扬州化成分容电流传感器出厂价

时间:2023年08月11日 来源:

    当补偿电流I2流过测量电阻RM时,在RM两端转换成电压作为传感器的测量电压U0,即U0=I2RM霍尔电流传感器输出编辑直接检测式(无放大)电流传感器为高阻抗输出电压,在应用中,负载阻抗要大于10KΩ,通常都是将其±50mV或±100mV悬浮输出电压用差动输入比例放大器放大到±4V或±5V。(a)图可满足一般精度要求;(b)图性能较好,适用于精度要求高的场合。直检放大式电流传感器为高阻抗输出电压。在应用中,负载阻抗要大于2KΩ。磁补偿式电流、电压磁补偿式电流、电压传感器均为电流输出型。从图1-3看出“M”端对电源“O”端为电流I2的通路。因此,传感器从“M”端输出的信号为电流信号。电流信号可以在一定范围远传,并能保证精度,使用中,测量电阻RM只需设计在二次仪表输入或终端控制板接口上。为了保证高精度测量要注意:①测量电阻的精度选择,一般选金属膜电阻,精度≤±,详见表1-1,②二次仪表或终端控制板电路输入阻抗应大于测量电阻100倍以上。霍尔电流传感器电压电阻编辑从前面公式知道U0=I2RMRM=U0/I2式中:U0-测量电压,又叫取样电压(V)。I2-副边线圈补偿电流(A)。RM-测量电阻(Ω)。计算时I2可以从磁补偿式电流传感器技术参数表中查出与被测电流。留有一定余量,以避免损坏传感器。扬州化成分容电流传感器出厂价

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    图5是用于说明实施方式1涉及的电流传感器的动作的图。图6是用于说明电流传感器中的外部磁场耐性的图。图7是表示实施方式2涉及的电流传感器的结构的框图。图8是表示电流传感器的变形例1的结构的框图。图9是表示电流传感器的变形例2的结构的框图。图10是表示电流传感器的变形例3的结构的框图。图11是表示流过被电流传感器检测的电流的导体的变形例1的图。图12是表示流过被电流传感器检测的电流的导体的变形例2的图。具体实施方式以下,参照附图对本发明涉及的电流传感器的实施方式进行说明。各实施方式为例示,能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合,这是不言而喻的。在实施方式2以后,省略关于与实施方式1共同的事项的记述,*针对不同点进行说明。特别是,关于同样的结构所产生的同样的作用效果,将不在每个实施方式中逐次提及。(实施方式1)在实施方式1中,提供一种在基于由检测对象的电流产生的磁场(以下称为“信号磁场”)来检测电流的电流传感器中能够确保外部磁场耐性的电流传感器。外部磁场耐性是使得电流的检测结果不会由于与信号磁场分开地从外部施加的外部磁场的影响而变动的耐性。1.结构关于实施方式1涉及的电流传感器的结构,利用图1、2进行说明。吉林充电桩检测电流传感器询问报价电流传感器必须与初级侧的限流电阻R1串联连接。

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对两个磁传感器11、12和第1~第3运算部31~33间的连接关系以及基于运算装置3的运算方法的一例进行了说明。本实施方式涉及的电流传感器不特别限定于此,也可以采用各种各样的连接关系以及运算方法。以下,关于电流传感器的变形例,利用图8~10进行说明。图8示出变形例1涉及的电流传感器1b的结构。本变形例的电流传感器1b在与实施方式1的电流传感器1同样的结构中,变更了两个磁传感器11、12和第1以及第2运算部31、32间的连接关系。如图8所示,在本变形例的电流传感器1b中,第1运算部31在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2p的输出端子连接,在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1m的输出端子连接。此外,第2运算部32在正输入端子与磁传感器12的传感器信号s2m的输出端子连接,在负输入端子与磁传感器11的传感器信号s1p的输出端子连接。第1~第3运算部31~33基于所输入的信号,进行与实施方式1同样的运算。通过以上的电流传感器1b,也能够与实施方式1的电流传感器1同样地降低外部磁场的影响。在本变形例中,磁传感器12是第1磁传感器的一例,传感器信号s2p是第1传感器信号的一例,传感器信号s2m是第2传感器信号的一例。此外,磁传感器11是第2磁传感器的一例。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0霍尔电流传感器编辑锁定霍尔电流传感器基于磁平衡式霍尔原理,根据霍尔效应原理,从霍尔元件的控制电流端通入电流Ic,并在霍尔元件平面的法线方向上施加磁感应强度为B的磁场,那么在垂直于电流和磁场方向(即霍尔输出端之间),将产生一个电势VH,称其为霍尔电势,其大小正比于控制电流I。与磁感应强度B的乘积。即有式中:K为霍尔系数,由霍尔元件的材料决定;I为控制电流;B为磁感应强度;VH为霍尔电势。中文名霍尔电流传感器外文名HallCurrentSensor名词解释基本原理检测原理补偿原理工作电源电流传感器在使用中的优越性发展提高灵敏度、恶劣条件下的稳定性测电流为了测量mA级的小电流参数工作环境-10℃~50℃,20%~90%无凝露响应时间≤300mS精度等级≤目录1英文解释2基本原理3检测原理4补偿原理5发展6测电压7输出8电压电阻9电流计算10举例说明11工作电源12优越性13测量方法14特点15应用方式16注意事项▪如何选型▪使用须知▪注意事项17工作过程霍尔电流传感器英文解释编辑HallCurrentSensorHallcurrenttransduce霍尔电流传感器基本原理编辑霍尔器件是一种采用半导体材料制成的磁电转换器件。如果在输入端通入控制电流IC。推动电流传感器向更高性能、更高效、更智能的方向发展。

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    磁传感器11例如通过电源电压vdd进行恒压驱动。各个磁阻元件13a~13d例如为amr(anisotropicmagnetoresistance,各向异性磁阻)元件。在本例中,四个磁阻元件13a~13d之中的第1以及第2磁阻元件13a、13b的串联电路、和第3以及第4磁阻元件13c、13d的串联电路被并联连接。第1以及第4磁阻元件13a、13d具有相对于输入到磁传感器11的磁场而增减倾向相同的磁阻值mr1、mr4。第2以及第3磁阻元件13b、13c具有增减倾向与第1以及第4磁阻元件13a、13d的磁阻值mr1、mr4相反的磁阻值mr2、mr3。磁传感器11的电源电压vdd被供给至第1以及第3磁阻元件13a、13c间的连接点。第2以及第4磁阻元件13b、13d间的连接点被接地。第1以及第2磁阻元件13a、13b间的节点14p与两个传感器信号s1p、s1m之中的一个传感器信号s1p的输出端子连接。第3以及第4磁阻元件13c、13d间的节点14m与另一个传感器信号s1m的输出端子连接。各节点14p、14m的电位例如以vdd/2为中点电位而变动。以上的磁传感器11的结构为一例,不特别限定于此。例如,磁传感器11、12的磁阻元件13a~13d不限于amr元件,也可以是例如gmr(giantmagnetoresistance,巨磁阻)、tmr(tunnelmagnetoresistance,隧道磁阻)、bmr(balisticmagnetoresistance。避免长时间过载运行,以免损坏放大器管或磁补偿类型产品。温州电流传感器厂家

在霍尔元件控制电流端输入被测电流。扬州化成分容电流传感器出厂价

    y方向)上第1以及第2流路21、22在+y侧的端部连结,在-y侧的端部分离。如图11所示,流经导体2a的电流若在第1流路21中沿+y朝向流动,则在+y侧的端部迂回,由此在第2流路22中沿-y朝向流动。如图11所示,电流所引起的信号磁场b1、b2例如在z方向上的导体2a的相同侧(例如+z侧)在第1流路21附近的区域r10和第2流路22附近的区域r20彼此具有反相。在本变形例中,例如在电流传感器1安装于导体2a的状态下,两个磁传感器11、12分别配置在第1流路21附近的区域r10和第2流路22附近的区域r20。由此,即使在本变形例中,也与上述各实施方式同样地,能够使电流传感器1中的s/n比良好从而提高电流的检测精度。图12示出被电流传感器1检测的电流的流路为一个导体2b的变形例2。图12的(a)、(b)分别在xz平面上的导体2b的剖视图中示出各磁传感器11、12的配置例。在图12的例子中,在导体2b的长度方向(y方向)上流过电流,电流所引起的信号磁场b1在xz平面上环绕导体2b的周围。例如,如图12的(a)所示,信号磁场b1在z方向上的导体2b的+z侧的区域r11和-z侧的区域r21彼此具有反相。在本变形例中,例如在电流传感器1安装于导体2b的状态下,两个磁传感器11、12分别配置在+z侧的区域r11和-z侧的区域r21。此时。扬州化成分容电流传感器出厂价

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