浙江泛半导体电镀铜技术

电镀铜的外观通常呈现出金属光泽，表面光滑平整，色泽呈现出深黄色或红棕色。电镀铜的外观质量与电镀工艺和材料有关，一般来说，电镀铜的外观质量越好，其表面光泽越强，色泽越鲜艳，且不易出现氧化、腐蚀等问题。电镀铜的外观质量受到多种因素的影响，如电镀液的成分、温度、电流密度、电镀时间等。在电镀过程中，如果电镀液的成分不均匀或温度、电流密度不稳定，就会导致电镀铜的外观质量不佳，表面可能会出现气泡、凹凸不平、色泽不均等问题。此外，电镀铜的外观质量还与基材的材料和表面处理有关。如果基材表面不平整或存在污垢、油脂等物质，就会影响电镀铜的外观质量。因此，在进行电镀铜之前，需要对基材进行适当的清洗和处理，以确保电镀铜的外观质量。电镀铜取代银浆就是把格栅的线路做的更细。浙江泛半导体电镀铜技术

基本原理是利用电化学反应，在金属表面沉积一层铜金属。电镀铜的过程中，需要将含有铜离子的电解液放置在电解槽中，同时将需要镀铜的金属材料作为阴极放置在电解槽中，将铜板作为阳极放置在电解槽中，然后通过外部电源将电流引入电解槽中，使得铜离子在电解液中发生氧化还原反应，从而将铜离子还原成为金属铜，沉积在金属材料表面。在电解液中，铜离子会向阴极移动，而在阴极表面，铜离子会接受电子，还原成为金属铜，沉积在金属材料表面。同时，金属材料表面的原有氧化物会被还原成为金属，从而使得金属表面得到了一层均匀的铜金属镀层。电镀铜的镀层具有良好的导电性、耐腐蚀性和美观性，因此被广泛应用于电子、电器、汽车、建筑等领域。深圳自动化电镀铜丝网印刷电镀铜可以用于各种金属表面，包括钢铁、铝合金、不锈钢等，具有广泛的应用范围。

电镀铜优势在于可助力电池提效0.3-0.5%+，进而提高组件功率。相较于银包铜+0BB/NBB工艺，我们预计银包铜+0BB/NBB工艺或是短期内HJT电池量产化的主要降本路径，随着未来银含量30%银包铜浆料的导入，浆料成本有望降至约3分/W，HJT电池金属化成本或降至5分/W左右。电镀铜工艺有望于2023-2024年加快中试，并于2024年逐步导入量产。随着工艺经济性持续优化，电镀铜HJT电池的金属化成本有望降至5-6分/W左右，叠加考虑0BB/NBB对应组件封装/检测成本提升，而电镀铜可提升效率约0.5%+，电镀铜优势逐渐强化，有望成为光伏电池无银化的解决方案。

异质结电镀铜的主要工序：前面的两道工艺制绒和PVD溅射。增加的工艺是用曝光机替代丝网印刷机和烤箱。具体分为图形化和金属化两个环节：（1）金属化：首先完成铜的沉积（电镀铜），然后使用不同的抗氧化方法进行处理（电镀锌或使用抗氧化剂制作保护层）。去掉之前的掩膜、铜种子层，露出原本的ITO。然后做表面处理，比如文字、标签或者组装玻璃，这是一整道工序，即完成铜电镀的所有过程。（2）图形化：先使用PVD设备做一层铜的种子层，然后使用油墨印刷机（掩膜一体机）的湿膜法制作掩膜。在经过掩膜一体机的印刷、烘干、曝光处理后，在感光胶或光刻胶上的图形可以通过显影的方法显现出来，即图形化工艺。电镀铜技术不断发展，为未来科技和绿色可持续发展提供了强有力的支持。

电镀铜光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将设计好的微图形结构转移到覆有感光材料的晶圆、玻璃基板、覆铜板等基材表面上的微纳制造技术。光刻设备是微纳制造的一种关键设备，在泛半导体领域，根据是否使用掩膜版，光刻技术主要分为直写光刻与掩膜光刻，其中掩膜光刻可进一步分为接近/接触式光刻以及投影式光刻。掩膜光刻由光源发出的光束，经掩膜版在感光材料上成像，具体可分为接近、接触式光刻以及投影光刻。其中，投影式光刻更加先进，能够在使用相同尺寸掩膜版的情况下获得更小比例的图像，从而实现更精细的成像。直写光刻也称无掩膜光刻，是指计算机将电路设计图形转换为机器可识别的图形数据，并由计算机控制光束调制器实现图形的实时显示，再通过光学成像系统将图形光束聚焦成像至已涂覆感光材料的基板表面上，直接进行扫描曝光。直写光刻既具有投影光刻的技术特点，如投影成像技术、双台面技术、步进式扫描曝光等，又具有投影光刻不具备的高灵活性、低成本以及缩短工艺流程等技术特点。电镀铜具有高纯度和高密度，可以增强金属的整体性能和美观度。深圳自动化电镀铜丝网印刷

电镀铜设备电镀环节主要包括水平镀、垂直镀、光诱导电镀等。浙江泛半导体电镀铜技术

银浆成本高有四大降本路径，两大方向。一是减少高价低温银浆用量 二是减少银粉的用量，使用贱金属替代部分银粉，例如银包铜、电镀铜。铜电镀是一种非接触式的电极金属化技术，在基体金属表面通过电解方法沉积金属铜制作铜栅线，收集光伏效应产生的载流子。为解决电镀铜与透明导电薄膜（TCO）之间的接触与附着性问题，需先使用PVD设备镀一层极薄的铜种子层（100nm），衔接前序的TCO和后序的电镀铜，种子层制备后还需对其进行快速烧结处理，以进一步强化附着力。同时，铜种子层作为后续电镀铜的势垒层，可防止铜向硅内部扩散。浙江泛半导体电镀铜技术