北京高频电流传感器发展现状

输入端各个绕组与输出端 绕组之间会相互影响，其中在输出端产生的感应纹波电流将会直接影响终测量结果， 这是单铁芯式结构自激振荡磁通门传感器闭环交直流电流测量的误差来源之一。因此本 文设计的交直流传感器为了抑制上述电磁感应产生的噪声， 在原有自激振荡磁通门传感 器基础上增加环形铁芯 C2 ，激磁绕组 W2 及反相放大器 U2 构成双铁芯式自激振荡磁通 门传感器结构用于解决电磁感应噪声问题。通过对各个铁芯磁势平衡方程的分析， 本文的新结构双铁芯式自激振荡磁通门传感 器作为零磁通交直流检测器在新型交直流电流传感器中性能优于原单铁芯结构自激振 荡磁通门传感器。电流是物理学中的一个基本物理量，电流测量是电气测量中必不可少的一部分。北京高频电流传感器发展现状

其中Ith为铁芯C1饱和阈值电流，其大小取决于非线性铁芯C1磁性参数，具体表达式如下：I=Ψth=N1BsSthLL（2－41）其中Ψth为饱和阈值磁通量，BS为饱和磁感应强度，S为铁芯截面面积。将式（2-41）带入式（2－40）化简后可得：T=4NBS1sVout（2－42）由式（2－42）可知，激磁电压周期只是与铁芯材料饱和磁感应强度BS及截面积S，激磁绕组匝数N1和激磁电压峰值Vout有关。通过选择合适磁性材料的铁芯，并设计相关几何参数，激磁激磁绕组匝数N1和激磁电压峰值Vout即可对检测带宽进行相应设计。常州电池电流传感器出厂价激磁电流出现直流分量及偶次谐波这一特征，研制出基于单铁芯电压型磁调制式交直流电流传感器。

值得注意的是，当激磁电压频率fex较小或与一次被测电流自身频率相近时，由于电磁感应原理在激磁绕组产生工频50Hz感应电流信号，此时在在单个激磁电流波形中，无法对有效区分频率相近的50Hz感应电流信号和与激磁电压频率一致的激磁电流信号。因此自激振荡磁通门方法对激磁电压频率的设置一般需按照香农采样定理原则，即激磁电压频率大于两倍被测电流频率fex≥2f。图2－6～2－8分别为通过Tek示波器（TDS2012B）所观察，当IP=1A直流，IP=-1A直流及IP=1A交流时，采样电阻RS1上激磁电流波形。

根据电流互感器检测相关规范及其章程，设计合理实验方案，对新型交直流电流传感器主要计量性能参数进行测试，主要测试项目包括：（1）交流计量性能测试；（2）直流计量性能测试；（3）交直流同时测量时交直流计量性能测试；为了构建一二次融合电流场景，实验时选择比例直流叠加法构建一次交直流电流，将交流分量和直流分量单独输出，试验原理框图如图5-1所示。图中，被检电流传感器TAX即为本文研制的高精度交直流电流传感器，交流电流由交流源和升流器产生，一次电流同时穿过被检电流传感器TAX和标准电流互感器TA0，直流电流由直流电源产生并通过等安匝绕在被检电流传感器TAX上。被检电流传感器TAX的输出在采样电阻上RM取出，一方面接入电子式互感器校验仪，用于和标准电流互感器的输出进行比对，给出交流电流测量误差；另一方面接入六位半数字万用表DMM，与直流电流源输出电流采样电阻Rdc上的输出电压进行比对，确定直流电流测量误差。截至2023年9月，储能系统中标价格比2022年降低近30%。

假设初始状态输出电压 VO 在 t=0 时刻 VO=VOH 。根据电阻分压关系可得电路的正反 馈系数 ρ=R1/(R1+R2) ，且运放同相端电压 V+=ρVOH 。此时运放反相端电压 V-=V+=ρVOH, 在 0～t1 时刻，对非线性电感 L 进行正向充电，充电电流大小受到电阻分压及采样电阻 RS 限制，充电电流从 0 开始增大，最大值为 Im=ρVOH/RS。在 0～t1 期间，铁芯 C1 工作点 始终在线性区 A，线性区激磁感抗 ZL 较大， 激磁电流 iex 缓慢增长到正向激磁电流阈值 Ith ，此时铁芯 C1 工作点开始进入正向饱和区 B。新型储能企业数量快速攀升。据中电联和毕马威统计，2022年成立了3.8万家储能相关企业，是2021年的5.8倍。镇江动力电池测试电流传感器厂家

在电力系统中，电流测量对于确保电力系统的稳定运行至关重要。北京高频电流传感器发展现状

无锡纳吉伏公司利用比例直流叠加法模拟一次交直流电流，设计了新型交直流电流传感器计量 性能测试方案。对所设计的新型交直流电流传感器进行了交流电流计量性能、直流电流 计量性能以及交直流同时测量时交直流计量性能试验， 试验结果表明， 所研制新型交直 流电流传感器交直流测量误差均小于 0.05  级电流互感器误差限值，说明新型交直流电 流传感器结构及理论正确。其成本低、 简单结构，与同类产品相比具有更高的性价比。 同时所研制的新型交直流电流传感器方案交流测量与直流测量互不干扰， 可应用于交流 测量领域， 直流测量领域， 交直流同时测量领域及抗直流互感器及较低精度交直流电流 传感器检定及校验领域。北京高频电流传感器发展现状