无锡交直流电流传感器厂家现货

时间:2024年02月21日 来源:

当一次电流IP为纯直流分量时,通过分析式(3-20)可知,此时jw=0,ZF=0时,可得新型交直流电流传感器的直流稳态误差εDC为:11+KPIN1RM(KPAN)FRS1(1+伪)式(3-21)为单独测量直流时的新型交直流传感器稳态误差传递函数模型。此时由于PI比例积分电路在直流测量情况下,时间常数趋近于0,理论上比例积分电路开环增益趋近于无穷大,因此直流测量误差趋近于0。然而实际当测量交直流电流时,PI比例积分电路的开环增益有限,因此仍需考虑其他参数设计。同时需要注意,在建立交直流电流传感器稳态误差模型时,对基于双铁芯结构自激振荡磁通门传感器的零磁通交直流检测器进行了线性化处理,因此保证零磁通交直流检测器线性度是新型交直流传感器设计的关键,而激磁绕组匝数N1及采样电阻RS1均影响交直流检测器线性度,因此在参数设计时需要综合考虑各项指标。在电气工程中,电流测量对于评估电路的性能和优化设计至关重要。无锡交直流电流传感器厂家现货

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当一二次磁势平衡时,环形铁芯C1及C2磁势平衡方程满足:NPIP+NFIF=0(3-1)由式(3-1)可知,当系统达到平衡时,一次电流与反馈电流成比例,比例系数为NF/NP。即通过测量反馈绕组中的电流幅值大小即可对一次交直流电流幅值进行测量,反馈电流的相位与一次电流相位相反。实际新型交直流传感器通过测量串接在反馈绕组中的终端测量电阻RM上的终端测量电压信号VRM间接完成反馈电流测量,终端测量电压信号VRM与一次电流IP满足:I=IF=NNR(3-2)式(3-2)表明终端测量电压信号VRM与一次电流IP成比例,其中负号表示两者相位相反。同时根据式(3-2)可得新型交直流电流传感器的灵敏度SD1为:dVRMNPRMD1dIPNF青岛计量级电流传感器供应商将有助于提高能源利用效率、降低成本、增强能源安全等。

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根据初始条件iex(t1)及终止条件iex(t2)可以求得时间间隔t2-t1为:t2-t1=τ2ln(2-12)在t2≤t≤t3期间,电路初始条件iex(t2)仍满足式(2-11),且此时铁芯C1工作由线性区A转入正向饱和区B,激磁电感减小为l,铁芯C1回路电压满足,vex=VOH=Vout。此时回路电压方程为:Vout=iex(t)*Rsum+l(2-13)在形式上式(2-13)与式(2-5)一致,因为此时铁芯均进入饱和区工作。两者所讨论的激磁振荡时刻不同,即一阶线性微分方程的初始条件和终止条件均不相同。由初始条件式(2-11)与一阶线性微分方程(2-13)可得t2≤t≤t3期间,激磁电流iex表达式为:t-t2t-t2--iex(t)=IC(1-eτ1)-(-Ith-βIp1)eτ1

无锡纳吉伏公司总结了直流分量对交流测量影响的相关研究现状,说明了一二次融合背景下交直流电流测量的必要性;通过对电流比较仪的发展回顾,对现有磁调制原理的交直流电流测量方法进行总结,分析了交直流测量方法的关键技术及其制约瓶颈,为交直流电流传感器的优化设计提供思路。对自激振荡磁通门传感器技术进行深入研究,阐明其电流测量基本原理和交直流电流测量的适应性;探究自激振荡磁通门传感器磁参数和几何参数与传感器线性度7和灵敏度之间的定量关系,为自激振荡磁通门传感器的铁芯选择、绕组设计及硬件电路初步设计奠定理论基础。这种复杂电流波形可能包含直流、低频以及高频交流。

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无锡纳吉伏公司结合自激振荡磁通门技术与传统电流比较仪结构,设计了新型交直流电流传感器。通过分析新型交直流传感器的误差来源,对传统单铁芯自激振荡磁通门传感器进行改进,提出了双铁芯结构自激振荡磁通门传感器,同时对解调电路进行了优化。并建立了新型交直流电流传感器稳态误差模型,为优化设计参数以减小交直流比例误差提供理论依据。依据上述研究,通过铁芯选型、绕组设计、零磁通交直流检测器电路、误差控制电路、电流反馈电路和电磁屏蔽设计,研制了一台500A双铁芯三绕组低成本交直流电流传感器样机。磁通门电流传感器由于其宽频响特性,可以满足这些应用的需求。珠海板载式电流传感器报价

新型储能产业基础好,覆盖了材料制备、电芯和电池封装、储能变流器、储能系统集成和电池回收利用全产业链。无锡交直流电流传感器厂家现货

除了上述环节,一次绕组WP由于电磁感应效应在反馈绕组WF上将产生感应电流,该过程输入信号为一次电流IP,输出信号为反馈绕组的激磁感抗jwLF上产生的感应电压。根据上述关系及图示电流参考方向,G5传递函数可表示为:G5=ZFNP=jwLFNP=jwμ0μeN2F(2Sc)NPNFNFlcNF此外系统的负反馈信号为反馈绕组WF在合成铁芯C12中产生的反向磁势,因此在图3-2中负反馈环节传递函数直接用反馈绕组匝数NF表示。根据电流传感器比例误差ε定义及式(3-12)可得:ε=N(N)P(F)I(I)P(S)一IP=1+G(N)1G2G3G4(FG4G5一)N(1)F(3-18)将式(3-13)至(3-17)带入上式进一步化简可得:ε=ZFNP一(RM+ZF)根100%RS1NP(1)(3-19)实际电路中一次绕组通常为单匝穿心导线,因此NP=1。无锡交直流电流传感器厂家现货

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