308。每当一个线圈中的通孔比另一个线圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即,不对称)时,就会出现电压失配。所导致的电压失配是当目标移动时正弦信号相对于余弦信号的较大峰峰值幅度(反之亦然)。为了实现减少电压失配的目标,通孔的设计方式是使sin(1316)rx线圈和cos(1318)rx线圈在pcb底部中的部分的长度相同。此外,通孔相对于设计的对称中心是对称的。在步骤1212中,定义正弦接收线圈迹线和余弦接收线圈迹线。在一些实施例中,使用一维模型来定义迹线。在步骤1214中,算法712计算不具有目标时的偏差。传感器线圈哪家好,无锡东英电子有限公司值得信赖,欢迎您的光临!贵州传感器线圈用途
如图1b所示,正弦定向线圈112和余弦定向线圈110共同位于发射线圈106内。使用如图1a所示的磁场108,正弦定向线圈112的环路114、环路116和环路118被定位为使得每个环路中的电压之和抵消,从而使总vsin为0。如图2a所示,在没有金属目标124的情况下,环路114中的电压vc可以被表示为1/2,环路116中的电压(因为该环路中的电流与环路114和环路118中的电流相反)可以被表示为vd=-1,而环路118中的电压可以表示为ve=1/2。因此,线圈112中的电压为vsin=vc+vd+ve=0。因此,如果不存在金属目标124,则来自正弦定向线圈112的输出信号将为0。类似地,如果不存在金属目标124,则来自余弦定向环路110的输出信号也为0,这是因为由环路120中的磁场108生成的电压va=-1抵消了由环路122中的磁场108所生成的电压vb=1,使得vcos=va+vb=0。如上文所讨论的,此处提供的电压描述是成比例的,并且被描述为完整环路(环路120、环路122和环路116)的比例可以具有大表示1,而环路114和环路118可以具有大表示1/2。符号环路的参考方向,其导致从该环路生成电压。参考方向是任意的,并且无论选择两个可能的方向中的哪一个方向来表示正方向,都可以计算出一致的结果。然而。其它传感器线圈厂家直供传感器线圈哪家专业,无锡东英电子有限公司值得信赖,有需求的不要错过哦!
正弦定向接收器线圈906包括阱908和阱912,并且被连接到引线924。类似地,余弦定向接收器线圈904包括阱910和阱914,并且被耦合到引线926。pcb还可以具有安装孔918。图9a示出线圈设计900的平面图,而图9b示出线圈设计900的斜视图,其示出在其上形成线圈设计900的pcb板的两侧上的通孔和迹线。图9c示出印刷电路板930上的线圈设计900的平面图。此外,被耦合到引线920、引线924和引线926的控制电路932被安装在电路板930上。图9d示出类似于在定位系统400中使用的实际位置的实际位置与在例如算法700的步骤704中通过使用rx电压通过仿真重构的位置之间的百分比误差。如图9d所示,在已经根据算法700优化线圈设计900之后,理论结果与仿真结果之间的百分比误差小于%。图9e示出在已经根据算法700优化线圈设计900之后的实际角位置和仿真角位置。图6也示出在已经应用线性化算法之后经优化的线圈设计900的全标度误差的百分比。在该标度下,误差小于%fs。本发明的实施例包括:仿真步骤704,其仿真位置定位系统线圈设计的响应;以及,线圈设计调整算法712,其使用所仿真的响应来调整线圈设计以获得更好的准确性。如上所述,位置传感器遭受许多非理想性。首先,tx线圈所产生的磁场高度不均匀。
例如块体积元素(brickvolumetricelement)、部分元素等效电路(peec)或基于体积积分公式的方法,其可以提供对由实际三维电流承载结构所产生的磁场进行估计的进一步的提高。金属目标通常可以由导电表面表示。如图10a所示,算法704在步骤1002处开始。在步骤1002中,获得描述tx线圈和rx线圈、目标的几何形状、气隙规范和扫描规范的pcb迹线设计。这些输入参数例如可以由算法700提供,要么在算法700的输入步骤702期间通过初始输入,要么从来自算法700的线圈调整步骤712的经调整的线圈设计来提供,如图7a所示。算法704然后进行到步骤1003。在步骤1003中,算法704以在步骤1002中设置的频率参数计算发射线圈(tx)的迹线的电阻r和电感l。在不存在目标的情况下执行计算,以给出品质因数的估计q=2πfl/r。在步骤1004中,设置参数以仿真特定线圈设计的性能和在步骤1002中接收的线圈设计的气隙,其中金属目标如在扫描参数中定义的被设置在现行位置。如果这是次迭代,则将现行位置设置为在步骤1002中接收到的数据中所定义的扫描的起点。否则,将位置设置为扫描中的当前定义的位置。在步骤1006中,确定由发射线圈生成的电磁场。传感器线圈哪家服务好,无锡东英电子有限公司为您服务!还等什么,快来call我司吧!
图10d示出导线1020的一维模型与基准矩形迹线1022在距迹线中心1mm的距离处的差异。单个矩形迹线1022的表示可以通过单导线配置和多导线配置两者来实现。可以看出,该场与一维模型略有偏离。从图10d可以看出,误差不可忽略,但在两种情况下,即使在1mm处,误差也只有很小的分数1%。由于接收线圈的大多数点相对于发射线圈的距离远大于1mm,因此1维导线模型在大多数应用中可能就足够了。也可以用三维块状元素来表示发射线圈,其中假定电流密度是均匀的。图10e示出这种近似。如图10e所示,这以适度的附加计算为代价将由发射线圈产生的磁场的建模误差减小了一个数量级。因此,在步骤1006和步骤1010中,可以将迹线建模为一维迹线。因此,通过使用1维导线模型可以预先计算由发射线圈产生的源磁场。在一些实施例中,可以使用基于3d块状件元素的更高级的模型,如上所述,该模型可以产生大致相同的结果。这些模型可以使用有限元矩阵形式的计算,然而,此类模型可能需要许多元素,并且需要增加计算。如上文所讨论的,类似于fem的模型可能使用太多的元素(1亿多个网格元素)来达到所提出的一维模型的准确性。无锡市制作传感器线圈的地方;定制传感器线圈产品推荐
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它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL品质因素品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量,Q为感抗XL与其等效的电阻的比值,即:Q=XL/R。它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时,所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高,其损耗越小,效率越高。线圈的Q值与导线的直流电阻,骨架的介质损耗,屏蔽罩或铁芯引起的损耗,高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。分布电容任何电感线圈,其匝与匝之间、层与层之间,线圈与参考地之间,线圈与磁屏蔽罩间等都存在一定的电容,这些电容称为电感线圈的分布电容。若将这些分布电容综合在一起,就成为一个与电感线圈并联的等效电容C。分布电容的存在使线圈的Q值减小,稳定性变差,因而线圈的分布电容越小越好。额定电流额定电流是指电感器有正常工作时反允许通过的大电流值。若工作电流超过额定电流,则电感器就会因发热而使性能参数发生改变,甚至还会因过流而烧毁。允许偏差允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高。贵州传感器线圈用途
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