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由于马森布鲁克当时在莱顿大学任教，因此将其命名为莱顿瓶。（3）当时人们认为，电荷是储存在莱顿瓶中的水里；但美国科学家富兰克林研究莱顿瓶，证明其电荷是储存在玻璃上，并非储存在莱顿瓶中的水里。3，电容器的定义电容器的电容（C）是测量当电容器两端的电势差或电压（V）为单位值时，储存在电容器电极的电荷量（Q）：图：电荷量公式若根据国际单位制，若一电容器两极施加一伏特的电压，其储存电荷量为一库仑，则此电容器的电容量为一法拉（F），在实际应用中，法拉是相当大的单位，一般情况下，电容器的电容量常常以毫法拉（mF,1mF=10^-3F）、微法拉（µF,1µF=10^-6F）、奈法拉（nF,1nF=10^-9F）或皮法拉（pF,1pF=10^-12F）来表示。电容量和电极的面积成正比，和二电极之间的距离成反比。电容量也和二电极间介电质的相对电容率成正比。平行板电容器的电容量如下式：图：电容量公式4，电容器的标示电容器是一种容纳电荷的器件，通常电容器也会有一些标志，根据标注可以更好的学习和使用电容器，接下来讲解一下电容器的四种标示方法：（1）直标法电容器在出厂以前就在本体表面印上了厂家标志，型号，标称容量，允许误差范围，额定工作电压等。下图为直接标注法。OWF电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。温州防爆电容器厂
可以看出：·电容器充放电过程电量呈指数变化，越变越慢·电阻不变的情况下，随着电容大小的增加，电容器充放电时间增加，储存的能量也增加。DRAM滤波器相关应用1存储数据动态易失性存储器(DRAM)：利用集成的电容阵列存储数据，电容充满电就是1，放完电就是0。2电源去耦电容的应用，防止发生不可预测的反馈，影响下一级放大器或其它电路正常工作。图丨去耦电路·各种CPU、SOC、ASIC的周围、背面放置了大量的电容以保持供电电压的稳定。·IC工作时，不同时刻需要的工作电流是不一样的，因此也需要大量的去耦电容来保证工作电压的稳定。3耦合隔直设计电路时，有些情况下，只希望传递交流信号，不希望传递直流信号，这时候可以使用串联电容来耦合信号。AFM电容器定制电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。
则电流瞬间流向导线，对电容器进行充电；当电极间的电位差与电源电压相等，则电流不再流动，充电结束。充放电过程如下图所示。图：电容器的充放电图：电容器蓄电（2）阻直流，通交流电容器的电极被电介质阻隔，施加直流电压后，在充电过程中电流瞬间流过导线，但不会流到电介质的内部。即，电容器具有阻断直流的性质。连接交流电源，则电极板周期性地反复进行充电与放电，电场方向也会相应地发生改变。虽然不是在绝缘体内部出现电子移动，但实际上与流过交流电流相同，因此可视为电容器使交流电流通过。相对于通常的电流（传导电流），我们将该电流称为位移电流。图：阻直流图：通交流（3）容抗特性频率越高，电容量越大，交流电越容易通过，这是电容器的又一基本特性。阻直流通交流是电容器的基本性质，但并非所有交流电都一样通过，通过的阻碍由交流电的频率与电容器的电容量决定。该交流电通过阻碍叫做容抗(Xc)，是电容器对交流电的阻抗，单位是欧姆[Ω]。电容器的容抗(Xc)以如下公式表示。图：容抗计算公式图：容抗频率特性6，电容器的参数特性实际的电容器和理想电容器的特性方程是有些差异的。其中有些特性（像是漏电流以及杂散效应）是线性的。
当频率高的时候隔离电阻可以换成电感，这样效果更好。想让偏执电压受控的话，可以把这电源VDC换成DA，或者接一个电位器手动调节。这里还利用到直流通路和交流通路的概念，以后会详细讲解。3去耦电容去耦和旁路可以算成一类，都是利用电容把高频噪声导入GND，是电容中应用广的一类。去耦电容常用在芯片电源管脚处，距离管脚越近越好，一般是用容值一大一小的两个电容，并且电容要放在电流的入口处，小电容在里面，大电容在外边。小电容滤高频，大电容滤低频。去耦电容一般选取。电源的干净程度（噪声多少）决定了整个系统性能的优良程度，电源噪声一部分是电源自身产生的，比如开关电源的开关噪声，还有很大一部分是芯片工作的时候产生的耦合到电源上，比如数字芯片，会按照固定的Clock运行，门级开关的导通与断开或者大功率器件的按照一定时序工作，都会让电源产生一定程度的波动。为了不让产生的这些噪声，影响到别的器件正常工作，或者影响到自身的正常工作，需要在芯片电源管脚处加电容进行去耦。关于电源去耦还有很多知识，在电感和EMI的文章中以后将会详细介绍。这里在稍微讲解下为什么是小电容滤高频，大电容滤低频。大家有没有很好奇大电容滤低频可以理解。盐城电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。
大多数电容器的DA都不小于，所以可以估算出CUT所需的小放电时间（t）为：t＞R1×CUT×ln(10000)，或大约为：t＞10×R1×CUT，其中，R1是限流电阻的值。因此，如果t(Q7)为70ms，则对于35ms的放电时间（t），以及R1=300Ω，CUT的上限为：CUT＜35×10-3/(10×300)，约为12μF。待测量的DAV大致与充电电压E成正比，因此应使E足够高，才能使DAV较为明显。图1的继电器类型和电阻值也取决于E的值。可以按照图1所示的连接，使用任何大电阻（Ri＞10MΩ）电压表直接测量DAV估计值。由于DAV可能很小，好是使用分辨率不低于。然而，为了获得稳定的读数，电压表的时间常数C1×Ri应远大于周期持续时间（t）。在某些情况下，这可能会有问题，因此使用示波器可能比电压表更好。在比较两个相同电容的电容器时，示波器还可以提供更明显的读数。图4：对三种具有相同数值的电容器进行性DA测量，其结果清楚地显示了不同电介质类型的差异。图4给出了使用示波器代替电压表，使用此电路进行DA测量的示例。图中所示的结果来自三种电容相同（CUT=220nF）但介电常数不同的电容器——聚酯膜（PET/聚酯薄膜）、PP和PS。示波器设置为10mV/格，测试电路的参数为：E=100V，C1=100nF。对于PE电容器。衢州电容器质量哪家好，欢迎来电咨询，无锡市锡容电力电器有限公司。并联电容器
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