杭州泛半导体电镀铜设备报价

电镀工艺主要包括垂直电镀、水平电镀、插片式电镀等，其中垂直电镀主要有垂直升降式电镀和垂直连续式电镀，当前多种技术路线并行，如何提升电镀产能和质量性能、降低碎片率将是电池片电镀机提升和改善的方向，伴随电镀工艺精简优化，电镀铜技术有望于2024年逐步明确技术选型。垂直电镀：挂镀，夹具夹住待镀电池垂直插入电镀槽进行电镀。垂直连续式电镀较垂直升降式电镀的产能有所提高，垂直连续电镀设备目前正在制造第三代设备，将拥有产能规模大（8000片/小时以上）、破片率低（小于0.1%）、均匀性好、高效节能、清洁环保等优势。水平电镀：在电镀槽内通过滚轮水平传输待镀电池，滚轮导电使种子层形成电镀系统阴极，在通电及水平传输中实现电镀。光伏电镀铜设备，主要用于光伏电池硅片镀铜代替银浆丝网印刷。杭州泛半导体电镀铜设备报价

电镀铜优势在于可助力电池提效0.3-0.5%+，进而提高组件功率。相较于银包铜+0BB/NBB工艺，我们预计银包铜+0BB/NBB工艺或是短期内HJT电池量产化的主要降本路径，随着未来银含量30%银包铜浆料的导入，浆料成本有望降至约3分/W，HJT电池金属化成本或降至5分/W左右。电镀铜工艺有望于2023-2024年加快中试，并于2024年逐步导入量产。随着工艺经济性持续优化，电镀铜HJT电池的金属化成本有望降至5-6分/W左右，叠加考虑0BB/NBB对应组件封装/检测成本提升，而电镀铜可提升效率约0.5%+，电镀铜优势逐渐强化，有望成为光伏电池无银化的解决方案。杭州泛半导体电镀铜设备报价 光伏电镀铜设计的导电方式主要有弹片式导电舟方式。

电镀铜导电性与发电效率双重提升金属栅线电极与透明导电膜之间形成一个非整流的接触——欧姆接触，欧姆接触效果决定电池导电性与发电效率能否达到适合。影响欧姆接触效果的因素有接触面紧密结合度、栅线材料电阻率，电阻率越大，电池片对电子或载流子的负荷越高，电子或载流子的通过率越差。铜栅线导电性强于银浆。铜的导电性与银相近，但银浆属于混合物胶体，铜栅线是纯铜，因此铜栅线的电阻率更低，铜栅线电阻率是1.7Ω/m，银浆的电阻率大约为5-10Ω/m。

铜电镀工艺流程：种子层沉积—图形化—电镀—后处理，光伏电镀铜工艺流程主要包括种子层沉积、图形化、电镀及后处理四大环节，目前各环节技术路线不一，多种组合工艺方案并行，需要综合性能、成本来选择合适的工艺路线。（1）种子层沉积：异质结电池表面沉积有透明导电薄膜（TCO）作为导电层、减反射层，由于铜在TCO层上的附着性较差，两者间为物理接触，附着力主要为范德华力，电极容易脱落，一般需要在电镀前在TCO层上先行使用PVD设备沉积种子层（100nm），改善电极接触与附着性问题。（2）图形化：由于在TCO上镀铜是非选择性的，需要形成图形化的掩膜以显现待镀铜区域的线路图形，划分导电与非导电部分。图形化过程中，将感光胶层覆盖于HJT电池表面，通过选择性光照，使得不需要镀铜的位置感光材料发生改性反应，而需要镀铜的位置感光材料不变；在显影步骤时，待镀铜区域内未发生改性反应的感光材料会被去除，形成图形化的掩膜，后续电镀时铜将沉积于该线路图形区域内露出的种子层上并发生导电，而其他位置不会发生铜沉积，实现选择性电镀。电镀铜工艺简单，易于操作和维护，可以在短时间内完成高质量的表面处理。

光伏电池电镀铜工序包括种子层制备、图形化、电镀三大环节，涌现多种设备方案。电镀铜 工艺尚未定型，各环节技术方案包括（1）种子层：设备主要采用 PVD，主要技术分歧 在于是否制备种子层、制备整面/局部种子层和种子层金属选用；（2）图形化：感光材料 分为干膜和油墨，主要技术分歧在于曝光显影环节选用掩膜类光刻/LDI 激光直写/激光 开槽；（3）电镀：主要技术分歧在于水平镀/垂直镀/光诱导电镀。釜川（无锡）智能科技有限公司，以半导体生产设备、太阳能电池生产设备为主要产品，打造光伏设备一体化服务。拥有强大的科研团队，凭借技术竞争力，在清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、电镀铜设备等方面都有独特优势；以高效加工制造、快速终端交付的能力，为客户提供整线工艺设备的交付服务。电镀铜+电镀锡的组合确实能够有效降低生产成本，同时允许实现共线生产，有助于降低设备成本。深圳泛半导体电镀铜设备组件

为了实现电镀铜，即金属化，首先需要在 TCO 膜之后镀一层金属（如铜）种子层。杭州泛半导体电镀铜设备报价

光伏电镀铜设备工艺铜栅线更细，线宽线距尺寸小，发电效率更高。栅线细、线宽线距小意味着栅线密度更大，更多的栅线可以更好地将光照产生的内部载流子通过电流形式导出电池片，从而提高发电效率，铜电镀技术电池转化效率比丝网印刷高0.3%~0.5%。①低温银浆较为粘稠，印刷宽度更宽。高温银浆印刷线宽可达到20μm，但是低温银浆印刷的线宽大约为40μm。②铜电镀铜离子沉积只有电子交换，栅线宽度更小。铜电镀的线宽大约为20μm，采用类半导体的光刻技术可低于20μm。杭州泛半导体电镀铜设备报价