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    因此电容器的击穿电压也因此受限。一般电容器的击穿电压从数伏特到1kV。若电压增加，介电质也要加厚，因此相同介电质的的电容，高压电容的体积一般都会比低压的同容值电容要大一些。3）击穿电压受一些因素的影响很大，例如电容器导电部分的几何形状。尖锐的边或是角会增加电场强度，甚至可能会造成局部的击穿电压。当开始崩溃时，崩溃现像会快速的穿过介电质，直到另一极的导电板为止，会留下碳，并且产生短路（或是阻抗较低）的路径。电容崩溃可能是性的，电容从周围的电路抽取电流，并且将其能量消耗掉。不过，有些特别介电质的电容器或是薄的金属电极在崩溃后不会造成短路，其原因是因为在大电流后，金属熔化或是汽化了，因此崩溃后会产生断路，不会影响电容器的其他部分。4）一般的崩溃方式是电场够大，因此可以吸引介电质中的电子，和原子分离，因而传导电路。不过也有可能有另一种情形，像是介电层的杂质，或是介电层晶体结构的瑕疵，会造成类似半导体元件的雪崩击穿。击穿电压也会受到电压、湿度以及温度的影响。（2）等效电路理想电容器只会储存及释放能量，不会消耗能量。不过实际的电容器都有一些杂质，而电容器的材料本身也会有电阻，这些会标示为等效串联电阻。嘉兴电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。杭州脉冲电容器定制

    ESR）。等效串联电阻会影响元件的阻抗：图：阻抗公式1）随着频率接近无限大，电容器的阻抗（或容抗）会减小，而会以ESR为主。当容抗可忽略，其消耗功率为PRMS=VRMS²/）和ESR类似的，电容器的导线也会产生等效串联电感（ESL），一般只在相对高频时才比较有影响。电感感抗是正的，会随频率增加，超过一定频率后，电容会被电感所抵消。高频电子学就需要计算所有接线以及元件的电感量。3）若电容器的二个导体之间不是理想的介电质，而是导电性较低的材料，会产生微小的漏电流。因此电容器会有一个有限的并联电阻，会慢慢的放电（放电时间依电容器材料及品质而定）。（3）品质因子电容器的品质因子（或Q因子）是特定频率下其容抗和电阻的比例，用来量测其效率。Q值越大的电容器，其特性越接近理想电容器。电容器的Q因子可以用下式计算：图：品质因子公式其中ω是角频率，C是电容，Xc是容抗，R是电容器的等效电阻（ESR）。（4）纹波电流纹波电流是电源（例如开关模式电源）的交流电流成分，其频率可能是定值，也可能会变动。纹波电流会使电容器发热，原因一方面是因为介电质上电场变化造成的能量损失，再加上电流通过有微小电阻的导线或电解质的损失。等效串联电阻。上海BAF电容器零售价绍兴电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。

    5）电解电容器及超级电容器都可以储存能量，超级电容储能效果又电解电容要好。陶瓷电容多半会用到LC震荡电路中。8，电容器的选用（1）旁路旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好的防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。（2）去耦去耦，又称解耦。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。

可以看出：·电容器充放电过程电量呈指数变化，越变越慢·电阻不变的情况下，随着电容大小的增加，电容器充放电时间增加，储存的能量也增加。DRAM滤波器相关应用1存储数据动态易失性存储器(DRAM)：利用集成的电容阵列存储数据，电容充满电就是1，放完电就是0。2电源去耦电容的应用，防止发生不可预测的反馈，影响下一级放大器或其它电路正常工作。图丨去耦电路·各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容以保持供电电压的稳定。·IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此也需要大量的去耦电容来保证工作电压的稳定。3耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。MAM电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。

    电容器（英文：capacitor，用符号C表示）是将电能储存在电场中的被动电子元件，顾名思义它是一个装载电荷的容器，在线性时不变系统中有：,模型如图所示平行板电容器我们在电路电路中通常研究的是器件u和i的关系，而电流的定义为：单位时间里通过导体任一横截面的电荷量，即电流为电荷的变化率那么，从而得出电容的VCR（VoltageCurrentResistance）关系：但是在电路系统计算中，你愿意求解微积分方程吗？因此电容和电感必须引入复域，才能让问题得到有效解决。当然时域研究也是有用处的，以后在测量篇会讲解。这里采用倒叙的方法，先提前说下电容的阻抗为，w和C大家都知道是角频率和容值，那复数j是什么，怎么来的呢？还记得我在电阻篇说过电容是一个跟电阻差了90度并且随着频率变化的器件。这里的随频率变换体现在w上，那么90度体现在哪里呢，想一想应该就是这个j了，因为w和C都是实数不会出现角度变换，那么这个j就对应了90度。再看下这个公式怎么解释我们平时知道的电容特性，我们知道电容通高频，阻低频，就是随着频率增高阻抗越小，刚好跟公式w和C在分母上对应，随着频率增加，电容的阻抗降低。在上面的电容阻抗公式中，我们知道了复数j对应的是角度（900）。徐州电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。湖州高压电容器定制

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    电容器的一个关键参数是其介电吸收（DA）。如果想估算电容器的质量或识别其电介质类型，则只要测量出其DA即可。在选择具有适当DA的电容器时，这种简单的电路可以帮助避免耗时的标准过程。甚至可以很容易地利用它来区分聚丙烯（PP）电容器和聚苯乙烯（PS）电容器（它们的DA值很接近），而无需把它们拆开来看其中的电介质。有几种方法可以用来估计或测量DA值。对于经典的直接测量法来说，是先将被测电容器（CUT）充电（“浸润”），然后短暂放电。电容器在等待一段时间后所恢复的电压，就是介电吸收电压（DAV）。这个过程中所有阶段的持续时间在标准中进行了准确定义，但是这个过程非常耗时。另一种方法是估计DA导致RC积分器工作的失真。还可以估计DA在RC网络的弦信号上所引起的失真。严格来说，后两种方法的主要区别在于所涉及的测量过程不同。下面的电路与经典测量技术的要求一致。它们可以保持与经典方法类似的计时——后者相当约一个小时）——但是可以将计时缩短到几秒钟或者更短。图1中的电路包含两个簧片继电器（S1、S2），用于控制CUT的充电和放电。它还包含一个采样保持电路（簧片继电器S3和电容器C1），用于对电容器C1上的DAV进行采样。杭州脉冲电容器定制

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